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一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法。復(fù)合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發(fā)生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴(kuò)散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發(fā)明避免了石 墨烯轉(zhuǎn)移過程和圖形化過程對石墨烯質(zhì)量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數(shù)目，通過調(diào)整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復(fù)合電極及其制備方法。復(fù)合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發(fā)生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴(kuò)散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發(fā)明避免了石 墨烯轉(zhuǎn)移過程和圖形化過程對石墨烯質(zhì)量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數(shù)目，通過調(diào)整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。
上海理工大學(xué)
2021-04-11
大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。
上海理工大學(xué)
2021-04-13
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一種Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆儲氫材料及其制備方法
（專利號：ZL 201510578249.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種Mg2Ni型三元Mg?Ni?Cu可逆儲氫材料及其制備方法，屬于儲氫技術(shù)領(lǐng)域。該儲氫材料成分范圍為：Mg占合金原子百分比為66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比為33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比為0～12％，原料的純度均不低于99.5％。該儲氫材料制備的關(guān)鍵在于首先制備高化學(xué)穩(wěn)定性的Ni(Cu)固溶體粉末，然后將固溶體粉末和Mg粉按比例混合燒結(jié)得到高純Mg2Ni型三元Mg20Ni10?xCux(0<x≤1.2)可逆儲氫合金。本發(fā)明涉及的材料具有高的儲氫容量(3.5wt％以上)和良好的低溫放氫動力學(xué)等特性，Cu替代貴金屬Ni降低了材料的使用成本。本發(fā)明涉及的制備方法具有工藝溫和、簡單、易控，生產(chǎn)設(shè)備投資少，生產(chǎn)過程無污染，易于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的顯著優(yōu)點(diǎn)。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11
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高性能W-Cu、Mo-Cu合金
北京科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院研究開發(fā)的高性能W-Cu、Mo-Cu合金是一類采用新工藝制備的金屬功能材料。自1996年以來，本項(xiàng)目得到了國家自然科學(xué)基金、國防預(yù)研基金等大力支持與資助，歷時(shí)6年完成。采用先進(jìn)的活化工藝對原材料粉末進(jìn)行處理，再采用特殊的固結(jié)手段，制備出的W-Cu、Mo-Cu合金性能達(dá)到了國際先進(jìn)水平。它兼有鎢（或鉬）與銅的綜合性能，例如高的導(dǎo)熱性、優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、良好的抗震性、抗燒蝕、抗高溫氣體腐蝕性、以及可調(diào)節(jié)的熱膨脹系數(shù)等。W-Cu合金的密度為16.36g/cm3，熱膨脹系數(shù)為7.2×10-6/℃，熱導(dǎo)率為182Wm-1K-1，彈性模量為274.6GPa，全部達(dá)到或超過了進(jìn)口件的性能，已用于我國國防和電子和民用工業(yè)部門。 由于W-Cu、Mo-Cu合金具有其它材料所不具備的優(yōu)異性能，因此可以在眾多的領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。例如在電子通訊領(lǐng)域可以用于散熱與熱沉材料、電子封裝材料，在工業(yè)電氣領(lǐng)域可以用于真空觸頭，在航空航天領(lǐng)域可用于尾部噴管喉襯、燃?xì)舛妫诘刭|(zhì)勘探與石油領(lǐng)域可用于巖石破碎彈的藥型罩等。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種 Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應(yīng)用。所述 Ni 納米線為平均長度 50,000 至 200,000nm 的超長納米線；其制備方法為：首先配置 Ni 納米線液相生長液；然后在外加磁場下制備 Ni 納米線單質(zhì)；最后分離純化 Ni 納米線。所述 NiO/Ni 自支撐膜包括所述 Ni 納米線及其煅燒制得的表面為 NiO 的 Ni 納米線；其制備方法為：首先將所述 Ni 納米線分散在表面活性劑溶液中；然后抽濾將 Ni 納米線轉(zhuǎn)移到微孔濾膜上，制得 Ni 自支撐膜；最后將
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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Ni基多元合金復(fù)合涂層技術(shù)
技術(shù)簡介
在海洋、石油、造紙等行業(yè)工作的關(guān)鍵零部件，承受嚴(yán)重的腐蝕、磨損交互作用，工作環(huán)境惡劣，服役壽命短。本技術(shù)設(shè)計(jì)了系列鎳基多元合金及高熵合金材料，計(jì)算混合焓、混合熵、以及合金化熱力學(xué)和動力性分析，調(diào)控Cr、Mo、Al含量提高耐蝕性，調(diào)控原子半徑差異性，提升固溶強(qiáng)化效應(yīng)，獲得以FCC/BCC簡單固溶體結(jié)構(gòu)為主的兼具耐磨耐蝕性能的復(fù)合涂層，滿足在沖刷、沖蝕、磨蝕等零部件的表面強(qiáng)化技術(shù)需求。
創(chuàng)新點(diǎn)及性能指標(biāo)
1、利用大原子半徑的Mo、Al等合金元素的固溶強(qiáng)化效應(yīng)和熵焓效應(yīng)，獲得以簡單固溶體結(jié)構(gòu)為主的耐磨蝕涂層。
2、調(diào)控Cr、Mo、Al含量，獲得FCC/BCC雙相結(jié)構(gòu)和細(xì)晶組織，改善Cr的擴(kuò)散能力，提高涂層的鈍化性能。
山東科技大學(xué)
2021-05-11
新一代高速列車接觸線用Cu-Ag系、Cu-Cr系合金
高速列車具有安全性好、正點(diǎn)率高、快速等優(yōu)點(diǎn)。能有效地改善交通環(huán)境, 帶動國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。20世紀(jì)60年代以來, 隨著鐵路電氣化的高速發(fā)展, 鐵路運(yùn)輸一再提速, 對于電氣化鐵路用接觸線的性能要求越來越高, 因?yàn)樵陔姎饣F路運(yùn)行過程中, 接觸導(dǎo)線不僅要承受較大的懸掛張力, 同時(shí)還經(jīng)受著通過電流時(shí)引起的熱作用。因此, 材料要求在具有良好導(dǎo)電性能的同時(shí)還應(yīng)具有高的抗拉強(qiáng)度, 而且在電流負(fù)荷增大、溫度升高時(shí)仍然要保持較高的強(qiáng)度。接觸線既要提供高速列車所需的動力、照明和空調(diào)等用電, 又要承受較大的軸向拉力, 同時(shí)還可能工作在極冷、極熱、腐蝕性強(qiáng)等環(huán)境中,總的來說, 電力傳輸線必須具有以下性能: 能夠滿足高速列車速度和電流的要求, 具有足夠的抗拉強(qiáng)度來承受振動, 高導(dǎo)電率, 耐磨性好, 耐熱性好, 抗軟化溫度高, 軟化處理(300℃保溫2 h) 后其常溫抗拉強(qiáng)度不小于初始態(tài)的90% , 抗大氣腐蝕性能好,線膨脹系數(shù)小。我國鐵路廣深線、京鄭線等都大量或全部使用了法國或德國產(chǎn)品, 花費(fèi)了大量外匯。因此，對國產(chǎn)銅及銅合金接觸線的研制開發(fā)具有重大的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。本研究開發(fā)的析出強(qiáng)化型Cu-Ag系、Cu-Cr系合金已經(jīng)能夠滿足工業(yè)化生產(chǎn)的需要。 主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb>580MPa； 2.延伸率>5%； 3.導(dǎo)電率>75%IACS； 4.設(shè)計(jì)使用壽命：15年。
上海理工大學(xué)
2021-04-11
金科
納米晶超細(xì)晶金屬材料（鋁及鋁合金、銅及銅合金、鈦及鈦合金、鋼鐵等）;高熵合金（輕質(zhì)高強(qiáng)高熵合金、高溫高熵合金、納米晶高熵合金等）;金屬材料的增材制造，即3D打印（力學(xué)超材料、復(fù)雜結(jié)構(gòu)的功能梯度材料等）;先進(jìn)工模具材料（高端粉末冶金工模具鋼、納米硬質(zhì)合金等）
1. 遠(yuǎn)程激光充電系統(tǒng)研究(BK20130036), 江蘇省自然科學(xué)基金杰出青年基金, 2014-2016, 主持.
2. 激光遠(yuǎn)程能量傳輸系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研究(51377080), 國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目, 2014-2017, 主持.
3. 高效率高動態(tài)特性開關(guān)電容調(diào)節(jié)器研究(51007038), 國家自然科學(xué)基金青年基金, 2011-2013, 主持.
4. 激光非接觸充電系統(tǒng)研究(133218110015), 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(博導(dǎo)類), 2014-2016, 主持.
5. 數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)研究(131056), 霍英東教育基金會基礎(chǔ)性研究課題, 2012-2014, 主持.
6. 無人機(jī)激光遠(yuǎn)程充電系統(tǒng)(2013ZC52035), 航空科學(xué)基金, 2013-2015, 主持.
7. 新能源直流微網(wǎng)接口變換器研究(2014-DZXX-017), 江蘇省“六大人才高峰”高層次人才培養(yǎng)人選, 2015-2017, 主持.
8. 風(fēng)光氫聯(lián)合供電系統(tǒng)的研究, 工信部留學(xué)人員科技活動擇優(yōu)資助項(xiàng)目, 2009, 主持.
9. 高效率高功率密度數(shù)字控制電壓調(diào)節(jié)模塊, 南京市留學(xué)人員科技活動擇優(yōu)資助項(xiàng)目, 2009, 主持.
10. 風(fēng)光氫聯(lián)合供電系統(tǒng), 教育部留學(xué)回國人員科研啟動基金, 2010, 主持.
11. 分布式基站直流遠(yuǎn)程供電系統(tǒng)研制(BY2012016), 江蘇省產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合創(chuàng)新資金--前瞻性聯(lián)合研究項(xiàng)目, 2012-2014, 主持.
12. 開關(guān)電容電壓調(diào)節(jié)器的研究(DREG2009010), 臺達(dá)電力電子科教發(fā)展基金, 2009-2011, 主持.
13. 基于直流微網(wǎng)的雙向AC/DC變流器研究, 光寶電力電子技術(shù)科研基金, 2013-2016, 主持.
14. 無線激光充電系統(tǒng)研究, 南京航空航天大學(xué)杰出人才培育基金, 2013-2017, 主持. 15. 航空電源仿真系統(tǒng)與航空用三電平變換器, 國際合作項(xiàng)目—美國伊頓電氣股份有限公司, 2012-2013, 主持.
1. “高效率高功率密度高可靠性電力電子變換若干關(guān)鍵基礎(chǔ)理論”獲2014教育部自然科學(xué)獎一等獎（排名第三）；
2. 博士學(xué)位論文“燃料電池供電系統(tǒng)的研究”獲得2009年全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文提名獎；
3. 論文“An improved ZVS PWM three-level converter”獲得南京市第八屆自然科學(xué)學(xué)術(shù)論文一等獎。
專利:
1. 陳乾宏, 吳扣林, 金科, 阮新波, 用于LLC諧振系列拓?fù)浯偶勺儞Q器, 中國發(fā)明專利, ZL 2007 1 0192354. 0.
2. Ming Xu, Ke Jin, and Fred C. Lee, Switching capacitor-PWM power converter, United States Patent, US 8,331,110.
3. 王偉, 金科, 太陽能光伏與市電聯(lián)合供電系統(tǒng)及其控制方法, 中國發(fā)明專利, ZL 2010 1 0263033.7.
4. 金科, 曹文靜, 一種反激式開關(guān)電容調(diào)節(jié)器, 中國發(fā)明專利, ZL 2011 1 0002669.0.
5. 金科, 曹文靜, 徐明, 一種正激式開關(guān)電容調(diào)節(jié)器, 中國發(fā)明專利, ZL 2011 1 0002666.7.
6. 金科, 顧玲, 一種對集成變壓器勵磁電感電流進(jìn)行采樣的電路及方法, 中國發(fā)明專利, ZL 2012 1 0005330.0.
7. 劉志軍, 金科, 虞曉陽, 磁集成自驅(qū)動倍流整流半橋三電平直流變換器, 中國發(fā)明專利, ZL 2012 1 0060184.1.
8. 顧玲, 金科, 軟開關(guān)隔離型開關(guān)電容調(diào)節(jié)器, 中國發(fā)明專利, ZL 2012 1 0129294.9.
9. 金科, 顧玲, 軟開關(guān)非隔離型開關(guān)電容調(diào)節(jié)器, 中國發(fā)明專利, ZL 2012 1 0176331.1.
10. 孔月萍, 金科, 光伏發(fā)電系統(tǒng)中高效隔離直流變換器系統(tǒng), 中國發(fā)明專利, ZL 2012 1 0382327.0.
11. 金科, 顧玲, 單級式隔離型三相雙向AC/DC變換器及其控制方法, 中國發(fā)明專利, ZL: 2013 1 0162162.0.
12. 金科, 劉暢, 任小永, 方天治, 王健, 多支路兩級式三相光伏并網(wǎng)逆變器的啟動方法, 中國發(fā)明專利, ZL: 2013 1 0226199.5.
13. 金科, 劉暢, 一種高電壓變比雙向直流變換器及其控制方法, 中國發(fā)明專利, ZL 2013 1 0242295.9.
14. 金科, 虞曉陽, 劉暢, 一種針對半橋三電平直流變換器的電容電壓控制電路, 中國發(fā)明專利, ZL 2013 1 0704910.3.
金科
2021-06-23