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多鐵BiFeO3薄膜反鐵磁序應變調控機制
BiFeO3薄膜反鐵磁序的研究是理解磁電耦合效應和實現電場控制磁性的前提，然而觀測反鐵磁結構實驗手段有限，薄膜中多個鐵彈疇的存在進一步使其分析更為困難。因此，BiFeO3薄膜反鐵磁結構及其應變調控的物理機制一直還存在爭議。 研究發現應變可大幅度調控反鐵磁磁矩朝向，且在大的拉應變作用下反鐵磁磁矩朝向與鐵電極化的垂直關系被打破，結合第一性原理揭示應變對反鐵磁序的調控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和單離子各向異性間相互競爭導致；該工作打破了之前一般認為的Bi
哈爾濱工業大學
2021-04-14
3-胺酰酰腙衍生物及其制備方法和應用
本發明涉及一種具有結構的3?胺酰酰腙衍生物，其中R1、R2基團選自苯基衍生物或吡啶基衍生物。本發明公開了這些化合物的結構以及對農業害蟲的防治效果，同時公開了這些化合物作為殺蟲劑的應用。
青島農業大學
2021-04-13
一周科創資訊｜8月28日-9月3日
一周高等教育科技創新政策、熱點新聞導讀
高教科創
2023-09-04
一種Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制備方法
一種Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制備方法。其技術方案是：將60——85wt％的α-Al2O3、5——15wt％的碳源和10——30wt％的單質硅混合，制得混合料。將100份質量的所述混合料、0.5——2份質量的木質素磺酸銨和0.1——0.6份質量的聚羧酸鹽混合，再與20——30份或30——40份質量的水一起攪拌，制得漿體Ⅰ或漿體Ⅱ。將聚氨酯海綿浸入到漿體Ⅰ中，浸漬后擠壓或甩漿，干燥，得到預處理的泡沫陶瓷坯體；再用漿體Ⅱ進行噴涂，干燥，得到泡沫陶瓷坯體。將所述泡沫陶瓷坯體置入高溫爐內，于埋炭氣氛下，依次以1.5——2.5℃/min、0.5——1℃/min和2.5——3.5℃/min的速率升溫至1300——1500℃，保溫2.5——3.5h，即得Al2O3-SiC泡沫陶瓷。本發明制備的制品強度高、抗氧化性能好和抗熱震性能優良。
（注：本項目發布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
一種單相α-Si3N4超細粉體及其制備方法
本發明涉及一種單相α?Si3N4超細粉體及其制備方法。其技術方案是：先將5——30wt%的單質硅粉、15——45wt%的固態氮源和40——80wt%的鹵化物粉混合均勻，制得混合物；再將所述混合物置入管式電爐內，在氮氣氣氛下以2——10℃/min的升溫速率升至1000——1300℃，保溫2——6小時；然后將所得產物用去離子水反復清洗，直至分別用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出現白色沉淀為止；最后在110℃條件下干燥10——24小時，即得單相α?Si3N4超細粉體。本發明具有反應溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產率高和產業化前景大的特點；所制備的單相α?Si3N4超細粉體粒度為100——500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。
（注：本項目發布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
利用轉爐 LT 灰制備氧化鐵紅（α-Fe 2 O 3 ）
LT 灰中主要含有鐵氧化物（磁鐵礦與赤鐵礦）和硅酸鹽（鐵橄欖石和鈣鐵輝石、透輝石），它們物性差異較大，比磁化率在不同量級，利用其物性差異通過強磁場將鐵氧化物和硅酸鹽等雜質分離，實現氧化鐵的富集與提取。提取后的氧化物再經過低溫改性，即可制備α-Fe 2 O 3 產品。
北京科技大學
2021-04-13
一種In2Se3納米線及其制備方法和應用
本發明提供一種In2Se3納米線及其制備方法和應用。該In2Se3納米線的制備方法包括如下步驟：第二載氣將氣相Se輸送到含有催化劑的襯底上并與In2O3接觸，再通入第一載氣將In2O3還原，然后在所述襯底上沉積生長得到In2Se3納米線。本發明制備方法簡單高效，可以對納米線的均勻度、直徑、長度進行調控，制備得到的In2Se3納米線克服了現有技術中In2Se3納米線短而稀疏的劣勢。
蘭州大學
2021-01-12
良田V1000A3E(加密版)高拍儀數據采集專用
深圳市新良田科技股份有限公司
2021-08-23
良田V1000A3E視頻展臺高拍儀方便視頻教學
深圳市新良田科技股份有限公司
2021-08-23
良田P1000A3S高拍儀多媒體教學首選產品
深圳市新良田科技股份有限公司
2021-08-23