大容量碳化硅電力電子產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
已有樣品/n在微電子所的技術(shù)支持和協(xié)助下,株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司國(guó)內(nèi)首條6英寸碳化硅(SiC)芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試,廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測(cè)試條件均已完備,可實(shí)現(xiàn)4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。與其他半導(dǎo)體材料相比,SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng),以及高熱導(dǎo)率等優(yōu)異物理特點(diǎn),是新一代半導(dǎo)體電力電子器件領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢(shì)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12