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功率MOS器件設(shè)計(jì)和制備技術(shù)
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、汽車電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場(chǎng)份額。本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS領(lǐng)域累計(jì)授權(quán)發(fā)明專利超過(guò)50項(xiàng)，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號(hào)近百種。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過(guò)采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過(guò)程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
新型硅基環(huán)柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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大尺寸均勻單層MoS2可控制備
單層半導(dǎo)體性過(guò)渡族金屬硫?qū)倩衔铮∕X2:MoS2, WS2等）是繼石墨烯之后備受關(guān)注的二維層狀材料。該類材料具有優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)、強(qiáng)的光物相互作用、高效的催化特性等優(yōu)點(diǎn)，在光電子學(xué)器件、傳感器件、電催化產(chǎn)氫等領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。單層MX2材料的批量制備和高品質(zhì)轉(zhuǎn)移是關(guān)鍵的科學(xué)問(wèn)題?，F(xiàn)有方法仍面臨著諸多重大挑戰(zhàn)，例如， 難以實(shí)現(xiàn)晶圓尺寸的層數(shù)均勻性、單晶疇區(qū)小、生長(zhǎng)速度緩慢、生長(zhǎng)襯底價(jià)格昂貴、轉(zhuǎn)移過(guò)程復(fù)雜、容易引入污染物等。 北京大學(xué)研發(fā)課題組是國(guó)內(nèi)較早開展相關(guān)研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產(chǎn)氫應(yīng)用方面取得了一系列重要進(jìn)展：基于范德華外延的機(jī)理，他們?cè)诰Ц衿ヅ涞脑颇富咨鲜状潍@得了厘米尺度均勻的單層MoS2(Nano Lett. 13, 3870 (2013))；在藍(lán)寶石上獲得了大疇區(qū)單層WS2(ACS Nano 7, 8963(2013))；發(fā)展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實(shí)現(xiàn)了疇區(qū)尺寸可調(diào)單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術(shù)建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態(tài)、電子結(jié)構(gòu)和電催化析氫之間的構(gòu)效關(guān)系。
北京大學(xué)
2021-02-01
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柔性儲(chǔ)能器件及傳感器件
利于層狀納米材料比表面積大的特點(diǎn)，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級(jí)電容器，及葡萄糖傳感器。超級(jí)電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點(diǎn)亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國(guó)際先進(jìn)水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重慶大學(xué)
2021-04-11
揭示單層MoS2能谷直接-間接帶隙轉(zhuǎn)變的研究
利用大面積高質(zhì)量的單層MoS2薄膜，對(duì)其施加了流體靜壓力并進(jìn)行光譜測(cè)量。結(jié)果表明單層MoS2在壓應(yīng)力的作用下，其熒光峰先以49.4 meV/GPa的壓力藍(lán)移，后以15.3 meV/GPa的壓力紅移，這對(duì)應(yīng)著直接-間接能帶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變點(diǎn)壓力為1.9 GPa。
北京大學(xué)
2021-04-11
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磁流變?cè)?em>器件
磁流變液是一種機(jī)敏材料，在外加磁場(chǎng)的作用下，液體的粘度發(fā)生很大的變化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且連續(xù)可控。運(yùn)用磁流液可以制作磁流變剎車、離合器、減振器和阻尼器等高科技磁液變?cè)骷鼈兛梢杂糜谲囕v懸掛系統(tǒng)，土木工程結(jié)構(gòu)抗震、減振及大型能量動(dòng)力設(shè)備的基礎(chǔ)隔振等方面。此外磁流變阻尼器還可用于制成無(wú)級(jí)可調(diào)式健身器材。我們針對(duì)磁流變減振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大學(xué)
2021-01-12
新型FinFET?器件工藝
已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規(guī)FinFET 漏電降低1 個(gè)數(shù)量級(jí)，驅(qū)動(dòng)電流增大2 倍，驅(qū)動(dòng)性能在低電源電壓下達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。由于替代了傳統(tǒng)的源漏SiGe 外延技術(shù)，與極小pitch 的大規(guī)模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術(shù)價(jià)值。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
光學(xué)微腔器件
成果創(chuàng)新點(diǎn) 1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測(cè)方面，分別提出了先進(jìn) 而完善的實(shí)施方案，并申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專利。現(xiàn)有晶體微 腔 Q 值國(guó)內(nèi)最高水平 106，國(guó)外達(dá)到 109，本項(xiàng)目可優(yōu)于 108， 從而達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)水平。 2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線寬激光 器（精密測(cè)量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激 光技術(shù)
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
光學(xué)微腔器件
1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測(cè)方面，分別提出了先進(jìn)而完善的實(shí)施方案，并申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專利?，F(xiàn)有晶體微腔 Q 值國(guó)內(nèi)最高水平 106，國(guó)外達(dá)到 109，本項(xiàng)目可優(yōu)于 108，從而達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)水平。
2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線寬激光器（精密測(cè)量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激光技術(shù)）等小型化器件的技術(shù)原理和實(shí)現(xiàn)方案。與常規(guī)產(chǎn)品相比，體積可縮小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2個(gè)量級(jí)，成本可下降 80%。成果可實(shí)現(xiàn)的光學(xué)微腔器件主要指標(biāo)：研制出光學(xué)晶體微腔，Q 值優(yōu)于 108，根據(jù)用戶要求研制小型化應(yīng)用模塊。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2023-05-17