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DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11
湖南省科學(xué)技術(shù)廳 湖南省財政廳關(guān)于開展2022年度湖南省“三尖”創(chuàng)新人才工程項目申報的通知
為深入貫徹中央和省委人才工作會議精神，根據(jù)《中共湖南省委辦公廳關(guān)于印發(fā)〈湖南省芙蓉人才行動計劃〉的通知》（湘辦發(fā)〔2017〕42號）、《湖南省科技創(chuàng)新計劃改革工作方案》（湘科辦發(fā)〔2022〕16號）、《關(guān)于印發(fā)的通知》（湘科發(fā)〔2022〕34號）要求，現(xiàn)就開展2022年度省“三尖”創(chuàng)新人才工程項目申報有關(guān)事項通知如下
湖南省科學(xué)技術(shù)廳
2022-06-01
人力資源社會保障部 中國科協(xié) 科技部 國務(wù)院國資委關(guān)于表彰第三屆全國創(chuàng)新爭先獎獲獎?wù)叩臎Q定
近年來，廣大科技工作者堅持以習(xí)近平新時代中國特色社會主義思想為指導(dǎo)，堅決貫徹執(zhí)行新時代黨的路線方針政策和黨中央重大決策部署，矢志創(chuàng)新創(chuàng)造，積極投身建設(shè)世界科技強國的偉大征程，為推動我國科技創(chuàng)新事業(yè)跨越式發(fā)展、努力實現(xiàn)高水平科技自立自強作出了重要貢獻，涌現(xiàn)出一大批先進典型和模范人物。
人力資源社會保障部
2023-05-30
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中國藥科大學(xué)藥學(xué)院周建平/丁楊團隊在Adv Sci,Nano Lett,J Control Release連發(fā)三文報道抗阿爾茲海默癥研究成果
基于阿爾茲海默癥（AD）病理機制和血腦屏障（BBB）藥物滲透限制，該團隊全面總結(jié)了近年來靶向阻斷AD疾病進程的納米藥物應(yīng)用進展，并探討了以病理機制指導(dǎo)的納米藥物設(shè)計原則。
中國藥科大學(xué)
2022-05-31
關(guān)于組織開展2023年山西省省級科技企業(yè)孵化器申報和績效評價工作的通知
為貫徹落實黨的二十大精神，加快實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，加快實現(xiàn)高水平科技自立自強，促進創(chuàng)業(yè)孵化機構(gòu)體系化、專業(yè)化建設(shè)，推動科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，形成示范帶動效應(yīng)，現(xiàn)開展2023年山西省省級科技企業(yè)孵化器認(rèn)定工作，有關(guān)事項通知如下
山西省科技廳國際與區(qū)域科技合作處
2023-07-20
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用于同時檢測CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時進行定性和定量檢測.
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
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一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法
本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設(shè)有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過細(xì)槽連通，淺槽二中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設(shè)有可測量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設(shè)有可測量高壓差的電容Ｃ２，可測量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過細(xì)槽與可測量低壓差的電容Ｃ１對應(yīng)設(shè)置，淺槽通孔通過淺槽二與可測量高壓差的電容Ｃ２對應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明通過可測量低壓差的電容Ｃ１與可測量高壓差的電容Ｃ２分別實現(xiàn)了壓力在低壓段與高壓段的高精度測量。
東南大學(xué)
2021-04-11