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一種用于脫汞的廢棄物衍生吸附劑制備方法及產品
本發明公開了一種用于脫汞的廢棄物衍生吸附劑制備方法及產品，屬于城市生活廢棄物資源利用技術領域。該方法具體為：將含鹵素廢棄物與生物質廢棄物混合發生熱解反應，含鹵素廢棄物中的鹵素釋放并固定于生物質廢棄物上，生成用于脫汞的廢棄物衍生吸附劑。應用本發明方法，一方面減少含鹵素廢棄物熱解過程中的鹵素釋放，另一方面轉化成汞吸附劑上有用的鹵素，實現廢棄物資源化和生成脫汞吸附劑的雙重目的。
華中科技大學
2021-04-14
一種固體氧化物燃料電池陰極氣體流場板及其制備方法
本發明公開了一種固體氧化物燃料電池陰極氣體流場板，用于 均勻分配氧化氣和收集陰極電流，其由多個相互平行連接且尺寸相同 的齒形波紋塊構成，齒形波紋塊由兩個錯開距離(7)后平行排列連接的 齒形波紋條(3，4)構成，齒形波紋條(3，4)由多個相互交替連接的平頂 凸臺(2)和平板(1)構成，平頂凸臺(2)呈齒形輪廓狀，平板(1)連接所述平 頂凸臺(2)的根部，以形成齒形波紋狀，平頂凸臺(2)橫截面形狀為等腰 梯形去掉下底邊后
華中科技大學
2021-04-14
一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發明公開了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對一氧化碳 有較好的響應。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結構簡單，性 能優異。
華中科技大學
2021-04-14
一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發明公開了一種賤金屬內電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內電極依次層壓生成，其中所述 內電極材質為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發明 具有以下有益效果：（1）本發明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發明采用賤金屬 Ni 為內電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統的固相燒 結方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學
2021-04-14
一種半密封式固體氧化物燃料電池陰極的測試夾具
本發明公開了一種半密封式固體氧化物燃料電池陰極的測試夾 具；包括固定部分、活動部分和底座；固定部分包括用于通氣的內管、 用于排氣的外管、套筒以及用于收集電流的第一鉑線和第一鉑網；活 動部分包括連接管，位于內管與外管之間，且與外管同軸設置；底座 包括陶瓷管、端蓋、第二鉑線、第三鉑線、第二鉑網和第三鉑網；第 二鉑線與第二鉑網連接，第三鉑線與第三鉑網連接，第一鉑網與待測 樣品的工作電極即陰極連接，第二鉑網與待測樣品的對電極
華中科技大學
2021-04-14
一種激光重熔掃描碳化物彌散增強鋁合金的快速制造方法
本發明公開了一種激光重熔掃描碳化物彌散增強鋁合金的快速 制造方法，包括以下步驟：(1)在計算機上建立零件三維模型，然后將 所述零件三維模型轉成 STL 格式并導入到激光選區熔化成形設備中； (2)將鋁合金粉末和碳化物粉末混合，然后采用球磨機進行球磨混合均 勻；(3)將球磨后的混合粉末轉移到激光選區熔化成形設備里，在惰性 氣體保護下，根據三維模型數據對混合粉末進行成形；(4)采用線切割 工藝將成形的零件從所述基板上分離
華中科技大學
2021-04-14
一種短纖維增強熱固性樹脂復合產品的 3D 打印制造方法
本發明公開了一種短纖維增強熱固性樹脂復合產品的 3D 打印制 造方法，包括以下步驟：1)制備適用于選擇性激光燒結 3D 打印技術的 復合粉末；2)采用選擇性激光燒結技術成形具有孔隙的形坯；3)將形坯 放入液態熱固性樹脂前驅體中進行浸滲后處理：3.1)配制粘度在 100mPa·s 以下的液態熱固性樹脂前驅體；3.2)將形坯浸入液態熱固性 樹脂前驅體中，讓形坯的上端露出液面，以使形坯孔隙中的氣體排出； 4)從液態熱固性樹
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
一種摻雜硅量子點發光二極管器件及其制備方法
本發明公開了一種摻雜硅量子點發光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發光特性，構成發光二極管的發光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納
華中科技大學
2021-04-14
一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化的測量方法
本發明公開了一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化測量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測對象處；(2)對所述鐵磁性粒子所在區域施加直流磁場使所述鐵磁性粒子達到飽和磁化狀態；(3)獲得待測對象在常溫下的穩態溫度 T1，根據所述穩態溫度 T1 計算出鐵磁性粒子的初始自發磁化強度 M1；(4)當待測對象發生溫度變化后，測量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強度變化信號的幅值 A，根據所述磁化強度變化信號的幅值 A 計算得到
華中科技大學
2021-04-14