|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種 Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應(yīng)用。所述 Ni 納米線為平均長度 50,000 至 200,000nm 的超長納米線；其制備方法為：首先配置 Ni 納米線液相生長液；然后在外加磁場下制備 Ni 納米線單質(zhì)；最后分離純化 Ni 納米線。所述 NiO/Ni 自支撐膜包括所述 Ni 納米線及其煅燒制得的表面為 NiO 的 Ni 納米線；其制備方法為：首先將所述 Ni 納米線分散在表面活性劑溶液中；然后抽濾將 Ni 納米線轉(zhuǎn)移到微孔濾膜上，制得 Ni 自支撐膜；最后將
華中科技大學
2021-04-14
一種鋁基復合材料用 Al-Si-Ti 系三元活性釬料
一種對可改善鋁基復合材料潤濕性的Al-Si-Ti系三元活性釬料；其成分為：7~14%Si，0.1~1.2%Ti，余Al；施焊時，預置后適當加壓，再加熱至約610℃。對體積分數(shù)為30%的氧化鋁短纖維強化的純鋁基復合材料采用Al-12Si-0.5Ti釬料可獲得接頭有效系數(shù)達99%以上的優(yōu)質(zhì)接頭，遠遠優(yōu)于現(xiàn)有各文獻報道的焊接效果。
西安交通大學
2021-04-11
Ni基多元合金復合涂層技術(shù)
技術(shù)簡介
在海洋、石油、造紙等行業(yè)工作的關(guān)鍵零部件，承受嚴重的腐蝕、磨損交互作用，工作環(huán)境惡劣，服役壽命短。本技術(shù)設(shè)計了系列鎳基多元合金及高熵合金材料，計算混合焓、混合熵、以及合金化熱力學和動力性分析，調(diào)控Cr、Mo、Al含量提高耐蝕性，調(diào)控原子半徑差異性，提升固溶強化效應(yīng)，獲得以FCC/BCC簡單固溶體結(jié)構(gòu)為主的兼具耐磨耐蝕性能的復合涂層，滿足在沖刷、沖蝕、磨蝕等零部件的表面強化技術(shù)需求。
創(chuàng)新點及性能指標
1、利用大原子半徑的Mo、Al等合金元素的固溶強化效應(yīng)和熵焓效應(yīng)，獲得以簡單固溶體結(jié)構(gòu)為主的耐磨蝕涂層。
2、調(diào)控Cr、Mo、Al含量，獲得FCC/BCC雙相結(jié)構(gòu)和細晶組織，改善Cr的擴散能力，提高涂層的鈍化性能。
山東科技大學
2021-05-11
Si基GaN功率半導體及其集成技術(shù)
隨著便攜式電子設(shè)備的快速發(fā)展，將微型電子設(shè)備運用到可穿戴設(shè)備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統(tǒng)的硬質(zhì)電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設(shè)備的儲能問題，是實現(xiàn)這些可能性的重要因素之一。 本成果設(shè)計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術(shù)
電子科技大學功率集成技術(shù)實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導體技術(shù)研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10
高性能低成本鑄造Al-Si合金
本成果源自于教育部博士點基金項目和江蘇省自然科學基金項目。鑄造Al-Si合金是兩大傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)材料之一，廣泛應(yīng)用在航空航天工業(yè)，軍事工業(yè)，汽車工業(yè)，電力工業(yè)，機械工業(yè)中。本項目的合金體系是Al-(11.0%-13.0%)Si-(0.3%-0.5%)Mg，屬近共晶類合金。
東南大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術(shù)
特色及先進性；技術(shù)指標 電子科技大學功率集成技術(shù)實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導體技術(shù)研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結(jié)構(gòu)（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結(jié)構(gòu)如圖2所示。新結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結(jié)果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優(yōu)值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08
耐蝕耐磨化學鍍Ni-W-P合金
化學鍍Ni-P具有優(yōu)良的耐腐蝕性能，在工業(yè)生產(chǎn)中獲得了廣泛應(yīng)用。但是，隨著應(yīng)用的增多也出現(xiàn)了一些問題。由于化學鍍層是陰極性的，如在施鍍過程中形成針孔、麻點以及使用過程中外力對鍍層的損壞等，往往造成鍍層在腐蝕介質(zhì)中形成電偶腐蝕，使得鍍層不僅對基體起不到保護作用，反而加速了基體的腐蝕。三元合金Ni-W-P鍍層的出現(xiàn)在一定程度上解決了Ni-P鍍層中所存在的問題。W元素的加入可以提高鍍層的致密性，減小了腐蝕介質(zhì)穿透鍍層在鍍層與基體之間形成電偶腐蝕的幾率。此外，W是一種自鈍化元素，在腐蝕介質(zhì)中有利于鍍層表面鈍化膜的形成，提高了鍍層的耐蝕性能，因此，P的含量相近時Ni-W-P鍍層的耐蝕性能優(yōu)于Ni-P鍍層。但是Ni-W-P鍍層與Ni-P鍍層相比在與基體的結(jié)合力上并沒有提高，在后續(xù)加工過程中如受到一定外力作用時，鍍層很容易脫落，這就使得鍍層的應(yīng)用范圍受到了一定的限制。該技術(shù)針對現(xiàn)有化學鍍層在使用過程中所存在的問題，提出將含有一定量W元素的Ni-W-P鍍層在高溫下進行熱處理，提高鍍層的結(jié)合力和硬度，大幅度提高鍍層的耐蝕耐磨性能，延長鍍層的使用壽命。
華東理工大學
2021-04-11
耐蝕耐磨化學鍍Ni-W-P合金
化學鍍Ni-P具有優(yōu)良的耐腐蝕性能，在工業(yè)生產(chǎn)中被廣泛應(yīng)用。但是，隨著應(yīng)用的增多也 出現(xiàn)了一些問題。由于化學鍍層是陰極性的，如在施鍍過程中形成針孔、麻點以及使用過程中 外力對鍍層的損壞等，往往造成鍍層在腐蝕介質(zhì)中形成電偶腐蝕，使得鍍層不僅對基體起不到 保護作用，反而加速了基體的腐蝕。 三元合金Ni-W-P鍍層的出現(xiàn)在一定程度上解決了Ni-P鍍層中所存在的問題。W元素的加入 可以提高鍍層的致密性，減小了腐蝕介質(zhì)穿透鍍層在鍍層與基體之間形成電偶腐蝕的幾率。此 外，W是一種自鈍化元素，在腐蝕介質(zhì)中有利于鍍層表面鈍化膜的形成，提高了鍍層的耐蝕性 能，因此，P的含量相近時Ni-W-P鍍層的耐蝕性能優(yōu)于Ni-P鍍層。但是Ni-W-P鍍層與Ni-P鍍層 相比在與基體的結(jié)合力上并沒有提高，在后續(xù)加工過程中如受到一定外力作用時，鍍層很容易 脫落，這就使得鍍層的應(yīng)用范圍受到了一定的限制。 該技術(shù)針對現(xiàn)有化學鍍層在使用過程中所存在的問題，提出將含有一定量W元素的Ni-W-P 鍍層在高溫下進行熱處理，提高鍍層的結(jié)合力和硬度，大幅度提高鍍層的耐蝕耐磨性能，延長 鍍層的使用壽命。 可應(yīng)用于換熱器、泵、軸、空冷等耐蝕或者耐磨的場合
華東理工大學
2021-04-11
太陽系模型
450mm×250mm×300mm，八大行星模型，大致區(qū)分大?。ㄖ睆剑?，有公轉(zhuǎn)軌道，可手動操作。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23