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基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種電容緩沖式混合高壓直流斷路器及其控制方法
本發(fā)明公開了一種電容緩沖式混合高壓直流斷路器及其控制方 法，該斷路器包括機(jī)械開關(guān)單元、電流轉(zhuǎn)換單元、電容緩沖單元和機(jī) 械開關(guān)供能單元。機(jī)械開關(guān)單元由至少一個機(jī)械開關(guān)子單元串聯(lián)構(gòu)成， 機(jī)械開關(guān)子單元由機(jī)械開關(guān)、均壓模塊和吸能限壓模塊并聯(lián)構(gòu)成；電 流轉(zhuǎn)換單元由電力電子開關(guān)模塊和限壓模塊并聯(lián)構(gòu)成，電力電子開關(guān) 模塊包括至少一個電力電子器件；電容緩沖單元由電容器組構(gòu)成，為 故障電流提供換流緩沖支路；機(jī)械開關(guān)供能單元為機(jī)械開關(guān)提供電能， 保證其動作的快速性和協(xié)同性。本發(fā)明提供的電容緩沖式混合高壓直 流斷路器及
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種模塊化多電平換流器功率運(yùn)行區(qū)間的獲取方法
本發(fā)明公開了一種模塊化多電平換流器功率運(yùn)行區(qū)間的獲取方 法，包括下述步驟：(1)根據(jù)已知的模塊化多電平換流器的基本參數(shù)， 建立旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下模塊化多電平換流器的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型；(2)確定 要考慮的運(yùn)行約束條件；(3)根據(jù)穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型計(jì)算各約束條件下 功率運(yùn)行區(qū)間；(4)將各約束條件下的功率運(yùn)行區(qū)間取交集，獲得考慮 多重運(yùn)行約束條件下模塊化多電平換流器的功率運(yùn)行區(qū)間。本發(fā)明考 慮的運(yùn)行約束條件，通過建立一套旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下模塊化多電平換流器 的穩(wěn)態(tài)數(shù)學(xué)解析模型，并通過取交集得到考慮多重約束條件下的功率
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種具有高傳輸效率可快速連續(xù)調(diào)節(jié)能量的降能器
本發(fā)明公開了一種具有高傳輸效率可快速連續(xù)調(diào)節(jié)能量的降能 器，包括碳化硼能量粗調(diào)單元、石墨能量精調(diào)單元、束流準(zhǔn)直器組、 運(yùn)動控制模塊、真空模塊；碳化硼能量粗調(diào)單元實(shí)現(xiàn)能量的初級步進(jìn) 調(diào)節(jié)，提高了束流傳輸效率；石墨能量精調(diào)單元可實(shí)現(xiàn)束流能量的連 續(xù)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)；準(zhǔn)直器組可對束流發(fā)射度進(jìn)行有效抑制，通過改變孔徑 實(shí)現(xiàn)了發(fā)射度的選擇；運(yùn)動控制模塊可分別對碳化硼和石墨能量調(diào)節(jié) 單元進(jìn)行快速運(yùn)動控制，保證了能量的快速調(diào)節(jié)；真空模塊創(chuàng)造并維 持了真空環(huán)境。本發(fā)明的降能器可以實(shí)現(xiàn)束流能量的高傳輸效率、快 速、連續(xù)調(diào)節(jié)，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種回旋加速器等時性磁場墊補(bǔ)方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種回旋加速器等時性磁場墊補(bǔ)方法及系統(tǒng)。首 先通過有限元建模與計(jì)算得出回旋加速器磁極不同半徑處單位邊緣切 削面積磁場沿徑向改變量，利用若干組改變量計(jì)算出表征切削向量同 整體磁場改變量的相關(guān)矩陣。在對加工的主磁鐵進(jìn)行測磁后，根據(jù)等 時場偏差和相關(guān)矩陣可逆向計(jì)算出所需要切削的邊緣沿半徑分布向 量，在通過插值得到連續(xù)加工坐標(biāo)后，利用數(shù)控機(jī)床對磁極邊緣進(jìn)行 加工。本發(fā)明所提供的磁場墊補(bǔ)方法考慮了墊補(bǔ)過程中徑向邊緣場效 應(yīng)，同時結(jié)合了有限元計(jì)算與實(shí)際測磁結(jié)果，具有可預(yù)測、高精度特 點(diǎn)，并基于相關(guān)矩
華中科技大學(xué)
2021-04-14
無位置傳感器的無刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出頻率控制方法
本發(fā)明公開了一種無位置傳感器的無刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出頻率控 制方法。該方法不依賴于位置傳感器，也無需知道無刷雙饋發(fā)電機(jī)的 各種參數(shù)，利用采集到的無刷雙饋發(fā)電機(jī)的功率繞組的電壓實(shí)現(xiàn)對轉(zhuǎn) 速的辨識，避免了位置傳感器帶來的一系列問題，能對無刷雙饋發(fā)電 機(jī)的輸出頻率進(jìn)行有效控制；在需要無刷雙饋發(fā)電機(jī)和外電網(wǎng)并網(wǎng)使 用時，也能在無位置傳感器的情況下順利完成并車過程；由于無刷雙 饋發(fā)電系統(tǒng)本身就需要采集無刷雙饋發(fā)電機(jī)的功率繞組的電壓構(gòu)成電 壓閉環(huán)以實(shí)現(xiàn)對無刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出電壓幅值的有效控制，本發(fā)明不僅能有效削減位置
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種連續(xù)導(dǎo)電模式單電感雙輸出開關(guān)變換器變頻控制裝置
本實(shí)用新型公開了一種連續(xù)導(dǎo)電模式單電感雙輸出開關(guān)變換器變頻控制裝置，通過限定電感電流峰值和谷值的大小，完成對變換器中主開關(guān)管和支路開關(guān)管的控制，實(shí)現(xiàn)各個輸出支路的獨(dú)立調(diào)節(jié)。與工作在連續(xù)導(dǎo)電模式的傳統(tǒng)單電感雙輸出開關(guān)變換器相比，本實(shí)用新型具有穩(wěn)定性好，可靠性高，抗干擾能力強(qiáng)，輸入、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度快，輸出支路間的交叉影響小等優(yōu)點(diǎn)，可用于控制單電感雙輸出拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的多種變換器，諸如：Buck變換器、Boost變換器、Buck-boost變換器、Bipolar變換器等。
西南交通大學(xué)
2016-10-24
一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置
本發(fā)明公開了一種加熱爐空氣預(yù)熱器熱管煙泥灰垢刮除裝置，包括支撐座，所述支撐座上安裝有液壓缸，所述液壓缸的活塞桿上安裝有支架，所述支架上安裝有能沿?zé)峁艿目v向滑動時刮除熱管的煙氣段外表面的煙泥灰垢的刮灰環(huán)，所述刮灰環(huán)包括經(jīng)模壓成型的環(huán)體，所述環(huán)體上設(shè)置有與熱管的煙氣段的橫截面形狀相應(yīng)的內(nèi)腔，環(huán)體的內(nèi)壁上固設(shè)有用于刮除煙泥灰垢的刷毛。本發(fā)明的刮灰環(huán)會包覆在熱管的煙氣段上，液壓缸的活塞桿帶動支架和刮灰環(huán)上下移動，刮灰環(huán)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種 H 橋三電平有源電力濾波器的控制方法及系 統(tǒng)。在進(jìn)行直流母線電壓相間平衡控制時，通過檢測各相直線母線電 壓與直流母線平均電壓之間的偏差，確定基波負(fù)序電流的給定量，是 一種雙閉環(huán)結(jié)構(gòu)，因此系統(tǒng)的魯棒性更高。與傳統(tǒng)的基于負(fù)序電壓注 入的方法相比，不會影響電流環(huán)的性能；與傳統(tǒng)的基于零序電壓注入 的方法相比，其相間平衡控制的能力更強(qiáng)。在進(jìn)行負(fù)載電流諧波檢測 時，在雙 dq 軸坐標(biāo)系下分別檢測基波正序分量和基波負(fù)序分量，因此 諧波檢測的精度更高。由于在負(fù)序 dq 軸坐標(biāo)系下檢測了基波負(fù)序電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14