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人才需求：1、金屬材料 2、機械加工 3、信息化管理
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德州齒輪有限公司
2021-08-26
制作高性能、低成本電池器件的目標而采用簡式構型器件新思路
實現制作高性能、低成本電池器件的目標而采用簡式構型器件新思路的系列研究，論文第一作者為程春課題組博士生黃毓嵐。 課題組總結了傳統鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）在降低缺陷密度和優化能級方面的常用方法，以簡化其結構。此外，課題組對不同的無電子傳輸層或者無空穴傳輸層PSCs的發展進行了分類和討論，包括它們的工作原理、實現技術、尚存的挑戰和未來的展望。
南方科技大學
2021-04-14
功率MOS器件設計和制備技術
功率DMOS是一類重要的新型功率器件，具控制電路簡單、開關頻率高、可靠性好等優點，因此廣泛應用于開關電源、汽車電子、DC/DC轉換等領域，市場需求巨大，目前在功率分立器件領域占據了最大的市場份額。本團隊在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術積累，開展了大量前沿性研究和產業化研究，目前本團隊在功率DMOS領域累計授權發明專利超過50項，能夠量產的產品型號近百種。
電子科技大學
2021-04-10
毫米波新基片結構器件
2016國家自然科學獎二等獎，基片集成類導波結構是近十幾年來微波毫米波學界發展起來的一種新型高性能平面導波結構。基片集成類導波結構具有極低的電磁泄露和互擾，其品質因素和功率容量遠高于傳統平面傳輸線。國內外數百所大學和研究機構都對其開展了大量研究，它也成為微波毫米波領域最受關注的研究分支之一。 項目組作為國際上該領域的主要貢獻者之一，以基片集成類導波結構的工作機理與創新應用為主線，對這類結構及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎科學問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導等多種新型平面導波結構，發展了相應的設計方法，并發明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應用。
東南大學
2021-04-11
全固態太赫茲前端關鍵器件
針對太赫茲高分辨雷達和通信系統應用需求，研究了常溫固態太赫茲連續波發射和接收的總體方案和實現技術，研究了太赫茲平面肖特基勢壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓撲結構，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優化方法，解決了固態太赫茲關鍵技術的工藝難題，突破太赫茲連續波發射和接收的關鍵技術，打破國外技術封鎖，提高自主創新能力，形成自主知識產權，相關技術水平達到國際先進，為我國太赫茲技術的發展和太赫茲系統的應用奠定技術基礎，提供技術支撐。
電子科技大學
2021-04-10
微電子器件高效冷卻技術
小試階段/n通過發展被動式和主動式冷卻技術能實現典型移動裝備和電子器件的空間冷卻需求，具體包括熱壓/風壓自然換熱冷卻、相變熱管換熱冷卻等被動式技術，半導體熱電制冷冷卻、噴射冷卻和合成射流冷卻等主動式冷卻技術,獲省自然科學一等獎。成果市場前景：有散熱需求，就有應用前景。
武漢大學
2021-01-12
電子器件的高效散熱技術
隨著微電子技術的發展，電子器件的熱流密度越來越高，散熱已成為其技術發展的主要障礙之一。本項目采用直接液體浸沒的沸騰換熱方式，開發了高效沸騰換熱微結構面，可極大幅度提高散熱性能，在電子器件溫度低于其正常操作上限溫度85oC的條件下，散熱熱流密度可達150W/cm2以上。沸騰強化換熱技術往往在微重力條件下由于氣泡難以脫離導致性能惡化而無法應用。近期在微重力條件的實驗表明該技術即使在微重力條件下，依然能充分利用熱毛細現象進行強化換熱，顯著提高換熱性能。因此，該技術可應用于地面和空間的電子器件高效散熱。
西安交通大學
2021-04-11
節水灌溉器件的快速開發技術
滴灌是節水效率最高并能實現水肥自動灌溉的精準農業灌溉技術，在蔬菜、花卉、棉花、果樹等種植中廣泛應用。滴灌系統的灌水器在使用時容易發生堵塞一直是國際上的難題。本技術針對這一難題，提出了灌水器基于迷宮流道流動特性的抗堵設計和一體化開發方法，開發了具有自主版權的專用設計軟件。應用該軟件與快速成形技術開發出系列化的新型灌水器，使開發周期顯著縮短，單循環開發時間由原來的3～5個月縮短到3～5天，而開發成本由5萬元左右降低到2千元以下。相關研究成果獲得國家技術發明二等獎。
西安交通大學
2021-04-11
新型存儲器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲器領域國際發展前沿和國家重大需求，長期緊密合作，系統深入研究了新型存儲器機理、器件材料與結構體系、性能調控規律、可靠性表征和集成技術。取得了局域氧化還原主導的阻變模型、阻變存儲器三維集成、電荷俘獲存儲器材料和結構體系優化及可靠性表征等系列原創性科技成果，獲得了國內外同行的廣泛引用和高度評價。獲得了具有自主產權的新型存儲器件及集成解決方案，主要發明專利和技術研究成果轉移到國內知名集成電路制造企業。
中國科學院大學
2021-01-12
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結合低溫原子層高k 介質沉積技術，有效抑制了在介質沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學院大學
2021-01-12