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本發明公開了一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO₂薄膜、2)在有 SiO₂層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO₂，將光刻的圖形轉移到 SiO₂層、4)鍍Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微

晶硅光伏組件生產完成之后，必須經過外觀檢測，以確定是否有虛焊、碎片、異物等外觀缺陷。一般而言，外觀檢測都是人工完成，具有工作煩累、容易出錯等問題。晶硅光伏組件還要經歷電致發光（ EL）測試，以確定是否有裂紋、黑芯片、硅片雜質缺陷、電極缺陷、片源不一致等問題。一般而言，這部分的檢測都在設備中進行，目前的設備只能得到整個組件的 EL 測試圖像，需要人工針對該圖像進行缺陷分析，強烈依賴于檢測人員的技術能力和責任心。本產品是晶硅光伏領域專家與機器視覺公司合作開發，將晶硅光伏組件的

本發明公開了一種小水電機群組成分布式儲能系統的方法。該 方法包括：獲得一個儲能周期 T 中，第 t 個時段所有小水電站的總凈 負荷值 PLj(t)；根據優化目標、總凈負荷值 PLj(t)以及第 i 個小水電站 的計劃負荷 pi(t)，獲得第 i 個小水電站的實際負荷 pfci(t)；根據第 i 個 小水電站的實際負荷 pfci(t)，對第 i 個小水電站的抽水蓄水裝置進行最 優效率控制，令所述第 i 個小水電站按照實際負荷 pfci(t)在最優效率下 運行，所述抽水蓄水裝置為水輪機及水泵或者可逆式水

本發明公開了一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工 藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO2，將光刻的圖 形轉移到 SiO2 層、4)鍍 Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微米線表面鍍一層 ZnO 膜、8)在 Si 微米線表面生長 ZnO 納米線、9)在 ZnO 納米線表面制備一層 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 結 構 表 面

大容量電池儲能系統能夠提高可再生能源發電的穿透率，提高電網穩定性，是未來智能電網運行中的重要組成部分，然而功率轉換技術一直限制著電池儲能系統的大容量化發展。本項目使用級聯式變換器作為大容量電池儲能系統的功率轉換系統，從而可以大大提高大容量電池儲能系統的效率、可靠性等。 在本項目的研究過程中，先后對高壓直掛功率轉換系統中的關鍵技術如二次脈動抑制、接地電流抑制以及可靠的控制策略等進行了深入研究，在20鏈節的實驗系統中全面驗證，并在國內外期刊發表了多篇論文。最后，南方電網公司在深圳寶清儲能電站建設了2MW/2MVA/10kV高壓直掛儲能系統，本項目研究的關鍵技術實際指導了該系統的設計，所研究的控制策略實際應用于該儲能系統。 該儲能系統的功率轉換技術是世界上首次直掛 10kV電網的功率轉換技術，目前已經順利運行一年，在效率、可靠性等方面明顯優于傳統儲能系統，為大容量電池儲能系統的廣泛應用奠定了堅實基礎。

本實用新型涉及一種變頻控制的振動磨，特別是一種能產生高振強的多波變正弦曲線變頻控制振動磨， 屬于振動利用工程技術領域。由電源、變頻器、振動磨、傳感器、記錄分析儀組成，變頻器接線一端與電 源相連接，變頻器接線另一端與振動磨的驅動電機相連接；變頻器上可以進行多點頻率的變化輸入，以使 電機的輸入頻率按照設定的規律變化，從而驅動振動磨系統工作；傳感器依靠磁力置于振動磨磨筒上，傳 感器搭配積分電荷放大器使用，可將檢測的加速度信號及二次積分即振幅信號，傳輸給記錄分析儀，進而可以確定振動磨的振強、振幅變化曲線，便于調整變頻器的變化規律，進行控制程序編制，對振動磨機實 施變頻控制。

本發明公開了一種帶有多孔泡沫金屬換熱結構的太陽能光伏光熱集熱器，該集熱器采用上下雙冷卻通道結構，并結合多孔泡沫金屬層(6)進行換熱強化，降低了太陽能光伏元件的溫度，提高光伏元件發電效率，同時將太陽能光伏元件所產生的大量熱量及時傳遞給冷卻氣體，冷卻氣體從集熱器出氣口(11)排出后可以用于預熱、干燥或者室內供暖等用途。本發明所使用的泡沫金屬具有高熱導率及高比表面積，可以有效地改善傳統太陽能光伏光熱集熱器的冷卻效率，并且采用下進上出的流式，使得換熱過程接近逆流換熱，換熱效率達到最高。

通過超高真空分子束外延技術，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導轉變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術對其中的超導配對機制進行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團簇。系統的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實驗發現，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強度[數量占比約13% (15%)]，Fe吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導峰（圖1）。該電導峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠離吸附原子時不劈裂。變溫實驗表明，零能電導峰在遠低于超導轉變溫度時即消失，可初步排除Kondo效應、常規雜質散射態等解釋（圖2A和圖2B）。進一步的控制實驗和分析顯示，零能電導峰半高寬嚴格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標度方程，這些結果均與馬約拉納零能模的唯象學特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結果基本相同。相比于單層FeSe，統計結果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態的幾率更高且信號更強。波士頓學院汪自強教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時，強自旋-軌道耦合s波超導體間隙磁雜質可產生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預測存在拓撲非平庸相。在二維拓撲超導體中，馬約拉納零能模也會產生于Fe原子誘導的量子反常渦旋中的束縛態。因此，實驗中觀測到的零能電導峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進一步的實驗和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導材料從三維拓展到二維、從低溫超導拓展到超過40 K超導轉變溫度的高溫超導體系，同時無需外加磁場，觀測到的零能束縛態原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優勢為未來實現可應用的拓撲量子比特提供了可能的方案。