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消癥飲在制備治療乳腺增生病藥物中的應用
【發 明 人】高月平【技術領域】本發明涉及消癥飲在制藥中的新用途，具體地說是涉及消癥飲在制備治療乳腺增生病藥物中的應用。【摘要】一種消癥飲在制藥中的新用途，即在制備治療乳腺增生疾病藥物中的應用，消癥飲是由鹿角片、白芥子、桃仁、熟地、淫羊藿、生薏苡仁、三棱、醋柴胡、大血藤、延胡索、按一定重量配比制成，該藥物可制成湯劑、膠囊劑、片劑、沖劑、口服液、糖漿或合劑等，經臨床試驗結果表明150例乳腺增生病患者，分為治療組100例和對照組50例，對照組用乳癖消，治療組用消癥飲湯劑，試驗結果治療組和對照組的總有效率為100％和74％；其中100例治療組中痊愈64例(64％)，顯效21例(21％)，有效15例(15％)，無效0例；總有效率100％，而50例對照組中痊愈19例(38％)，有效8例(16％)，無效13例(26％)，總有效率74％。
南京中醫藥大學
2021-04-13
專家報告薈萃② | 楊俊輝：“三浸三制三化”創新人才自主培養 高質量服務國家戰略腹地建設
加強國家戰略腹地建設，是以習近平同志為核心的黨中央統籌國內國際兩個大局、統籌發展與安全兩件大事作出的重要部署。
中國高等教育博覽會
2024-12-04
噬菌體抗菌制劑在防控奶牛乳腺炎中的應用
上海交通大學
2021-04-13
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
低成本功能性多孔有機聚合物
成熟度：技術突破
多孔有機聚合物是一類新興的功能性高分子材料，相比傳統高分子交聯樹脂，其具有類似無機分子篩的微孔，具有更高的官能團密度，已被廣泛用于儲存、分離或催化等領域。然而當前許多性能優良的多孔有機聚合物成本過高，嚴重制約著其實際應用。我們合成的價格低廉且性能優秀的多孔有機聚合物，其性能與當前典型多孔有機聚合物相當，而價格為它們的幾十分之一或幾百分之一，目前在儲存氨氣、分離二氧化碳及分離水中污染物（如硼酸，Hg2+等）等方面已完成實驗室測試，這些成果將為多孔有機聚合物的真正應用打開通道。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
西南大學氣相色譜三重四極桿質譜聯用儀競爭性磋商
西南大學氣相色譜三重四極桿質譜聯用儀競爭性磋商
西南大學
2022-06-23
喹噁啉類三種獸藥的食品安全性評價與風險管控技術
中試階段/n該項目2016年獲得湖北省科技進步一等獎。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未確定每日允許攝入量(ADI)、殘留標識物(MR)和靶組織(TT)，未能制訂最高殘留限量(MRLs)和休藥期(WP)，喹乙醇僅有豬肌肉暫定MR及MRL，這三種藥物一直沒有科學的食品安全標準和風險管控技術，消費者健康受到威脅。
華中農業大學
2021-01-12
性能與可靠性維修性保障性一體化綜合設計技術
性能與可靠性維修性保障性（RMS）一體化綜合設計技術是以可靠性系統工程理論為基礎，解決復雜裝備研制過程RMS工作項目的控制問題和性能方法與RMS方法融合的問題，實現RMS工作與性能工作同步開展，統一建模、綜合分析、權衡優化。進而充分發揮RMS技術的效果與效益。 一體化設計專業圍繞可靠性系統工程的基礎理論與方法、復雜裝備研制過程性能與RMS一體化過程控制、先進集成平臺和軟件工具、考慮可靠性的多學科設計優化技術、基于POF的可靠性與壽命分析技術等方向，實驗室擁有“一體化集成平臺及開發環境”，“可靠性維修性保障性基礎數據庫”，“考慮可靠性的多學科設計優化平臺”，“基于POF的可靠性預計平臺”等自主研發的先進設備，同時還采購了“多主體仿真環境Anylogic”、“多學科設計優化環境Fiper”等進口先進設備。同時實驗室擁有一支專業化的軟件開發隊伍，可根據不同型號的需求，定制開發一體化集成平臺。
北京航空航天大學
2021-04-13
一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電 極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導體區域以及圍繞半導體區域的四層包 裹結構；半導體區域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯連接；溝道為方柱形結構；四層包裹結構從里到外依 次為隧穿電介質層、電荷存儲層、阻隔電介質層以及控制柵電極；阻 隔電介質層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學
2021-04-14