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項目背景：DFB 半導體激光器是光通信領域中最為重要 的器件之一，目前已經有工業級溫度（-40°C-85°C）25G 波特率 DFB 大規模量產。但是，從 2000 年至今，DFB 激光器 的 3dB 帶寬在全世界范圍內幾乎沒有明顯提高，傳統的基于 載流子和光子響應的 DFB 激光器在傳統的制造工藝下已經趨 近其速率的物理極限，需要用新的物理本質來實現更高速率 的器件，從而進一步提升 DFB 芯片的調制速率和整個光通信 應用的傳輸速率。本項目研發的 50G 波特率 DFB 半導體激光 器將達到國際領先水平，填補國內空白，打破國外壟斷本項 目的實施，應對美國對中國高端材料和芯片的禁售風險。該 產品可在光通信系統中應用廣泛，可以承擔接入網、數據中 心網絡、無線網絡、傳輸網絡等多個方面的主力傳輸工作。 所需技術需求簡要描述：本項目期望突破當前 DFB 調制 速率的瓶頸，在目前大規模量產的 25G 波特率 DFB 的基礎上， 將速度翻一番，到達 50G 波特率。（1） 兩個背靠背 DFB 激 光器產生的光子-光子諧振效應（PPR）研究。（2） 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷載體設計。（3） 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷載體的測試  對技術提供方的要求:1．光電子器件設計領域國際知名 專家，熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本設計。2．完善的 DFB 器件基礎知識和模擬能力。3．國內 985 高校教授，技術方案成熟可靠穩定有創新思維，不涉及知識產權侵犯。 

產品詳細介紹 5.8G室外數字無線網橋/無線數字微波設備（10-15公里無線傳輸） 配置：一臺數字微波主機、一副戶外天線（定向）、PoE網絡供電電源一個（包含防雷接口）訂貨：2臺起訂(成對配對使用)須知： 用戶可以一對一主機、或一對多使用，如果傳輸視頻，需另配備網絡視頻服務器或嵌入式DVR或PC式DVR主機。環境要求：安裝的發射和接收端安裝在制高點，收發天線之間無任何障礙物遮擋。 VS-2454：是世界領先的新一代大容量遠距離點對多點寬帶無線接入系統，它融合了網絡通信和無線傳輸的最新技術與成果，采用了全新的動態TDM分時傳輸協議來實現無線傳輸效率的最大化。通過先進靈活的用戶和業務優先級、用戶保障速率/最高速率（CIR/MIR）的設置，為廣大用戶提供完整的QoS和帶寬保障機制，實現數據和實時業務混傳的能力。自適應天線極化選擇、OFDM和QAM調制等多項輔助技術，又全面提升了寬帶無線網絡的組網能力和服務品質，能支持最高54Mbps的物理層空中傳輸流量。系統由中心點（CAP）、用戶站（CPE）和網管系統組成，采用運營商級的設計，性能優異，部署靈活，功能豐富。  VS-2454能為電信運營商、行業和企業用戶提供快速廉價的無線寬帶接入、無線VPN、無線視頻和無線VoIP等接入服務，廣泛適用于網吧或話吧Internet和VoIP電話接入；公眾、校園、酒店和小區等寬帶網無線接入；銀行、稅務、醫療、保險等行業無線專網應用；視頻圖像監控以及WLAN熱點覆蓋上連等多種應用場合。 產品特點 支持點對多點組網，可非視距傳輸 20MHz信道帶寬，高達20Mbps多用戶接入有效數據業務帶寬 10/100Base-T自適應以太網接口（PoE） 數據和實時業務混傳能力，靈活的QoS和帶寬管理機制 多扇區靈活組網，支持Web或SNMP集中管理 支持空中遠程軟件升級和配置 優勢特性  1.    理想的無線寬帶接入手段 高帶寬容量的CAP及多種角度天線選擇，可減小基站（最多6個CAP）投入數量，降低CAPEX投入  支持WEB和SNMP集中管理，簡單的機房維護，有效地降低了OPEX運營成本  可選擇不同增益的CPE天線，增加覆蓋半徑，充分利用CAP的帶寬，減小帶寬浪費和網絡重復建設  支持無線VPN、無線VoIP、無線視頻等多種應用業務  支持4.9GHz到5.9GHz的所有頻段，5MHz步進  2.    靈活的業務和用戶QoS控制策略 可設定5種不同的CPE用戶優先級，保證高優先級CPE的服務質量  支持VLAN透傳，也可依據VLAN Tag設置4種不同的業務優先級  提供實時業務保障，可依據CPE ID、IP地址、協議類型和端口范圍為語音、視頻、普通數據業務配置4種不同的業務優先級，控制VoIP等實時業務的傳輸質量和時延特性  3.    高效實用的用戶帶寬管理機制  36Mbps物理層速率，多用戶情況下系統可保障最大20M的有效業務吞吐率  內置天線覆蓋半徑5Km，外置天線覆蓋半徑可達15Km，并且系統的帶寬容量和距離無關  單扇區最多支持10個CPE，每個CPE可設置不同的保證帶寬  通過WEB動態配置每個CPE的上下行的保障速率  4.    強大的業務支持能力  單CAP最多可支持128路高質量IP電話業務，話音的平均MOS值> 4.0，話音分組丟包率小于0.01%  高上行帶寬，支持多用戶大流量上行視頻流匯聚  支持數據、各種語音（G.711，G.729，G.723，etc.）、視頻等業務的混合傳輸  5.    環境適應力強  智能ARQ機制，抗干擾、雨衰，保證誤幀條件下系統仍可正常穩定可靠地工作  系統采用OFDM調制方式，可支持一定的非視距（NLOS）功能  6.    供電及穩定的設備結構  CAP和CPE均采用PoE網線供電方式，安裝便捷  設備采用一體化設計模式，可靠性高 深圳市偉福特科技有限公司地址:廣東省深圳市龍華民治大道222號東邊商業大廈507房        郵編: 518131國內招商經理: <鄧曉妍 >    手機:13794483411          電話：0755-66803526    QQ: 1375760905 郵箱:v1375760905@163.com      網址:  http://www.szvfd.com

產品詳細介紹★2.0聲道全頻音箱放大器、麥克風音量與音樂音量獨立調節、一路音頻輸入、一路錄音輸出、安裝調試簡單、擴音清晰、性能穩定。

服務教育行業，緊跟電教發展新潮流 保護教師金嗓子，徹底告別講課拼嗓門的歲月 解放三尺講臺束縛，倡導移動教學新理念 ? 產品推薦 手持終端集PPT翻頁、激光教鞭、無線話筒于一身； 新一代2.4G技術，創新信號處理程序，超強抗WIFI干擾； 綠色安全節能，超低輻射，超低功耗； 智能化設計，即插即用，隨開隨用； 便攜式接收機，針對移動使用設計，特別適合手提電腦連接使用。 出彩教學 多彩選擇 技術參數 接收機： 頻率范圍：2.4~2.483MHz 頻率響應：50Hz~12KHz 調制方式：O-QPSK，BT=0.5Gaussian 連接方式：ID對碼，自動連接鎖定 接收方式：雙向2.4G短波跳頻 靈敏度：-82dBm(1%BER) 信噪比：≥110dB 諧波失真：≤0.5% 音頻輸出：平衡輸出和不平衡輸出 電源：AC 9V 500mA 發射機: 頻率范圍：2.4~2.483MHz 頻率n向應：50Hz~12KHz 調制方式：O-QPSK，BT=0.5Gaussian 發射功率：2.5mW 鏈接方式：ID對碼，自動連接鎖定 傳輸方式：雙向2.4G短波跳頻 連接時間：20小時 供電方式：3.7V聚合物鋰電池 電池容量：1200mAH 電池充電時間：約4小時 工作范圍：≥50米 溫度范圍：-30~50℃ 重量：70g 尺寸：108mmx33mmx2lmm 結構及功能圖 接收機 ①音頻輸出口 ②標準USB接口 ③miniUSB接口 ?? 發? 射 ①MIC輸入接口 ②充電及數據升級接口??? ③激光光源孔??? ④MIC拾音口??? ⑤對頻顯示，對頻時閃亮，對頻成功長亮 ⑥電池電量顯示??? ⑦音量顯示 ⑧靜音顯示 ⑨激光教鞭鍵 ⑩音量調節鍵 11?靜音鍵 12?PPT翻頁鍵 13?開關

產品詳細介紹產品技術專門為適應教學互動需求開發的一拖二無線教學麥克風。采用雙通道2.4G無線數據傳輸技術，音頻傳輸過程中采用ID 碼加密傳輸技術，調制/解調過程全數字化。產品具有高清的音質、抗干擾性強、通用性好的優點，徹底杜絕傳統模擬無線麥克風竄頻現象的發生。與教室內現有的功放設備方便的組成無線擴音教學系統。接收器外觀以及功能1. 接收器為無線2.4G數字雙通道設計。通過電源開關的通道選擇功能，可選擇使用麥克風單雙工作模式。每組通道接收器只有唯一的ID 碼，互不干擾。當開關撥到A位時，為A通道單獨工作模式。供一支麥克風使用。當開關撥到A+B時，為雙通道（A+B）工作模式，可供兩只麥克風同時使用。2. 當接收機處于開機通電后，各自頻道的接收器自動處于等待對頻工作狀態。相應的指示燈處于閃亮狀態，發射器對頻成功時相應的頻道指示燈常亮，不再接受其他對頻請求。3. 用Φ6.5mm音頻過機線將接收器的音頻信號輸入到功放設備。4. A、B通道分別為獨立天線。當遇到接收器需要收納于鐵制講臺的情況時，請選用我們為大家準備好的延長貼片天線，避免無線信號被屏蔽的缺陷。使用者可根據自己的喜好，選用我們為大家研制的領夾式以及筆形兩款麥克風。兩款麥克風可相互通用，任意選擇搭配。請聯系我們提供詳細資料

產品詳細介紹管式紅外碳硫分析儀器1HW-G型1HW-G型管式紅外碳硫分析儀配合高溫管式爐能快速、準確地測定鋼鐵、合金、有色金屬、稀土金屬、水泥、礦石、焦炭、煤、爐渣、陶瓷、催化劑、鑄造型芯砂、鐵礦、無機物及其它材料中碳、硫兩元素的質量分數。該產品是國際、國內先進技術融合的結晶．是集光．機、電、計算機、分析技術于一體的高新技術產品，多項技術國內領先，整機性能可與進口產品相媲美。具有測量范圍寬、抗干擾能力強、功能齊全、操作簡單、分析結果快速準確等特點。主要技術參數★測量范圍：碳：ω（C）0.001%—6.000%(可擴至99.999%)硫：ω（S）0.0005%—2.000%(可擴至99.999%)★分析誤差：碳優于國標GB/T223.69—2008硫優于國標GB/T223.68—1997★分析時間：25—60秒可調，一般在35秒左右。★電子天平：稱量范圍：0—120g讀數精度：0.001g★工作環境：室內溫度：10-30℃相對濕度：小于75%主要特點★采用低噪聲、高靈敏度、高穩定性的紅外探測器。★整機模塊化設計，提高了儀器的可靠性。★電子天平自動聯機。★WINDOWS全中文操作界面，操作方便，易于掌握。★軟件功能齊全，提供文件幫助、系統監測、通道選擇、數理統計、結果校正、斷點修正、系統診斷等四十多項功能。★動態顯示分析過程中的各項數據和碳、硫釋放曲線。★測量線性范圍寬，并可擴展。★特制高溫管式爐，溫度可調，適合于不同材質樣品分析要求。★高效合金除塵器，最大限度減少粉塵干擾。★測量線性范圍寬，并可擴展。

產品詳細介紹g1 JSQ-ⅡA型單功能自動噴液凈手器       產品介紹：　　本系列產品手消毒器是適應“GMP”制藥﹑食品生產企業﹑生物制品無菌﹑潔凈室的生產要求；醫院手術室﹑病區﹑計生站等環境的消毒技術要求；金融﹑賓館﹑飯店﹑機關企事業單位的衛生要求而專業制造。主要特點： l紅外線感應控制，自動噴淋殺菌。l可清洗藥液瓶，從根本上杜絕了交叉感染，持續殺菌，可供多人連續使用。l用戶自定用量，有效的節約消毒液和水資源，是一種節能型環保產品。l安裝簡便，壁掛在水池上即可。技術參數：l型號：JSQ-ⅡAl藥液容量：1500mll主要功能：消毒l環境溫度：5℃-40℃l環境濕度：≤80%l感應距離：8-12CMl安全類型：II類l工作方式：間斷工作l功率：≤20Wl額定電壓：AC220-240V±10% 50/60HZl凈重/毛重：2.3KG/3KGl外形尺寸：233*150*375(mm)l掛孔直徑：Φ6mml掛孔間距：130mm應用范圍： l醫院的手術室、病區、護士站、病房等醫護人員的消毒和處理。l“GMP”制藥企業、食品生產企業、生物制品、無菌、潔凈室的操作人員的消毒和處理，銀行、儲蓄所人員的手部消毒及賓館、飯店、機關企事業單位使用。

實驗內容 1、了解脈沖回波超聲測量的原理，掌握超聲波成像基本原理及超聲成像的應用； 2、采用回波幅度 B 型圖像顯示方法，研究物體剖面超聲波圖像； 3、有機玻璃試塊為樣品，利用物體表面及內部的反射波成像，模擬海洋地貌測繪、地殼測量和地藏勘探等實用技術。

推薦用于遠程辦公場景，適用于教育、企業、醫療等行業，搭配銳捷三擎云終端使用 產品特性： 銳捷遠程辦公云空間，U空間解決方案 順應時代、抗擊疫情，多種終端，隨時隨地，全量環境，遠程辦公 遠程辦公場景，全局安全無憂 更低綜合成本，更少碳排放 銳捷遠程辦公云空間U空間-Unified WorkSpace統一工作空間 多種終端，隨時隨地，遠程辦公 受訪終端：IDV/VDI/TCI銳捷三擎云終端 訪問終端：電腦、手機、銳捷云終端等終端 桌面畫質：(HD模式)2K畫質 (流暢模式)低至1Mb帶寬 整合CMS云盤：企業云盤隨行，文件輕松分享 遠程開關桌面：IDV桌面遠程喚醒、關機、重啟 文件形式訪問桌面：文件上傳/下載/預覽，客戶端支持本地編輯、即刻同步 遠程辦公場景，全局安全無憂 賬號權限、數據、行為的企業級全局安全，每位U空間用戶都可管可控可查，杜絕資料、數據外泄，遠程辦公安全無憂。 賬號權限安全,數據安全,行為安全 更低綜合成本，全量環境隨行 低成本云化，隨用隨連，隨用隨開，跨廣域網訪問各類銳捷云終端，全量環境(數據、應用、桌面、CMS云盤)隨行，隨時隨地遠程辦公，大幅節約云化、數據遷移及通勤成本等綜合成本。

寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線