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一種二硒化鈷/碳納米材料及其制備方法與應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無(wú)定形碳層，所述 CoSe2 層生長(zhǎng)于所述基底表面，呈現(xiàn)三維片狀結(jié)構(gòu)，所述無(wú)定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無(wú)定形碳層的質(zhì)量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發(fā)明通過(guò)將無(wú)定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環(huán)穩(wěn)定性，從而
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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種 β 羰基-1，3-二噻烷類化合物的制備方法
β 羰基-1，3-二噻烷類化合物兼具羰基和噻烷官能團(tuán)，其中，噻 烷基團(tuán)作為羰基等價(jià)物用于復(fù)雜羰基化合物的制備及相關(guān)分子骨架 和片斷的構(gòu)建，可進(jìn)行一系列官能團(tuán)轉(zhuǎn)換；羰基本身可參與眾多官能 團(tuán)的轉(zhuǎn)化，以及雜環(huán)的構(gòu)筑。β 羰基-1，3-二噻烷類化合物兼具了二 者的反應(yīng)特性，作為高度官能化的三碳單位，是構(gòu)筑眾多雜環(huán)類化合 物、構(gòu)筑眾多多羰基類化合物以及眾多藥物分子和天然產(chǎn)物的重要中 間體。 目前已報(bào)道的 β 羰
蘭州大學(xué)
2021-04-14
一種基于最優(yōu)二矢量組合的模型預(yù)測(cè)控制方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種基于最優(yōu)二矢量組合的模型預(yù)測(cè)控制方法及系統(tǒng)，該方法應(yīng)用于三相兩電平逆變器驅(qū)動(dòng)的永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)，采用模型預(yù)測(cè)電流控制策略，同時(shí)考慮所有二矢量組合及作用時(shí)間得到合成矢量集合，在全部待選集合中考察代價(jià)函數(shù)并選取最優(yōu)的合成矢量；為了簡(jiǎn)化優(yōu)化過(guò)程，給出了等效的電壓方程，提出扇區(qū)變換方法，將待選二矢量組合集合轉(zhuǎn)化為固定的多條線段；給出了一種快速算法，將部分復(fù)雜的計(jì)算轉(zhuǎn)化到離線進(jìn)行，有效減小了新方法的實(shí)時(shí)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于聚光系統(tǒng)的非成像二次反射鏡
本發(fā)明公開了一種用于聚光系統(tǒng)的非成像二次反射鏡，其通過(guò)確定二次反射鏡的母線參數(shù)，使得其能夠?qū)⑷肷涞揭淮螔佄锩娴钠叫杏谳S線的光反射后匯聚到接收器上并形成均勻分布的圓斑，其特征在于，該非成像二次反射鏡為凸型的非成像二次反射鏡或凹型的非成像二次反射鏡，其中，所述凸型的非成像二次反射鏡設(shè)置在聚光系統(tǒng)的初級(jí)拋物面聚光器的焦點(diǎn)的上方，其曲面母線方程為：<mathsnum=""0001""><math>&l
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二元金屬?gòu)?fù)合鈣鈦礦材料、制備方法及其應(yīng)用
本 發(fā) 明 公 開 了 三 種 新 的 二 元 金 屬 鹽 鈣 鈦 礦 材 料 AB<sup>1</sup>B<sup>2</sup>X3(X：Cl、Br、I)及其制備方法，以及 其在多種結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池制備中應(yīng)用，屬于新材料太陽(yáng)能電 池 領(lǐng) 域 。 本材料由有機(jī)鹵化物 <img file=""DDA0000889538320000011.GIF"" wi=""508"" he=""77"" /&g
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法
本發(fā)明公開了一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法，包括如下步驟：S1 粉碎固體垃圾；S2 對(duì)所述經(jīng)粉碎的固體垃圾執(zhí)行化學(xué)鏈燃燒處理，所述化學(xué)鏈燃燒溫度范圍為 800℃～1000℃，該化學(xué)鏈燃燒采用經(jīng)過(guò)吸附劑修飾的氧載體，該經(jīng)過(guò)吸附劑修飾的氧載體粒徑為 0.1mm～0.3mm，所述吸附劑能吸附并固定氣態(tài)氯元素，冷凝并捕獲化學(xué)鏈燃燒獲得的二氧化碳。本發(fā)明方法解決了目前固體垃圾焚燒過(guò)程中碳排放量高、同時(shí)易產(chǎn)生二噁英的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法，采用 化學(xué)氣相沉積法用單質(zhì)硒和鹵化錫在襯底上沉積所需厚度的 SnSe2 晶 體；其中，沉積設(shè)備為水平管式爐，順序設(shè)有上游低溫區(qū)、中心溫區(qū) 以及下游低溫區(qū)，所述單質(zhì)硒和鹵化錫分別獨(dú)立但緊靠放置于上游低 溫區(qū)，所述襯底放置于下游低溫區(qū)；利用不同溫區(qū)的溫度差，單質(zhì)硒 蒸汽和鹵化錫蒸汽形成于上游低溫區(qū)；兩者反應(yīng)生成 SnSe2，并通過(guò) 沉積載氣帶入下游溫區(qū)，在襯底上沉
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于快速二值編碼的高分辨率遙感影像場(chǎng)景分類方法
本發(fā)明提供了一種基于快速二值編碼的高分辨率遙感影像場(chǎng)景分類方法，包括步驟:步驟 1，劃分 待分類遙感影像獲得場(chǎng)景單元;步驟 2，從場(chǎng)景單元中提取尺寸相同的圖像塊作為局部圖像塊訓(xùn)練樣本; 步驟 3，采用非監(jiān)督學(xué)習(xí)法學(xué)習(xí)局部圖像塊訓(xùn)練樣本獲得濾波器組;步驟 4，將場(chǎng)景單元與濾波器組中 各濾波器分別做卷積獲得各場(chǎng)景單元的幅濾波器響應(yīng)圖，采用二值編碼法分別融合各場(chǎng)景單元的幅濾波 器響應(yīng)圖獲得各場(chǎng)景單元的全局特征描述;步驟 5，基于場(chǎng)景單元的全局特征描述進(jìn)行場(chǎng)景單元分類。 本發(fā)明在保證場(chǎng)景分類精度的前提下，大大降低了非監(jiān)學(xué)習(xí)法的計(jì)算代價(jià)。
武漢大學(xué)
2021-04-13
第二屆高校現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院建設(shè)與發(fā)展論壇在青島舉辦
10月12日，第二屆高校現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院建設(shè)與發(fā)展論壇在山東青島舉辦。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-10-25
第二屆高等學(xué)校科技創(chuàng)新大會(huì)主論壇在青島舉辦
10月12日，第二屆高等學(xué)校科技創(chuàng)新大會(huì)主論壇在山東青島舉辦。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-10-18