一種單相α-Si3N4超細(xì)粉體及其制備方法
本發(fā)明涉及一種單相α?Si3N4超細(xì)粉體及其制備方法。其技術(shù)方案是:先將5——30wt%的單質(zhì)硅粉、15——45wt%的固態(tài)氮源和40——80wt%的鹵化物粉混合均勻,制得混合物;再將所述混合物置入管式電爐內(nèi),在氮?dú)鈿夥障乱?——10℃/min的升溫速率升至1000——1300℃,保溫2——6小時(shí);然后將所得產(chǎn)物用去離子水反復(fù)清洗,直至分別用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出現(xiàn)白色沉淀為止;最后在110℃條件下干燥10——24小時(shí),即得單相α?Si3N4超細(xì)粉體。本發(fā)明具有反應(yīng)溫度低、成本低、合成工藝簡(jiǎn)單、過(guò)程易于控制、產(chǎn)率高和產(chǎn)業(yè)化前景大的特點(diǎn);所制備的單相α?Si3N4超細(xì)粉體粒度為100——500nm,無(wú)雜相、活性高、顆粒團(tuán)聚小和粒度分布均勻。
(注:本項(xiàng)目發(fā)布于2015年)
武漢科技大學(xué)
2021-01-12