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已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了

可以量產(chǎn)/n該項(xiàng)目帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發(fā)展；線性度高，模擬通信不失真；動(dòng)態(tài)范圍大，激光輸出功率高，相對(duì)強(qiáng)度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。市場(chǎng)預(yù)期：該項(xiàng)目產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域是通信，目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求大于300億人民幣。隨著國(guó)家寬帶戰(zhàn)略的實(shí)施和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。

內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目圍繞探測(cè)器用CdZnTe晶體的制備與開發(fā)應(yīng)用，釆用改進(jìn)的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)和退火改性工藝，生長(zhǎng)出滿足探測(cè)器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對(duì)X射線和y射線等不同能量射線檢測(cè)及應(yīng)用的要求， 解決了探測(cè)器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測(cè)器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線

本發(fā)明公開了一種微環(huán)波導(dǎo)器件，包括微環(huán)諧振腔、直波導(dǎo)、第一支架、第二支架和襯底；其中，第一支架用于支撐直波導(dǎo)，第二支架用于支撐微環(huán)諧振腔，以使微環(huán)諧振腔與直波導(dǎo)懸空；微環(huán)諧振腔與直波導(dǎo)相互耦合；外部注入的光場(chǎng)通過直波導(dǎo)耦合進(jìn)入微環(huán)諧振腔中，滿足微環(huán)諧振條件的光場(chǎng)在微環(huán)諧振腔中激發(fā)出聲場(chǎng)，通過懸空的微環(huán)諧振腔將產(chǎn)生的聲場(chǎng)限制在微環(huán)諧振腔中進(jìn)行傳輸，進(jìn)而產(chǎn)生前向布里淵效應(yīng)；本發(fā)明提供的這種懸空的微環(huán)波導(dǎo)器件具有布里

微納米光纖，具有一系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)：大的消逝場(chǎng)；高的非線性，極低的損耗；容易彎曲成環(huán)等不同的幾何形狀。我校在本應(yīng)用領(lǐng)域主要研究選擇合適的光纖材料和介質(zhì)棒材料，探討微納光纖在生物、通信、傳感和激光等領(lǐng)域的應(yīng)用：優(yōu)化微納光纖探針的設(shè)計(jì)，制備低成本的超短的極低損耗的微納光纖探針用于低功率粒子捕獲；制備基于單環(huán)諧振器的傳感器；制備基于多環(huán)諧振器的應(yīng)用型器件如高靈敏度微傳感器或者可調(diào)諧器件等，探討其它新型的應(yīng)用。理論上主要研究微納光纖諧振器的線性和非線性特性，對(duì)

1：電子式壓力控制器 內(nèi)容：專用于按壓力信號(hào)對(duì)制冷系統(tǒng)實(shí)施的各種控制。（1）電子式數(shù)字顯示，數(shù)字設(shè)定（2）微電腦控制器（3）可以對(duì)壓縮機(jī)進(jìn)行運(yùn)行，保護(hù)及調(diào)節(jié)方面的控制，如：壓縮機(jī)正常啟、停控制，高低壓力保護(hù)，油路控制，壓縮機(jī)制冷能力的程度控制（4）適用于各種制冷劑，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）針對(duì)

太赫茲（THz）科學(xué)技術(shù)既是重大的基礎(chǔ)科學(xué)問題，也是國(guó)家的重大需求。然而，作為一段全新的的電磁波譜，實(shí)現(xiàn)THz波傳輸與控制的相關(guān)器件極為匱乏，大大限制了THz科學(xué)技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用。本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。本項(xiàng)目的主要成果包括：(1) 提出了THz波吸收的理論模型，研制出吸收率達(dá)到85%以上的窄帶、多帶和寬帶太赫茲吸收材料，解決了傳統(tǒng)電磁波吸收材料無法有效工作于THz頻段的技術(shù)難題；(2)提出“人工電磁結(jié)構(gòu)”與“電子功能材料”相結(jié)合構(gòu)建可調(diào)諧太赫茲功能器件的思想，研制出開關(guān)速率達(dá)到0.1ms的太赫茲開關(guān)、調(diào)制速率達(dá)到10Mbps的太赫茲波調(diào)制器，帶內(nèi)透射達(dá)到80%的太赫茲帶通濾波器，以及高效太赫茲功率衰減器；（3）基于高阻Si的深能級(jí)摻雜技術(shù)和石墨烯二維晶體材料，研制出寬帶太赫茲波空間調(diào)制器，開關(guān)速率達(dá)到5MHz，空間調(diào)制面積達(dá)到3英寸，為提高太赫茲成像速率和分辨率奠定了基礎(chǔ)；(4)提出極化約束實(shí)現(xiàn)太赫茲波導(dǎo)低損耗傳輸?shù)男赂拍睢；凇熬酆衔锟招静▽?dǎo)”與“周期性金屬光柵結(jié)構(gòu)”的集成，研制出一種雙面光柵聚合物空芯波導(dǎo)實(shí)現(xiàn)了單模的傳輸,大幅度降低太赫茲傳輸損耗到0.68dB/m，達(dá)到了實(shí)用化的要求。 這一研究成果既加深了對(duì)THz波譜特性和基本物理現(xiàn)象的理解，也解決了THz傳輸、控制、波譜識(shí)別和應(yīng)用成像的多個(gè)關(guān)鍵科學(xué)問題。本項(xiàng)目成果的實(shí)施，可望實(shí)現(xiàn)載波300GHz以上高速無線通信，為太赫茲波無線通信、雷達(dá)探測(cè)、醫(yī)療診斷以及以及波譜成像等應(yīng)用系統(tǒng)提供了重要的技術(shù)支撐。在Appl. Phys. Lett., Sci. Rep., Opt. Lett., Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國(guó)際主流期刊上發(fā)表SCI 論文66 篇。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利22 項(xiàng)，已授權(quán)專利7 項(xiàng)，獲得教育部自然科學(xué)一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。跟國(guó)內(nèi)外綜合比較，本項(xiàng)目的研究成果總體上處于國(guó)際先進(jìn)水平，對(duì)推動(dòng)太赫茲科學(xué)快速進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域具有重要的科學(xué)意義。

本項(xiàng)目提出了THz波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制的新理論和新技術(shù)，研制出多種實(shí)用化THz功能器件。

隨著集成電路工藝的進(jìn)步，MOS管的特征尺寸越來越小，電路的工作電壓也不斷下降，柵氧化層的厚度也越來越薄，在這種趨勢(shì)下，將可控硅ESD防護(hù)器件的觸發(fā)電壓降低到可觀的電壓值內(nèi)，使用高性能的ESD防護(hù)器件來泄放靜電電荷以保護(hù)柵極氧化層顯得十分重要。本發(fā)明涉及可用于65nm半導(dǎo)體工藝的靜電保護(hù)（ESD）器件，特別涉及低電壓觸發(fā)的SCR器件。    本發(fā)明提供一種采用新型技術(shù)減小器件的ESD觸發(fā)電壓的PMOS嵌入的低壓觸發(fā)用于ESD保護(hù)的SCR器件。本發(fā)明采用PMOS進(jìn)行觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS的導(dǎo)通電流觸發(fā)SCR晶閘管，從而減小SCR器件的ESD觸發(fā)電壓。ESD脈沖信號(hào)施加在Anode和Cathode之間，PMOS首先被觸發(fā)導(dǎo)通，PMOS開通之后，觸發(fā)NMOS導(dǎo)通，NMOS導(dǎo)通后，其導(dǎo)通電流觸發(fā)晶閘管SCR導(dǎo)通。晶閘管電流（SCR current）導(dǎo)通大部分ESD 電流，從而實(shí)驗(yàn)了ESD保護(hù)。

本項(xiàng)目以制備超快高儲(chǔ)能柔性器件為導(dǎo)向，建立基于界面納米復(fù)合材料的新技術(shù)。通過水熱法和電化學(xué)方法在柔性導(dǎo)電基底上構(gòu)建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復(fù)合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導(dǎo)電基底上生長(zhǎng)多孔氧化鐵納米復(fù)合材料，作為負(fù)極，組裝全固態(tài)薄膜器件。利用納米復(fù)合材料的多方面優(yōu)勢(shì)加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進(jìn)而達(dá)到超快高儲(chǔ)能的目的。基于納米復(fù)合材料的全固態(tài)薄膜器件可展現(xiàn)出超快充電能力（10 V/s），比常規(guī)電容器的充電時(shí)間快10-100倍。這是國(guó)際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級(jí)電容器研究領(lǐng)域的一個(gè)重大突破。此外，本項(xiàng)目以開發(fā)超快超柔儲(chǔ)能器件為導(dǎo)向，開發(fā)了一種熱力學(xué)誘導(dǎo)自發(fā)組裝和原位摻雜結(jié)合碳熱還原的方法來實(shí)現(xiàn)石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統(tǒng)石墨烯材料縱向物質(zhì)傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調(diào)節(jié)石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統(tǒng)石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結(jié)構(gòu)使得其作為電極材料時(shí)擁有更大的比表面積，而且電解質(zhì)離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。