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一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法
本發明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法。復合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發明避免了石 墨烯轉移過程和圖形化過程對石墨烯質量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數目，通過調整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學
2021-04-14
一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法
本發明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法。復合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發明避免了石 墨烯轉移過程和圖形化過程對石墨烯質量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數目，通過調整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學
2021-04-14
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。
上海理工大學
2021-04-11
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。
上海理工大學
2021-04-13
一種Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆儲氫材料及其制備方法
（專利號：ZL 201510578249.5） 簡介：本發明公開了一種Mg2Ni型三元Mg?Ni?Cu可逆儲氫材料及其制備方法，屬于儲氫技術領域。該儲氫材料成分范圍為：Mg占合金原子百分比為66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比為33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比為0～12％，原料的純度均不低于99.5％。該儲氫材料制備的關鍵在于首先制備高化學穩定性的Ni(Cu)固溶體粉末，然后將固溶體粉末和Mg粉按比例混合燒結得到高純Mg2Ni型三元Mg20Ni10?xCux(0<x≤1.2)可逆儲氫合金。本發明涉及的材料具有高的儲氫容量(3.5wt％以上)和良好的低溫放氫動力學等特性，Cu替代貴金屬Ni降低了材料的使用成本。本發明涉及的制備方法具有工藝溫和、簡單、易控，生產設備投資少，生產過程無污染，易于工業化大規模生產的顯著優點。
安徽工業大學
2021-04-11
高性能W-Cu、Mo-Cu合金
北京科技大學材料科學與工程學院研究開發的高性能W-Cu、Mo-Cu合金是一類采用新工藝制備的金屬功能材料。自1996年以來，本項目得到了國家自然科學基金、國防預研基金等大力支持與資助，歷時6年完成。采用先進的活化工藝對原材料粉末進行處理，再采用特殊的固結手段，制備出的W-Cu、Mo-Cu合金性能達到了國際先進水平。它兼有鎢（或鉬）與銅的綜合性能，例如高的導熱性、優異的高溫強度、良好的抗震性、抗燒蝕、抗高溫氣體腐蝕性、以及可調節的熱膨脹系數等。W-Cu合金的密度為16.36g/cm3，熱膨脹系數為7.2×10-6/℃，熱導率為182Wm-1K-1，彈性模量為274.6GPa，全部達到或超過了進口件的性能，已用于我國國防和電子和民用工業部門。 由于W-Cu、Mo-Cu合金具有其它材料所不具備的優異性能，因此可以在眾多的領域得到廣泛的應用。例如在電子通訊領域可以用于散熱與熱沉材料、電子封裝材料，在工業電氣領域可以用于真空觸頭，在航空航天領域可用于尾部噴管喉襯、燃氣舵，在地質勘探與石油領域可用于巖石破碎彈的藥型罩等。
北京科技大學
2021-04-11
Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應用
本發明公開了一種 Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應用。所述 Ni 納米線為平均長度 50,000 至 200,000nm 的超長納米線；其制備方法為：首先配置 Ni 納米線液相生長液；然后在外加磁場下制備 Ni 納米線單質；最后分離純化 Ni 納米線。所述 NiO/Ni 自支撐膜包括所述 Ni 納米線及其煅燒制得的表面為 NiO 的 Ni 納米線；其制備方法為：首先將所述 Ni 納米線分散在表面活性劑溶液中；然后抽濾將 Ni 納米線轉移到微孔濾膜上，制得 Ni 自支撐膜；最后將
華中科技大學
2021-04-14
Ni基多元合金復合涂層技術
技術簡介
在海洋、石油、造紙等行業工作的關鍵零部件，承受嚴重的腐蝕、磨損交互作用，工作環境惡劣，服役壽命短。本技術設計了系列鎳基多元合金及高熵合金材料，計算混合焓、混合熵、以及合金化熱力學和動力性分析，調控Cr、Mo、Al含量提高耐蝕性，調控原子半徑差異性，提升固溶強化效應，獲得以FCC/BCC簡單固溶體結構為主的兼具耐磨耐蝕性能的復合涂層，滿足在沖刷、沖蝕、磨蝕等零部件的表面強化技術需求。
創新點及性能指標
1、利用大原子半徑的Mo、Al等合金元素的固溶強化效應和熵焓效應，獲得以簡單固溶體結構為主的耐磨蝕涂層。
2、調控Cr、Mo、Al含量，獲得FCC/BCC雙相結構和細晶組織，改善Cr的擴散能力，提高涂層的鈍化性能。
山東科技大學
2021-05-11
新一代高速列車接觸線用Cu-Ag系、Cu-Cr系合金
高速列車具有安全性好、正點率高、快速等優點。能有效地改善交通環境, 帶動國民經濟的發展。20世紀60年代以來, 隨著鐵路電氣化的高速發展, 鐵路運輸一再提速, 對于電氣化鐵路用接觸線的性能要求越來越高, 因為在電氣化鐵路運行過程中, 接觸導線不僅要承受較大的懸掛張力, 同時還經受著通過電流時引起的熱作用。因此, 材料要求在具有良好導電性能的同時還應具有高的抗拉強度, 而且在電流負荷增大、溫度升高時仍然要保持較高的強度。接觸線既要提供高速列車所需的動力、照明和空調等用電, 又要承受較大的軸向拉力, 同時還可能工作在極冷、極熱、腐蝕性強等環境中,總的來說, 電力傳輸線必須具有以下性能: 能夠滿足高速列車速度和電流的要求, 具有足夠的抗拉強度來承受振動, 高導電率, 耐磨性好, 耐熱性好, 抗軟化溫度高, 軟化處理(300℃保溫2 h) 后其常溫抗拉強度不小于初始態的90% , 抗大氣腐蝕性能好,線膨脹系數小。我國鐵路廣深線、京鄭線等都大量或全部使用了法國或德國產品, 花費了大量外匯。因此，對國產銅及銅合金接觸線的研制開發具有重大的經濟價值。本研究開發的析出強化型Cu-Ag系、Cu-Cr系合金已經能夠滿足工業化生產的需要。 主要性能指標 1.抗拉強度σb>580MPa； 2.延伸率>5%； 3.導電率>75%IACS； 4.設計使用壽命：15年。
上海理工大學
2021-04-11
金科
納米晶超細晶金屬材料（鋁及鋁合金、銅及銅合金、鈦及鈦合金、鋼鐵等）;高熵合金（輕質高強高熵合金、高溫高熵合金、納米晶高熵合金等）;金屬材料的增材制造，即3D打印（力學超材料、復雜結構的功能梯度材料等）;先進工模具材料（高端粉末冶金工模具鋼、納米硬質合金等）
1. 遠程激光充電系統研究(BK20130036), 江蘇省自然科學基金杰出青年基金, 2014-2016, 主持.
2. 激光遠程能量傳輸系統關鍵技術研究(51377080), 國家自然科學基金面上項目, 2014-2017, 主持.
3. 高效率高動態特性開關電容調節器研究(51007038), 國家自然科學基金青年基金, 2011-2013, 主持.
4. 激光非接觸充電系統研究(133218110015), 高等學校博士學科點專項科研基金(博導類), 2014-2016, 主持.
5. 數據中心供電系統研究(131056), 霍英東教育基金會基礎性研究課題, 2012-2014, 主持.
6. 無人機激光遠程充電系統(2013ZC52035), 航空科學基金, 2013-2015, 主持.
7. 新能源直流微網接口變換器研究(2014-DZXX-017), 江蘇省“六大人才高峰”高層次人才培養人選, 2015-2017, 主持.
8. 風光氫聯合供電系統的研究, 工信部留學人員科技活動擇優資助項目, 2009, 主持.
9. 高效率高功率密度數字控制電壓調節模塊, 南京市留學人員科技活動擇優資助項目, 2009, 主持.
10. 風光氫聯合供電系統, 教育部留學回國人員科研啟動基金, 2010, 主持.
11. 分布式基站直流遠程供電系統研制(BY2012016), 江蘇省產學研聯合創新資金--前瞻性聯合研究項目, 2012-2014, 主持.
12. 開關電容電壓調節器的研究(DREG2009010), 臺達電力電子科教發展基金, 2009-2011, 主持.
13. 基于直流微網的雙向AC/DC變流器研究, 光寶電力電子技術科研基金, 2013-2016, 主持.
14. 無線激光充電系統研究, 南京航空航天大學杰出人才培育基金, 2013-2017, 主持. 15. 航空電源仿真系統與航空用三電平變換器, 國際合作項目—美國伊頓電氣股份有限公司, 2012-2013, 主持.
1. “高效率高功率密度高可靠性電力電子變換若干關鍵基礎理論”獲2014教育部自然科學獎一等獎（排名第三）；
2. 博士學位論文“燃料電池供電系統的研究”獲得2009年全國優秀博士學位論文提名獎；
3. 論文“An improved ZVS PWM three-level converter”獲得南京市第八屆自然科學學術論文一等獎。
專利:
1. 陳乾宏, 吳扣林, 金科, 阮新波, 用于LLC諧振系列拓撲磁集成變換器, 中國發明專利, ZL 2007 1 0192354. 0.
2. Ming Xu, Ke Jin, and Fred C. Lee, Switching capacitor-PWM power converter, United States Patent, US 8,331,110.
3. 王偉, 金科, 太陽能光伏與市電聯合供電系統及其控制方法, 中國發明專利, ZL 2010 1 0263033.7.
4. 金科, 曹文靜, 一種反激式開關電容調節器, 中國發明專利, ZL 2011 1 0002669.0.
5. 金科, 曹文靜, 徐明, 一種正激式開關電容調節器, 中國發明專利, ZL 2011 1 0002666.7.
6. 金科, 顧玲, 一種對集成變壓器勵磁電感電流進行采樣的電路及方法, 中國發明專利, ZL 2012 1 0005330.0.
7. 劉志軍, 金科, 虞曉陽, 磁集成自驅動倍流整流半橋三電平直流變換器, 中國發明專利, ZL 2012 1 0060184.1.
8. 顧玲, 金科, 軟開關隔離型開關電容調節器, 中國發明專利, ZL 2012 1 0129294.9.
9. 金科, 顧玲, 軟開關非隔離型開關電容調節器, 中國發明專利, ZL 2012 1 0176331.1.
10. 孔月萍, 金科, 光伏發電系統中高效隔離直流變換器系統, 中國發明專利, ZL 2012 1 0382327.0.
11. 金科, 顧玲, 單級式隔離型三相雙向AC/DC變換器及其控制方法, 中國發明專利, ZL: 2013 1 0162162.0.
12. 金科, 劉暢, 任小永, 方天治, 王健, 多支路兩級式三相光伏并網逆變器的啟動方法, 中國發明專利, ZL: 2013 1 0226199.5.
13. 金科, 劉暢, 一種高電壓變比雙向直流變換器及其控制方法, 中國發明專利, ZL 2013 1 0242295.9.
14. 金科, 虞曉陽, 劉暢, 一種針對半橋三電平直流變換器的電容電壓控制電路, 中國發明專利, ZL 2013 1 0704910.3.
金科
2021-06-23