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硅基GaN功率開關器件
寬禁帶半導體硅基GaN器件以其高效率，高開關速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當前國際功率半導體器件與技術學科的研究前沿及熱點，也是業界普遍認可的性能卓越的下代功率半導體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發展初期的成本牦頸且易與S集成電路產業鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數據中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰略新興領城具有巨大的應用前景。電子科技大學功率集成技術實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎研究與應用技術開發。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調控功率二圾管導通電壓調控與耐壓可靠性加查等關鍵技術瓶頸,研究成果為硅基GaN的產業化奠定了重要基礎。
電子科技大學
2021-04-10
GaN?基高壓?LED
可以量產/n高壓LED是多個LED單元的芯片級串聯，互連比多個小功率管芯打線互連更為可靠；且LED單元之間間距很小，光線集中，便于光學設計，可用于高光密度照明，路燈、廣場照明和舞臺聚光照明等。幾個高壓LED串聯后可直接達到市電電壓水平，變壓能耗小，驅動設計簡單，可用于各種市電照明場合，例如室內照明、園區和工作場所照明等；高壓LED能減小驅動電路、光學設計和散熱部分的體積，因此 可采用多種燈具形式和適用多種安裝場合。
中國科學院大學
2021-01-12
GaN微顯示技術
北京工業大學
2021-04-14
垂直結構?GaN?基?LED
可以量產/n在垂直結構LED芯片的工藝流程中，其剝離下來的藍寶石襯底可以回收后重復利用多次，藍寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結構LED發光效率可以達到121.57m/W@350mA隨著技術的不段進步，近幾年最受人們關注的是固態通用照明領域的高亮度大功率LED應用，然而這種應用卻受到藍寶石異質襯底所帶來的一系列技術問題的限制。除去了藍寶石襯底的垂直結構LED芯片具有優良的光電熱方面的性能，能滿足固態通用照明對其性能的要求，采用垂直結構LED方案是固態通用照明技術發展的 必然
中國科學院大學
2021-01-12
針對下一代功率半導體GaN器件的高頻柵驅動電路設計技術
上限低，可反向導通，dv/dt擾動和di/dt擾動等。該項成果設計出適用于N型常關GaN器件的半橋柵驅動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅動電壓振鈴現象的發生和dV/dt現象對柵驅動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術，在自舉充電路徑中對BOOT電容進行鉗位，防止對上開關管的損壞。 半橋GaN柵驅動電路主要指標為： ？ 獨立的高側和低側TTL邏輯輸入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉電流 ？ 高端浮動電壓軌到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉電阻 ？ 快速的延遲時間 (28ns typ) ？ 非常優越的延時匹配（1.5ns typ）
電子科技大學
2021-04-10
針對下一代功率半導體GaN器件的高頻柵驅動電路設計技術
該項成果設計出適用于N型常關GaN器件的半橋柵驅動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅動電壓振鈴現象的發生和dV/dt現象對柵驅動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術，在自舉充電路徑中對BOOT電容進行鉗位，防止對上開關管的損壞。
電子科技大學
2021-04-10
高可靠憶阻器件及其視聽覺傳感應用
技術成熟度：技術突破
傳統CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測、存儲、處理等多個分立系統構成，不可避免的增加了集成電路的復雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲器件、存算一體化技術及人工神經網絡等領域有著巨大應用潛力。
研發團隊發展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統人工視聽覺系統在容量、集成度、速度等方面的技術瓶頸問題，是實現高效智能視聽覺傳感系統的基礎。研發團隊首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽覺系統中模擬了速度檢測的多普勒頻移信息處理，進而實現高通濾波和處理具有相對時序和頻移的尖峰數據。這些結果為視聽覺運動感知的模擬提供了新機會，促進了其在未來神經形態傳感領域的應用。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
AlGaN/GaN合金歐姆接觸新途徑
AlGaN/GaN HEMT器件具有較高的電子遷移率二維電子氣2DEG，在射頻以及功率器件中有極大的應用前景。由于降低金屬半導體的歐姆接觸電阻對降低器件源漏電極寄生電阻起到關鍵作用，直接影響到器件的源漏輸出電流、導通電阻、擊穿電壓等性能參數，高質量的低歐姆接觸在AlGaN/GaN射頻器件的開發中尤為重要。 于洪宇課題組訪問學生范夢雅介紹，傳統的Ti/Al多層膜常被應用到無金歐姆接觸工藝
南方科技大學
2021-04-14
Si基GaN功率半導體及其集成技術
隨著便攜式電子設備的快速發展，將微型電子設備運用到可穿戴設備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統的硬質電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設備的儲能問題，是實現這些可能性的重要因素之一。 本成果設計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術
電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10