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一種基于塊的子圖構建及分布式圖處理方法
本發明公開了一種基于塊的子圖構建及分布式圖處理方法，其子圖構建方法，包括圖分割、對子圖中的頂點重新貼標簽、將區間與數據片關聯、分塊和構建子圖的步驟；采用啟發式的、輕量級的 SGP方法進行圖分割，采用用戶定義的啟發式函數把頂點按順序指派到 P個子圖，具有性能高，邊的切割率較低的特點，并且可以兼顧子圖工作負載平衡問題；其分布式圖處理系統，塊分割之后，子圖之間以整個內存塊為單位進行通信；與現有技術的細粒度通訊方式相比，本發
華中科技大學
2021-04-14
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
一種基于全息波導的頭戴式顯示器件
本發明公開了一種基于全息波導的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設計方向決定。本發明利用光瞳重塑方式解決了傳統二維擴瞳方式產生的大視場角情況下的視場分離。
東南大學
2021-04-11
高溫壓電振動能量回收器件和高溫驅動器
傳統PZT壓電陶瓷應用廣泛，但在居里溫度較低，環境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應用于高溫環境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩定地工作在150℃以上的高溫環境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅動器是一種利用壓電效應，將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件，壓電驅動器利用壓電材料的準靜態逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。
北京大學
2021-02-01
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
磁流體熱磁對流在電子器件散熱中的應用
項目概況 針對小型化、集成化、高頻率和高運算速度的電子器件，應用磁流體的熱磁對流效應，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術用于高密度高功率電子器件設備中。 主要特點 1. 選擇合適的外加磁場和屏蔽技術。 2．溫度區內磁場梯度條件和粒子濃度的準確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場的準確定位。 技術指標 建立適合電子器件密集環境下適用磁流體散熱技術及相應的磁場條件和屏蔽技術，提高了磁流體在磁場、熱場和重力場協同作用下的流動傳熱效果。促進節能環保技術的發展，達到節能減排的綠色材料應用。市場前景 目前該項目已通過現場的工業化證明，散熱效果好，能達到電子器件冷卻要求，滿足工業生產的需求，在生產過程中無污染，無三廢排放。該項目可應用于高密度、高功率電子器件密集環境下的散熱設備中，具有較好的經濟效益和社會效益。
南京工程學院
2021-04-11
基于超陡擺幅器件的極低功耗物聯網芯片
隨著集成電路的發展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯智能時代，物聯網、生物醫療、可穿戴設備和人工智能等新興領域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態功耗。面向未來龐大的物聯網節點應用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關注。受玻爾茲曼限制，傳統晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關鍵因素，基于傳統CMOS晶體管的集成電路已經無法滿足物聯網節點等對極低功耗的需求。 本項目基于標準CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進一步研發具有極低功耗的物聯網節點芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統晶體管的量子帶帶隧穿機制，可突破亞閾擺幅極限，同時獲得比傳統晶體管低2個量級以上的關態電流性能，具備極其優越的低靜態功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術的研究和突破，可促進我國物聯網芯片產業的發展，顯著提高物聯網節點的工作時間，具有重要的應用價值。
北京大學
2021-02-01
基于閃蒸噴霧的大功率電子器件冷卻系統
隨著電子技術的不斷發展，電子器件和芯片性能的提高帶來電路及其芯片的散熱問題日益突出。研究表明：電子器件工作溫度在70～80℃水平時，每增加1℃，其可靠性就降低5%。同時由于芯片的不斷集成化和微型化，導致散熱量的迅速增加，傳統的冷卻技術已經不能滿足散熱要求。本技術開發了一種制冷劑閃蒸噴霧高效冷卻循環系統，利用閃蒸霧化和相變傳熱技術，實現了低溫高效換熱，傳熱系數高達26533W/(m2·K)，表面溫度在低于60攝氏度熱流密度即可超過100W/cm2（而常規水冷條件下元器件表面溫度超過150攝氏度）。
西安交通大學
2021-04-11
廢舊熒光器件稀土再生關鍵技術開發與應用
北京工業大學
2021-04-14
基于新材料的新型真空電子器件的基礎研究
本項目研究了超材料的電磁特性、基于超材料的反向切倫科夫輻射、基于納米材料冷陰極的場發射特性以及它們在高效率、高功率和高頻率的真空電子器件中的應用。相關SCI論文共計153篇，SCIE數據庫中的他引次數為1058次，代表性論文被《自然-納米技術》、《物理評論快報》、《先進材料》等國際頂級期刊上發表的SCI論文他引157次。這些學術成果解決了真空電子器件所面臨的核心科學問題，在國際真空電子學領域產生了重大的影響。
電子科技大學
2021-04-14