|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
薄壁波紋管的縮管模
已有樣品/n目前，在波紋管生產過程中由于管壁薄，總是由于各種原因出現管 口形變損壞的情況。通常這種管口受損的波紋管只能直接報廢，造成材 料和人工損失。此外，在加工過程由于原料儲備不可能各種尺寸型號都 齊備，當要求的產品規格比原料略小的情況時就需要通過縮管生產出符 合標準規格的產品，因此，亟需一種可解決上述問題的波紋管縮管模具。 薄壁波紋管的縮管模有效的解決了現有技術在波紋管生產過程中由 于管壁薄，總是由于各種原因出現管口形變損壞的情況。 該技術能廣泛應用于各類需要改變管件直徑尺寸的領域。極大方便 了
湖北大學
2021-01-12
碳化硅紫外光電探測器
現今，高響應度光電倍增管(PMT)為最廣泛應用于微弱紫外信號的探測器，然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實現陣列探測和價格高等因素的制約，研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經成為近年來國際上光電探測領域的研究熱點。與光電倍增管相比，碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結構簡單、可在室溫下工作、成本低等優點。隨著碳化硅材料和其器件制備技術的不斷發展，其紫外光電探測器性能指標有望達到甚至超過光電倍增管。本研究小組已就肖特基勢
廈門大學
2021-01-12
氮化硅超細粉流態化制備技術
氮化硅陶瓷是一種耐高溫耐磨材料，廣泛用于冶金、化工、能源等領域，氮化硅粉是制備氮化硅的原材料。實驗室提出了一種流態化直接氮化制備超細粉方法，可低成本生產晶相和非晶相氮化硅粉。
北京科技大學
2021-04-13
碳納米管和氧化鋁晶須原位復合增強樹脂材料及其制備方法
小試階段/n樹脂基復合材料是以有機高分子材料為基體、高性能連續纖維為增強材料通過復合工藝制備而成的具有明顯優于原組分性能的一類新型材料。但樹脂具有脆性，其復合材料一般要引入具有一維特征的增強相，如纖維、晶須和納米管等。這種增強相有兩種引入方式：一種是外加引入，另外一種是原位生成。往樹脂基體中單獨添加碳晶須、碳納米管或氧化鋁晶須等一維增強相時，材料的性能在一定程度上有提高，但增強相在樹脂解題中的分散問題沒有解決；在樹脂基體中原位生成碳納米管等一維增強相時，有助于常溫性能的改善，但是僅有碳納米管的存在，
武漢科技大學
2021-01-12
《自然·通訊》報道西安電子科技大學郝躍院士團隊研制出國際最高功率優值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現空穴超注入效應
近期，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導體異質結二極管。
西安電子科技大學
2022-08-30
二次鋁灰提取工業用氧化鋁的高值資源化工藝
上海交通大學
2021-04-11
用于煙氣脫硫的伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭
本發明公開了一種脫硫用伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭,其原料組分為ALCL3·6H2O和污水處理廠污泥;制備步驟如下:①制備AL(OH)3溶膠;②制備污泥活性炭;③制備伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭。本發明應用于對低濃度的煙氣脫硫,有益效果是,首次將伽瑪型三氧化二鋁膜用于改性污泥活性炭的脫硫性能,有效提高了污泥活性炭的脫硫效率。
天津城建大學
2021-01-12
應用于低濃度煙氣脫硫的伽瑪-三氧化二鋁復合膜
本發明公開了一種γ-Al2O3復合膜及其對煙氣脫硫的應用，包括K2O/γ-Al2O3與K2O/B2O3/γ-Al2O3復合膜及其對煙氣脫硫的應用，其原料組分為AlCl3·6H2O與KOH及H3BO3，采用下述方法制備：①制備Al(OH)3溶膠；②制備K2O/γ-Al2O3復合膜或制備含硼的復合溶膠；③制備K2O/B2O3/γ-Al2O3復合膜；采用常規的脫硫裝置和常規的脫硫方法，采集經過γ-Al2O3復合膜脫硫的低濃度SO2混合氣體，應用碘量法滴定該低濃度SO2混合氣體的吸收液，通過計算得出γ-Al
天津城建大學
2021-01-12
一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發光二極管
本實用新型公開了一種石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發光二極管，該發光二極管是自下而上依次有藍寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設有側面電極，在石墨烯層上設有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實用新型的石墨烯/銀量子點/氮化鎵雙向發光二極管利用銀量子點表面等離子體增強發光，同時結合石墨烯材料的高透光性、高導電性和氮化鎵優異的發光性能，正反偏壓下均可發光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡單，成本低。
浙江大學
2021-04-13
一種摻雜硅量子點發光二極管器件及其制備方法
本發明公開了一種摻雜硅量子點發光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發光特性，構成發光二極管的發光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14