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北大科研團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)》雜志發(fā)表的成果，標(biāo)志著碳管電子學(xué)領(lǐng)域、以及碳基半導(dǎo)體工業(yè)化的共同難題被攻克。科研團(tuán)隊(duì)表示，如果碳基信息器件技術(shù)，可以充分利用碳管在物理、電子、化學(xué)和機(jī)械方面的特殊優(yōu)勢，就有希望生產(chǎn)出性能優(yōu)、功耗低的芯片。課題組采用多次聚合物分散和提純技術(shù)得到超高純度碳管溶液，并結(jié)合維度限制自排列法，在4英寸基底上制備出密度為120 /μm、半導(dǎo)體純度高達(dá)99.9999%、直徑分布在1.45±0.23 nm的碳管陣列，從而達(dá)到超大規(guī)模碳管集成電路的需求。?基于這種材料，批量制備出場效應(yīng)晶體管和環(huán)形振蕩器電路，100nm柵長碳管晶體管的峰值跨導(dǎo)和飽和電流分別達(dá)到0.9mS/μm和1.3mA/μm（VDD=1 V），室溫下亞閾值擺幅為90mV/DEC。

一、研究背景 熱浸鍍鋅是用于鋼鐵材料腐蝕防護(hù)最主要的方法之一。為了應(yīng)對(duì)現(xiàn)代科技對(duì)鋼鐵耐腐蝕性日益增長的要求，歐美、日韓等一些發(fā)達(dá)國家先后研發(fā)出了一批具有高耐腐蝕性的熱浸鍍用Zn-Al系合金材料（見表1），尤其是Zn-Al-Mg合金具有優(yōu)異的耐腐蝕性，如日本新日鐵公司開發(fā)的SuperDyma合金鍍層，耐蝕性大約為普通純鋅鍍層的15倍以上，可與部分不銹鋼相媲美，但是成本遠(yuǎn)低于不銹鋼產(chǎn)品，具有極大的市場價(jià)值。 我國是世界上最大的熱鍍鋅板生產(chǎn)國，而山東省的熱鍍鋅板產(chǎn)能位居全國第一，但絕大部分為普通鍍鋅板，以及少量的鍍鋁鋅硅板產(chǎn)品。因此，研究和開發(fā)高耐腐蝕性Zn-Al-Mg合金鍍層材料，對(duì)山東省鋼鐵材料產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)具有非常重要的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)價(jià)值。 二、項(xiàng)目內(nèi)容 本項(xiàng)目系統(tǒng)研究了Ti, Sb元素對(duì)熱浸鍍Zn-11Al-3Mg合金組織與性能的影響。通過XRD對(duì)Zn-11Al-3Mg-Ti-Sb合金試樣進(jìn)行了物相分析，通過SEM和EDS觀察和分析了合金試樣的組織結(jié)構(gòu)，通過洛氏硬度計(jì)測量分析了合金試樣的硬度性能，通過電化學(xué)阻抗分析和電化學(xué)極化分析，研究了不同含量Ti、Sb元素對(duì)合金耐腐蝕性能的影響，并在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了鋼板熱浸鍍實(shí)驗(yàn)。 三、項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化可行性分析 前已述及，本項(xiàng)目市場前景非常廣闊，目前日韓等國生產(chǎn)的熱浸鍍Zn-Al-Mg板材在國內(nèi)市場已有銷售，售價(jià)比國內(nèi)普通熱鍍鋅板貴一倍以上，產(chǎn)品增值極為顯著。本項(xiàng)目技術(shù)創(chuàng)新達(dá)到了國內(nèi)領(lǐng)先水平，已經(jīng)獲得國家發(fā)明專利授權(quán)（圖4），技術(shù)轉(zhuǎn)化條件趨近成熟，實(shí)驗(yàn)室也進(jìn)行了小批量的熱浸鍍實(shí)驗(yàn)。我們希望與省內(nèi)具有較強(qiáng)實(shí)力的熱浸鍍板生產(chǎn)廠家進(jìn)行合作，繼續(xù)完成相關(guān)性能的測試和中試試驗(yàn)，早日實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)目的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。 四、項(xiàng)目負(fù)責(zé)人及團(tuán)隊(duì)簡介 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：周國榮，博士，副教授，目前主要從事金屬板材涂鍍材料的研究，承擔(dān)山東省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃1項(xiàng)，完成山東省博士基金1項(xiàng)，同時(shí)參與了多項(xiàng)國家和省部級(jí)項(xiàng)目的研究，已發(fā)表SCI/EI收錄的研究論文20余篇，已獲國家發(fā)明專利授權(quán)3項(xiàng)，曾于2011年10月赴韓國國立慶尚大學(xué)訪學(xué)1年； 項(xiàng)目組成員包括教授1人、副教授2人、講師2人、碩士研究生2人，秉持嚴(yán)謹(jǐn)踏實(shí)、團(tuán)結(jié)協(xié)作的精神，致力于實(shí)踐“學(xué)以致用、學(xué)有所用”的宗旨，期望發(fā)揮高校科研能力強(qiáng)之長，增補(bǔ)企業(yè)研發(fā)力量弱之短，努力實(shí)現(xiàn)產(chǎn)學(xué)研緊密結(jié)合，將實(shí)驗(yàn)室的科研能力轉(zhuǎn)化為企業(yè)的產(chǎn)品競爭力，為祖國早日成為世界制造強(qiáng)國添磚加瓦！

本發(fā)明公開了一種高光譜圖像端元個(gè)數(shù)自動(dòng)估計(jì)的端元提取方 法，首先使用 PPI 算法計(jì)算高光譜圖像中所有像元的 PPI 值，根據(jù)像 元的 PPI 值確定初始候選端元集，并對(duì)初始候選端元按 PPI 值由大到 小進(jìn)行排序；然后依次剔除初始候選端元集中獨(dú)立性最弱的候選端元， 同時(shí)獲得隨端元個(gè)數(shù)遞減的候選端元集的重構(gòu)精度曲線和端元獨(dú)立性 曲線，通過尋找這兩條曲線變化的顯著性位置確定端元個(gè)數(shù)的取值范 圍；最后利用 SGA 算法獲取不同端元個(gè)數(shù)下的二次選擇候選端元集， 根據(jù)這些候選端元集所構(gòu)成的重構(gòu)精度曲線，確定最終的端元個(gè)數(shù)， 同時(shí)獲得最終的端元提取結(jié)果。本發(fā)明不需要事先給定端元的個(gè)數(shù)， 有利于端元提取的自動(dòng)化處理，同時(shí)提取的端元準(zhǔn)確性高。 

本發(fā)明公開了一種高流變軟土強(qiáng)夯置換時(shí)填料的運(yùn)移軌跡探測實(shí)驗(yàn)裝置，主要由模型試驗(yàn)箱、夯擊加載系統(tǒng)、外部觀測系統(tǒng)、金屬探測系統(tǒng)和位移分析系統(tǒng)五個(gè)部分組成。其中，金屬探測系統(tǒng)內(nèi)嵌于模型箱裝置兩側(cè)擋板中，并通過擋板外壁開口槽與外接位移分析系統(tǒng)相連接，用于在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程中對(duì)顆粒運(yùn)移軌跡的信號(hào)探測。夯擊加載系統(tǒng)通過支架固定于模型箱正上部，通過刻度可人工精確定位強(qiáng)夯下夯錘縱橫向位置，同時(shí)手動(dòng)調(diào)節(jié)落距，從而模擬實(shí)現(xiàn)自由落錘等復(fù)雜動(dòng)作。本裝置制造簡單、測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠，通過電磁信號(hào)追蹤，可以獲取在強(qiáng)夯沖擊荷載作用下高流變軟土填料的運(yùn)移軌跡，制造簡單、測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

本發(fā)明公開了一種利用數(shù)字基高比時(shí)間模型的高程定位精度提升方法,包括首先,利用數(shù)字基高比時(shí)間模型建立立體測圖的交會(huì)影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型第二,根據(jù)交會(huì)影像數(shù)與高程定位精度的關(guān)聯(lián)模型構(gòu)建相機(jī)陣列系統(tǒng)第三,將相機(jī)陣列系統(tǒng)搭載在飛機(jī)平臺(tái)上對(duì)地面拍照,獲取影像序列第四,采用多基線影像編組方法對(duì)影像序列進(jìn)行立體測圖,解求地面點(diǎn)三維坐標(biāo)。

本發(fā)明提供一種用長效高親和香精微膠囊的柔順劑制備及應(yīng)用，首先以非離子表面活性劑和雙親性高分子制備成復(fù)合分散劑，香精為芯材，醚化蜜胺樹脂為壁材，制備得到香精微膠囊；再以其為原料制備了一種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑；提供了這種長效高親和的芳香微膠囊柔順劑的應(yīng)用方法。本發(fā)明效果為采用一種簡便環(huán)保的制備方法得到香精微膠囊，可以適用于各種離子體系的柔順劑、洗衣液等，其香精含量可達(dá)20%-30%，固含量可達(dá)22-35%，相比市售其他香精微膠囊產(chǎn)品固含量可提高10%-15%，對(duì)香精包裹率可達(dá)60%-70%，且具有良好的穩(wěn)定性。同時(shí)，以這種香精微膠囊為原料制備的長效高親和的芳香微膠囊柔順劑對(duì)織物的上香效果良好，織物留香時(shí)間長，靜置留香可達(dá)6個(gè)月，揉搓后具有香氣爆發(fā)力。

一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準(zhǔn)電壓源，包括電壓預(yù)調(diào)節(jié)電路和帶隙基準(zhǔn)核電路，電壓預(yù)調(diào)節(jié)電路產(chǎn)生一個(gè)低溫漂、高電源抑制比的預(yù)調(diào)節(jié)電壓Ｖｒｅｇ對(duì)帶隙基準(zhǔn)核電路進(jìn)行供電，帶隙基準(zhǔn)核電路包括啟動(dòng)電路、負(fù)溫度系數(shù)電流ＩＣＴＡＴ產(chǎn)生電路、正溫度系數(shù)電流ＩＰＴＡＴ產(chǎn)生電路和非線性電流ＩＮＬ產(chǎn)生電路，非線性電流ＩＮＬ產(chǎn)生電路用于補(bǔ)償負(fù)溫度系數(shù)電流ＩＣＴＡＴ產(chǎn)生電路中的高階溫度分量，通過疊加電流ＩＣＴＡＴ、ＩＰＴＡＴ、ＩＮＬ并由電流?電壓轉(zhuǎn)換電路得到近似零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電壓Ｖｒｅｆ。

具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時(shí)具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動(dòng)態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時(shí)間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。

本實(shí)用新型公開了一種高變形能力裝配式框架結(jié)構(gòu)梁柱的連接節(jié)點(diǎn)，屬于裝配式建筑領(lǐng)域。該裝置包括預(yù)制牛腿柱和預(yù)制梁，還包括連接件，連接件呈C型結(jié)構(gòu)，用于自上而下卡設(shè)在牛腿外側(cè)，預(yù)制梁的一端具有一體成型的連接塊，預(yù)制牛腿柱的牛腿上開設(shè)有用于收納連接塊的連接槽，連接塊的底部設(shè)置有第一定位齒，牛腿的上端面開設(shè)有與第一定位齒相配合的第二定位齒，連接件、牛腿和預(yù)制梁通過螺栓緊固連接。本實(shí)用新型提供螺栓隱藏在預(yù)制件內(nèi)部，提高使用壽命的同時(shí)也避免了預(yù)埋式不便于修復(fù)更換的問題；通過第一定位齒和第二定位齒便于

滲透汽化分離過程不受汽液平衡的限制，因而在傳統(tǒng)分離手段難以分離的恒沸物分 離、微量水脫除等方面具有獨(dú)特的優(yōu)越性。透汽化技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn): 1）高效；2）運(yùn) 行成本低，低能耗，一般比恒沸蒸餾法節(jié)能1/2～2/3，投資僅為蒸餾操作的50～60％； 3）產(chǎn)品質(zhì)量好；4）綠色環(huán)保；5）過程簡單，操作簡便，便于放大和集成；6）可分離 近沸物、共沸物和恒沸物。