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一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的熱壓設備
本發(fā)明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的熱壓設備，該設備包括：由上下兩個熱壓頭共同組成的熱壓裝置,位于熱壓裝置的外側(cè)用于將片材提供給真空拾放裝置的上料裝置，用于從上料裝置的片材料盒中取料并將片材輸送至下熱壓頭上的相應疊合位置的真空拾放裝置，位于柔性薄膜的輸送路徑上用于將輸送中的柔性薄膜撐起一定高度的撐膜裝置，以及分別用于對柔性薄膜的輸送位置和片材上料位置等信息進行檢測和反饋的薄膜檢測裝置和上料檢測裝置。通過本發(fā)明，能夠同時實現(xiàn)熱壓、上料、拾取和轉(zhuǎn)移等多種功能，結(jié)構(gòu)緊湊，便于控制和操作，并利用視覺定位技術(shù)和獨立的熱壓裝置支撐框架來進一步保證薄膜疊層的精度。
華中科技大學
2021-04-11
在鈉金屬薄膜和等離激元光子器件研究方面上的重要突破
研究團隊發(fā)展了獨特的液態(tài)金屬旋涂工藝，制成了金屬鈉薄膜，首次揭示了金屬鈉膜的優(yōu)異光波段等離激元特性。
北京大學
2021-04-11
一種超高速率充放電超級電容器薄膜電極的制備
高校科技成果盡在科轉(zhuǎn)云
電子科技大學
2021-04-10
高模量低收縮聚酰亞胺薄膜的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵制備技術(shù)研究
本項目針對目前國內(nèi)撓性印制線路板及材料在生產(chǎn)及應用中存在的問題，在研究團隊前期開發(fā)的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎上，從市場需求及產(chǎn)業(yè)化的角度，優(yōu)選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅(qū)體聚酰胺酸膠液的實驗室小試、中試及產(chǎn)業(yè)化規(guī)模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關(guān)鍵技術(shù)研究，獲得一套穩(wěn)定可靠的產(chǎn)業(yè)化工藝參數(shù)，制備具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產(chǎn)品，打破該產(chǎn)品國外壟斷的局面。
中山大學
2021-04-10
一種二元前驅(qū)體合成伸展石墨烯復合薄膜的制備方法
本發(fā)明屬于半導體納米復合材料的制備技術(shù)領域，涉及一種利用二元前驅(qū)體合成石墨烯復合薄膜的制備方法。該發(fā)明采用簡單的兩步合成路線，通過在水熱法中合成兩元前驅(qū)體，然后經(jīng)過高溫處理使四氧化三鐵納米顆粒均勻的分散在石墨烯納米薄膜的表面。相對于其他合成方法，此方法制備的石墨烯復合薄膜具有伸展更充分，F(xiàn)e3O4納米粒子粒徑更均勻，分布范圍窄等優(yōu)點。借助本發(fā)明提供的方法，制備出的石墨烯納米復合薄膜可作為鋰離子電池的負極材料，顯示了較高的電容量和循環(huán)穩(wěn)定性。通過本發(fā)明提供的無機半導體和石墨烯復合納米材料制備方法，可制備多種不同種類的復合材料，制備出的復合材料在鋰離子電池，無機太陽能電池，藥物的靶向緩釋與治療等方向具有實際的應用前景。
青島大學
2021-04-13
一種硒化銻薄膜太陽能電池的背表面處理方法
本發(fā)明屬于薄膜太陽能電池制備領域，具體公開了一種硒化銻 薄膜太陽能電池的背表面處理方法，該方法是使用含有二硫化碳的液 體接觸處理硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的表面，并以經(jīng)處 理后的硒化銻薄膜層的表面作為硒化銻薄膜太陽能電池的背表面。本 發(fā)明通過對硒化銻薄膜太陽能電池中硒化銻薄膜層的背表面進行處理 改進，有效降低了硒化銻薄膜太陽能電池的背接觸勢壘，達到了提高 器件的填充因子的效果，進而提高了硒化銻薄膜太陽能電池的
華中科技大學
2021-04-14
一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法
本發(fā)明公開了一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法。該方法在傳統(tǒng)的 PbI2 前驅(qū)體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長的均勻性。在空氣中 100℃燒結(jié) 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導電網(wǎng)絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網(wǎng)絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導體材料 與器件制備領域，解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調(diào)，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設有進樣口、出樣口和銀漿注入口，進樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡單，成本低廉
武漢大學
2021-04-14