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本項目將巨霍爾效應這一納米體系的新效應應用于器件領域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現有霍爾器件的摻雜半導體活性層材料，是一個全新的技術，取得了多項具有原始創新性的技術成果，進一步推進了納米材料在新材料技術、電子信息技術等領域的應用。相關成果已獲國家發明專利授權九項。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩定性能優異、抗核輻射等優點，在微弱磁場探測、航天器的精確定位、導航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場前景廣闊。

已有樣品/n該項目提供了一種新型低輻射薄膜，分別采用金屬薄銀層來抑制長波長紅外波和短波長紫外波的透射，采用周期性結構來增強可見光波段的透射；對可見光的透射率達到70~96%，對紫外波段的透射率降低到15%、對780nm~1200nm 紅外波段的透射率降低到10%以下、對1200nm~3000nm 紅外波段的透射率降低到25%以下，層數顯著降低，很大程度上縮減了成本，簡化了工藝流程。該項目提供的薄膜具有防紫外線、透明和

產品特點： · 整機功能集成化，外觀簡潔、大方 · 電氣化控制簡潔、實用 · 內部結構采用多分區、模塊化設計，滿足不同工藝下使用要求 · 設備可以整體移動、固定，對于需要在不同環境使用具有較高適用性。 · 操作、維護方便，性能安全可靠 · 可以通過不同的萃取時間、方案，完全模擬出萃取線的過程及其結果 產品應用： · 開發新的薄膜配方和材料 · 測試新的薄膜表面/添加劑 · 驗證薄膜生產工藝條件 · 測試不同萃取方案對于材料的影響 · 萃取后薄膜樣品性能測試 · 小批量薄膜生產 技術參數： · 萃取樣品尺寸規格——850mm×850mm · 樣品薄膜厚度——20 - 5000 μm · 內部分區——3區 · 萃取介質進出——雙泵單獨控制 · 輔助萃取（可選）——強力超聲波發生器 · 設備尺寸—— 1m×1m×1.3m （長×寬×高）

產品特點： · 符合人體工程學設計 · 簡單、直觀的電氣化控制 · 通過循環空氣或紅外加熱，薄膜達到精確、可靠的溫度 · 通過精準的溫度平衡實現完美的工藝控制 · 調試維修方便簡單，使用性能可靠 · 可進行縱向、橫向或在任何位置的雙向同步或異步拉伸 · 可通過不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模擬薄膜拉伸流水線工藝 產品應用： · 開發新的薄膜配方和材料 · 測試新的薄膜表面/添加劑 · 驗證薄膜生產工藝條件 · 測試不同萃取方案對于材料的影響 · 萃取后薄膜樣品性能測試 · 小批量薄膜生產 技術參數： · 設備配置——5鋏子配置 · 推薦的初始樣品膜尺寸——80mm×80mm · 拉伸比率——10：10 · 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含鋏頭區域） · 拉伸樣品膜厚度——20 - 5000 μm · 拉伸速度——500mm/S · 最大夾緊力——1000N · 每一軸拉伸力——2000N · 設備尺寸——4m×2m×2m（長×寬×高） · 拉伸樣品膜加熱系統可到300°C

本成果涉及一種石墨烯在全氟烷氧基樹脂（PFA）聚合物基材中定向排布的導熱新材料。其復合材料熱導率在平行于石墨烯排布方向，可達 25 W/(m·K) 以上，是原聚合物基材全氟烷氧基樹脂（PFA）熱導率的約 100 倍

針對大功率led散熱難題，研制了高導熱的陶瓷金屬復合基板、金屬鋁基板、 導熱硅脂，其中，覆銅A1N基板熱導率五200W/m.K；熱膨脹系數W7. 42X10-6/K； 金屬基板熱阻W2K/W；并對水下等密閉環境下LED的散熱結構進行了優化。研制 的導熱材料和提出的散熱技術方案為3家企業采用，應用于實際生產，解決了生 產中的實際問題。近3年來，研制的鋁基板、導熱硅脂和導熱墊片等高導熱材料 應用于企業生產的100W、120W、150W、180W等大功率LED工礦燈、路燈、隧道 燈等大功率LED燈1萬余件，產值約2000萬元，節約成本約200萬元，同時， 在節能方面產生了巨大的社會效益。實施條件：生產陶瓷金屬復合基板，有兩條技術途徑：熱壓敷接工藝；化學鍍, 前者設備投入較大，工業控制復雜，但產品質量更易控制；后者設備投入少，但 產品質量的穩定性不如前者。因此，低端產品可以采用化學鍍，高端的，產品質 量要求嚴格的檢測采用控制熱壓敷接方法。預算:化學鍍技術，投入30-50萬；熱壓敷接：設備投入100萬左右，隨處理的 量和基板的尺寸而變。

本成果涉及一種石墨烯在全氟烷氧基樹脂（PFA）聚合物基材中定向排布的導熱新材料。其復合材料熱導率在平行于石墨烯排布方向，可達 25 W/(m·K) 以上，是原聚合物基材全氟烷氧基樹脂（PFA）熱導率的約 100 倍。

本項目提出采用常壓流動氣氛燒結制備Ce3+:YAG基熒光陶瓷的技術路線，大幅降低熒光陶瓷的制備成本，打通熒光陶瓷大規模商業化進程的一個最重要環節。 通過復相結構、氣孔控制等手段提高出光效率。同時，為獲得更高光色品質的透明晶態熒光體，正在積極研發Ce3+、Eu2+離子激活分子篩衍生物透明晶態熒光體，獲得紫外激發下具有高效、高猝滅溫度的綠、紅發光新型熒光體。提升高流明密度固態光源的光品質。相比熒光單晶及熒光玻璃，熒光陶瓷在光品質調控上更具優勢；制備成本低、易于實現批量生產；離子價態穩定，基質結構調控自由度大；顯色指數、色溫調制能力強；易于復雜形狀制備，以提高出光效率或實現光場分布設計。

中心通過“裝備與工藝的協同創新”，創新發展了具有自主產權的大科學裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長第三代半導體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國際上報道的不足10%，提升到了27.9%，結束了國際市場上長期缺乏高光效黃光LED的局面。國際同行、諾貝爾獎獲得者中村修二教授高度稱贊這項成果：“硅基黃光LED的技術水平國際領先，這是屬于中國人首次發明的照明技術，它有非常大的價值。”陳良惠院士領銜的12位業內專家，對

最近以來，LED照明以其節能環保等優點，獲得了大規模的應用。以氮化物結構陶瓷相關材料（如AlN，Si3N4）為寄出的氧氮化物熒光粉在保持了高溫、化學和力學穩定性的基礎上，還具有較為優異的光轉換性能，贏得了越來越廣泛的關注。其中， 有潛力應用在紫外激發的白光LED上的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉不僅具有較高的光量子效率，而且與常用的熱淬滅嚴重的BaMgAl10O17:Eu2+ (BAM)相比，具有很高的熱穩定性。但是，目前報道的Eu2+摻雜AlN藍色熒光粉的制備方法（如Dierre B, Yuan X L, Inoue K等， J. Am. Ceram Soc, 2009, 92 (6):1272-1275；Hirosaki N, Xie R J, Inoue K等，Appl. Phys. Lett. , 2007, 91(6): 061101）都是采用高純度氮化物粉體在高溫下通過固相反應合成，要求2050℃的高溫下，10個大氣壓的氮氣壓力，保溫4個小時以上獲得，粉體還要在保護環境中球磨粉碎由于高溫產生的團聚，成本及其高昂，且顆粒尺寸控制困難。探索能夠得到高純度、粒徑均勻可控、發光性能好的熒光粉且成本低的合成方法，對于這類新型材料的研究、應用都具有重要意義。 目前， AlN的合成方法主要有以下幾種: 鋁粉直接氮化法、碳熱還原法、氣相還原氮化法、裂解法、等離子體法、電弧熔煉法、自蔓延高溫合成法、微波合成法，其中前兩種方法已經應用于工業化大規模生產。比較而言，鋁粉直接氮化法為強放熱反應,反應不易控制，反應過程中放出的大量熱易使鋁形成融塊，造成反應不完全，難以制備高純度、細粒度的產品；碳熱還原法制備的氮化鋁粉末純度高、性能穩定、粉末粒度細小均勻、成形和燒結性能良好，但是因為反應物中必須加入稍過量的碳以保證反應完全，這種方法難以避免碳的殘留；而氣相還原氮化法制得的AlN純度高、粉末粒度細小均勻并且大大減少了碳的殘留。而在制備氮化鋁前驅體時溶膠-凝膠法又以成分易分布均勻、顆粒細小勝過固相混合法。我們首次利用檸檬酸做絡合劑，通過溶膠凝膠法制備Eu2O3和Al2O3均勻混合的反應前驅體，結合氣相還原氮化法的方法來合成AlN：Eu2+熒光粉，如下圖。這種制備方法成本低，且具有很強的普適性，可應用于合成其他高純氮化物應該材料。 該方法解決了生產氮化物熒光材料中需要高純氮化物作為起始粉料成本高等劣勢，利用價格低廉，原料易得的氧化物作為原料，合成出所需的氮化物熒光材料。而且此方法反應活性高，低溫下得到顆粒大小均勻，發光穩定可控的發光材料，節約后處理成本。