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液晶材料
隨著科技的不斷發展，笨重的陰極射線管(CRT)顯示器越來越不能滿足需求。而液晶顯示器(LCD)則因具有能耗低、重量輕、超薄、圖像柔和等一系列突出的性能得到了迅猛發展。 液晶材料是液晶顯示器的核心材料之一，它賦予液晶顯示器各種優良的性能。國內高檔液晶材料主要被大日本油墨化學工業株式會社、日本Chisso公司、德國Merck公司壟斷。目前，國內只有幾家企業能批量生產中低檔液晶材料，尚無廠家
四川大學
2021-04-14
杭州艾特力納米新材料科技有限公司
杭州艾特力納米新材料科技有限公司
2025-02-19
專家報告薈萃? | 石河子大學副校長楊興全：整合創新要素，聚合創新平臺，嵌合創新體系 支撐引領中國式現代化兵團實踐
高校是教育、科技、人才的集中交匯點，必須深入實施科教興國戰略、人才強國戰略、創新驅動發展戰略，統籌推進教育、科技、人才體制機制一體化改革。
中國高等教育博覽會
2025-01-03
李榮鵬教授團隊在Science子刊Science Signaling發表最新研究成果
據李榮鵬教授介紹，人類基因組中編碼功能蛋白的基因僅占基因總量的2%，其余98%的基因轉錄產物為非編碼RNA，過去這類RNA一直被認為是冗余，其相關功能研究一直是空白。近年來，非編碼RNA的研究逐漸成為國際熱點，大量實驗證據證明，非編碼RNA控制著幾乎所有的細胞生理功能。李榮鵬教授的研究在國際上首次證實了母系遺傳的長鏈非編碼RNA MEG3的4號轉錄產物，在肺部感染免疫過程中能夠特異性表達，然后通過調節炎癥因子IL-1b的表達水平，精準控制宿主的免疫反應。在感染過程中，肺泡巨噬細胞通過降低MEG3-4的表達量，釋放出游離的小分子非編碼RNA miR-138，然后miR-138結合到細胞因子IL-1b的mRNA 5‘UTR區域，形成剪切復合體降解mRNA，以維持IL-1b在體內的較低水平，防止過度的炎癥反應殺傷細胞。這一結果深層次解析了MEG3-4調節宿主感染免疫的分子機制，同時也為推進MEG3-4作為RNA藥物的應用提供了理論基礎。
江蘇師范大學
2021-04-28
一種基于塊的子圖構建及分布式圖處理方法
本發明公開了一種基于塊的子圖構建及分布式圖處理方法，其子圖構建方法，包括圖分割、對子圖中的頂點重新貼標簽、將區間與數據片關聯、分塊和構建子圖的步驟；采用啟發式的、輕量級的 SGP方法進行圖分割，采用用戶定義的啟發式函數把頂點按順序指派到 P個子圖，具有性能高，邊的切割率較低的特點，并且可以兼顧子圖工作負載平衡問題；其分布式圖處理系統，塊分割之后，子圖之間以整個內存塊為單位進行通信；與現有技術的細粒度通訊方式相比，本發
華中科技大學
2021-04-14
一種基于 WAMS 時間斷面信息和拓撲信息的故障診斷方法
本發明公開了一種基于 WAMS 時間斷面信息和拓撲信息的故障 診斷方法。該方法包括： (1)通過 WAMS 獲取互聯電網中各量測點的三 相電壓和電流的幅值和相角數據；(2)使用獲取的三相電壓和電流的幅 值數據按照故障診斷啟動判據進行計算；(3)對滿足故障啟動判據的量 測點三相電壓和電流的幅值數據進行實時特征量提取，形成實時模式 向量；(4)將量測點 i 提取的實時模式向量與預設的已知故障類型的基 準模式向量集合相匹配，根據匹配結果給出初步故障結果；(5)根據時 間信息和電網拓撲信息對滿足啟動判據的量
華中科技大學
2021-04-14
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
一種基于全息波導的頭戴式顯示器件
本發明公開了一種基于全息波導的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場偏折光柵（２）、右視場偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設計方向決定。本發明利用光瞳重塑方式解決了傳統二維擴瞳方式產生的大視場角情況下的視場分離。
東南大學
2021-04-11
高溫壓電振動能量回收器件和高溫驅動器
傳統PZT壓電陶瓷應用廣泛，但在居里溫度較低，環境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應用于高溫環境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩定地工作在150℃以上的高溫環境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅動器是一種利用壓電效應，將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件，壓電驅動器利用壓電材料的準靜態逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。
北京大學
2021-02-01
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10