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關于2023年度山東省自然科學基金項目擬立項結果的通告
根據省自然科學基金項目管理辦法等規定，2023年度山東省自然科學基金青年、面上、優青、杰青項目評審和推薦立項工作已全部完成。
基礎研究處
2023-07-10
關于發布2023年度北京市城市科技與精細化管理“揭榜掛帥”項目指南的通知
為進一步推動北京城市精細化管理科技支撐工作，強化安全風險防控、韌性城市建設、城市運行保障等領域的新技術研發與示范應用，市科委、中關村管委會會同市應急局、市水務局、市城市管理委、市消防救援總隊等部門，采用“揭榜掛帥”形式向社會公開征集揭榜掛帥項目，現將具體事項通知如下
社會發展科技處
2023-08-11
關于開展2023年度青海省工程技術研究中心績效評價工作的通知
為進一步加強對省級工程技術研究中心（以下簡稱工程中心）的動態管理，提升工程中心運行質量和效益，根據《青海省工程技術研究中心管理辦法》（青科發高新〔2023〕62號）要求，擬于近期組織開展2023年度青海省工程技術研究中心考核評價工作。
青海省科學技術廳
2023-08-14
2022年度中國科學院院長獎、優秀博士學位論文、優秀導師獲獎名單公布！
近日，中國科學院公布2022年度“中國科學院院長獎”、中國科學院優秀博士學位論文、“中國科學院優秀導師”、各項冠名獎學金評審結果，經評審，480人榮獲2022年度“中國科學院院長獎”,100篇博士論文被評為2022年度中國科學院優秀博士學位論文。173名指導教師獲2022年度“中國科學院優秀導師”稱號。90人獲得地奧獎學金，20人獲得大恒光學獎學金。
中國科學院
2022-09-06
關于組織申報2023年度山西省重點研發計劃（半導體與新材料領域）項目的通知
為全面深入學習貫徹習近平新時代中國特色社會主義思想，黨的二十大精神，以及習近平總書記關于新時代科技創新的重要論述重要指示精神，圍繞重點產業鏈部署創新鏈，瞄準攻關半導體與新材料領域關鍵核心技術與共性理論問題，為我省重點產業鏈和特色專業鎮建設提供創新支撐。根據《山西省科技計劃項目管理辦法》（晉政辦發〔2021〕42號），現將凝練形成的2023年度山西省重點研發計劃（半導體與新材料領域）重點支持方向予以發布，請根據要求組織項目申報工作。
山西省科技廳半導體與新材料科技處
2023-08-08
關于下達2023年度重慶市自然科學基金面上項目計劃的通知
經研究決定，現將2023年度重慶市自然科學基金面上項目計劃的通知正式下達你們。請嚴格按照《重慶市人民政府辦公廳印發關于改革完善市級財政科研經費管理若干措施的通知》（渝府辦發〔2022〕95號）、《重慶市科技發展專項資金管理辦法》（渝財教〔2022〕8號）、《重慶市自然科學基金項目管理辦法》（渝科局發〔2021〕89號）及《重慶市財政科研項目經費“包干制+負面清單”管理辦法（試行）》（渝科局發〔2022〕142號）相關規定，加強對科研項目和資金管理，項目經費實行單獨核算，專款專用。
資配處
2023-07-17
關于開展2024年度農村領域第一批青海省級科技計劃項目評審的通知
2024年度農村領域第一批省級科技計劃項目申報工作已經截止。根據工作安排，擬對有關單位推薦申報的項目開展專家評審工作，為做好此項工作，現將有關事宜通知如下
青海省科學技術廳
2023-07-31
【新聞動態】重慶大學2項科技成果喜獲2019年度國家科學技術獎
重慶大學2項成果喜獲國家科學技術進步獎。周緒紅院士主持完成的“高層鋼-混凝土混合結構的理論、技術與工程應用”項目獲國家科技進步獎一等獎，是學校牽頭成果首次獲該獎項一等獎，實現了零的突破，這也是重慶市時隔7年再次獲得國家科技進步獎一等獎；土木工程學院肖楊教授參與完成的“河谷場地地震動輸入方法及工程抗震關鍵技術”獲國家科技進步獎二等獎。
重慶大學
2020-01-10
電子科技大學基礎院李嚴波教授團隊與海外合作者在光電催化水氧化研究方面取得進展
針對載流子表界面復合的問題，研究團隊通過在氮化鉭薄膜上下界面分別修飾p型的Mg:GaN層和n型的In:GaN層，一方面鈍化氮化鉭薄膜的界面缺陷，另一方面通過構建異質結提升界面載流子分離能力，實現了最高為3.46%的ABPE，這是目前基于氮化鉭光陽極的最高效率值（圖）。將體相和界面載流子管理策略相結合，有望進一步提升氮化鉭光陽極的效率。
電子科技大學
2022-06-15
一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法
本發明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構成完整的器件。本發明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時，明暗電流比為5.5×103，提高了一個數量級，同時具有更快速的響應和恢復時間，分別是0.883和0.956s。
東南大學
2021-04-11