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  您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 北京錦正茂科技有限公司自主研發(fā)的電磁鐵，可以通過(guò)更換電磁鐵極頭在一定范圍內(nèi)改善磁場(chǎng)的大小和磁場(chǎng)的均勻度 ，并且可以通過(guò)調(diào)整極頭間距改變磁場(chǎng)的大小，該種類(lèi)型的電磁鐵能夠很好的與客戶(hù)設(shè)計(jì)的磁場(chǎng)平臺(tái)兼容。主要用于磁滯現(xiàn)象研究、磁化系數(shù)測(cè)量、霍爾效應(yīng)研究、磁光實(shí)驗(yàn)、磁場(chǎng)退火、核磁共振、電子順磁共振、生物學(xué)研究、磁性測(cè)量、磁性材料取向、磁性產(chǎn)品磁化等研究。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對(duì)內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對(duì)外以商務(wù)平臺(tái)方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營(yíng)模式，專(zhuān)門(mén)從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷(xiāo)售各類(lèi)型超低溫測(cè)試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場(chǎng)發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線(xiàn)圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線(xiàn)管，電子*（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場(chǎng)真空探針臺(tái)，霍爾測(cè)試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測(cè)量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類(lèi)齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國(guó)內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺(tái)，電輸運(yùn)，電磁鐵的廠(chǎng)家之一。 錦正茂始終秉承“誠(chéng)信、合作、創(chuàng)造、共贏”的經(jīng)營(yíng)理念，將現(xiàn)代化管理技術(shù)引入到產(chǎn)品生產(chǎn)與管理中，通過(guò)新的軍民融合平臺(tái)建設(shè)，形成具有一定市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的高科技企業(yè)；其次，公司逐步形成以現(xiàn)代化高科技產(chǎn)業(yè)化帶動(dòng)企業(yè)價(jià)值增張的商業(yè)模式，堅(jiān)持“與時(shí)俱進(jìn)，科技創(chuàng)新”的思路，彰顯業(yè)務(wù)的核心優(yōu)勢(shì)，共創(chuàng)新的戰(zhàn)略制高點(diǎn)。  

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。

本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設(shè)有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過(guò)細(xì)槽連通，淺槽二中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設(shè)有可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設(shè)有可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２，可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過(guò)細(xì)槽與可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１對(duì)應(yīng)設(shè)置，淺槽通孔通過(guò)淺槽二與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２對(duì)應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明通過(guò)可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２分別實(shí)現(xiàn)了壓力在低壓段與高壓段的高精度測(cè)量。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于開(kāi)槽結(jié)構(gòu)的四分之一?；刹▽?dǎo)濾波器，包括四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔，四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔通過(guò)基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對(duì)于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實(shí)現(xiàn)了小型化。并且，相對(duì)于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工方便。此外，相對(duì)于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開(kāi)了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過(guò)以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個(gè)核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)碼印花機(jī)的高效能產(chǎn)出。