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仿生高性能鉑催化劑
本項目通過使用仿生概念，制備出一種新型的具有籠狀結構的鉑催化劑。在該催化劑中，金屬鉑被包覆在有機物籠內，反應物可以自由進出籠內外，在鉑的催化作用下合成有機硅化合物，金屬鉑被困于籠內，可以有效地阻止團聚而失去活性，從而可以反復發揮其催化作用，使其同時具備高活性和高穩定性。該新型催化劑在全世界第一次實現了鉑催化劑在多次循環使用后，依然保持其極高的催化活性。 有機硅產品的制備過程中，硅氫加成反應是必不可少的一個環節，目前該反應主要使用卡斯特催化劑進行催化，若替換為本項目所研發出的新型催化劑，催化效率將實現指數級的提高。對于三烷氧基硅烷同己烯制備己烷偶聯劑這一最常見的氫硅化反應，如使用本項目所制備出的新型催化劑，其催化效率較卡斯特催化劑能夠提高1000倍以上。 該技術在國際上首次提出，目前已經在國際頂級期刊《SCIENCE》上投稿并獲得了審稿人的好評，審稿人認為該項目研究工作將很快在實際生產中得到應用。同時，該項目正在開展進行相關專利申請工作。
北京航空航天大學
2021-04-10
高性能彌散強化銅合金
Al2O3/Cu復合材料是在銅基體中引入了細小彌散分布的增強相Al2O3粒子的一種銅基復合材料。由于化學穩定性和熱穩定性好的Al2O3顆粒的存在，使該復合材料在保持銅基體優越的導電、導熱性能的同時具有高的室溫和高溫強度和硬度。
上海理工大學
2021-04-10
高性能環氧樹脂電子封裝材料
環氧樹脂作為電子封裝技術的重要支撐材料，需要同時滿足電子元件高集成度、信號傳遞低衰減、底部封裝（underfill）工藝、材料耐疲勞和高可靠性等要求。利用高導熱填料與環氧樹脂復合，并通過多尺度微納米填充、分散優化、界面強化、構筑有序結構等方法賦予了環氧樹脂封裝材料優異的導熱性能、高流動和高阻燃性、低熱膨脹和低吸潮率、電絕緣性能，是大功率、高集成ICs快速發展的保障。
華中科技大學
2021-04-10
高性能預埋鋼錨板
本發明公開了一種高性能預埋鋼錨板，包括齒狀Ｔ形板和錨筋，所述齒狀Ｔ形板的腹板為齒牙狀，兩齒牙之間的間隙能穿過箍筋，單齒牙的寬度小于箍筋凈間距，所述錨筋焊接于齒狀Ｔ形板的腹板兩側翼緣上；所述齒狀Ｔ形板通過錯位切割工字型鋼的腹板形成，保證齒狀Ｔ形板的齒牙腹板和翼緣形成一體；在Ｔ形板的端部焊接下錨板或者彎折腹板形成Ｌ形錨板，增強其在混凝土中的錨固能力。本發明的Ｔ形板腹板與節點板位置相對應，可以更為有效地傳力；錯位切割的“一體成型”方式工藝成熟，節約材料，降低成本，并且可以避免焊接，提高其性能；切割的間距可
東南大學
2021-04-14
高性能激光信號傳輸光纖
項目簡介 本成果提供基于全固態微結構或微空氣孔組成的傳輸光纖，具有單偏振傳輸、低傳 輸損耗、低連接損耗、大模場傳輸等特點。在傳輸光纖及器件方面申報了系列專利，申 請發明專利 15 項，其中已授權發明專利 8 項（ZL201010149977.1、ZL201110284989.X、 ZL201010589019.6 、 ZL201110284988.5 、 ZL201210391185.4 、 ZL201010589053.3 、 ZL201110356877.0、ZL20101059
江蘇大學
2021-04-14
高性能大數據處理平臺
項目簡介 本成果基于高性能計算技術和大數據存儲與處理技術，避開傳統依賴單個計算機或 集群計算的缺點，應用先進的分布式文件系統和并行計算架構，使用普通的 PC 級機器構 建高性能的大數據處理平臺。屬國內領先項目。該成果處于中試研究階段，并申請了專 利，專利號：ZL201010510071.8。 性能指標 （1）能利用 PC 級機器實現高速的大數據處理。 （2）能高效存儲和管理海量的數據。 （
江蘇大學
2021-04-14
高性能氮化鎵基電子材料
已有樣品/n中科院半導體所是國內最早開展 GaN 基電子材料研發的單位，并一直在該領域起著引領、 示范和帶動作用。經過盡二十年的自主創新，攻克了 2 英寸和3英寸藍寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長的關鍵科學技術問題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質結結構材料等方面形成了系統的自主知識產權，設計并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質結構電子材料，并實現了批量供片。市場預期：該技術是采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）
中國科學院大學
2021-01-12
噴射成型高性能鋁合金
上海交通大學
2021-04-13
發現高性能SnTe基熱電材料
熱電材料是能夠實現熱能與電能直接相互轉換的新能源材料，在熱電制冷和廢熱發電等方面有著廣泛的應用前景，對于提高現有能源利用率和緩解能源危機有重要作用。相比于傳統熱電材料PbTe，SnTe由于其廉價、環保等優勢而被廣為關注。然而由于其極低的賽貝克系數（seebeck coefficient）長久以來SnTe的最高以及平均熱電轉換效率都遠低于PbTe。 文章指出在銦元素摻雜引入共振能級的情況下，將SnTe與AgSbTe2復合，從而在優化材料功率因子的同時，降低了材料的晶格熱導率。此外，透射電鏡表明兩者是以完全固溶的形式而非兩相復合的形式存在。最終，在873K時的最高zT優值達到1.3，并在323K-873K溫度區間內的平均zT優值達到0.84，是本征SnTe的3.44倍，為目前該體系平均zT值的最高水平。這種將引入共振能級和多相固溶結合起來的方法，也為提升其他體系熱電材料的性能指出了一個值得嘗試的方向。
南方科技大學
2021-04-13
高性能XMLXML數據處理技術
北京工業大學
2021-04-14