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一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法
本發明屬于結構優化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數化水平集方法的優化模型，在宏觀材料布局優化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優化，并輸出最優細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優化及細觀微結構拓撲優化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14
一種圖案化的組合太陽能電池及其彩色太陽能電池模塊
本發明公開了一種圖案化的組合太陽能電池及其彩色太陽能電池模塊。所述組合太陽能電池由多個彩色太陽能電池模塊串聯而成，包括第一彩色太陽能電池模塊、第二彩色太陽能電池模塊、……、以及第 N 彩色太陽能電池模塊，N≥3；所述彩色太陽能電池模塊依次包括陰極層、光活性層以及陽極層，所述陽極層的厚度為 5nm～500nm，所述陽極層由層數為 1 層～100 層的 PEDOT:PSS 薄膜組成；在所述第一彩色太陽能電池模塊至第 N
華中科技大學
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學
2021-04-14
一種基于真空吸鑄的非晶合金微細零件的制備方法及裝置
本發明公開了一種非晶合金微細零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內；準備用于制備非晶合金微細零件的硅模具，將該硅模具置于內部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護氣，對非晶合金原材料進行熔煉，并通過降低銅模具內的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內；脫模即可得到非晶合金微細零件。本發明還公開一種非晶合金微細零件的制備裝置。本發明采用真空吸鑄，克服了非
華中科技大學
2021-04-14
一種高轉矩密度多盤-多氣隙軸向磁通磁場調制永磁電機
本發明提供了一種高轉矩密度多盤-多氣隙軸向磁通磁場調制永 磁電機，其中該永磁電機具有多盤多氣隙結構，由沿軸向方向上依次 交錯排列的若干定子與轉子構成而成，若定子數目為 Ns，轉子數目為 Nr，定子與轉子數目滿足：Ns＝Nr+1(Nr＝2，3，4...)，最外側兩定子 不放置繞組，內側定子放置環形繞組。按照本發明實現的調制永磁電 機，降低了繞組端部長度，減小了電機銅耗，提高了效率，兩側外定 子作為輔助磁路，保留了磁場調制電機的高電磁轉矩密度、高功率因 數等特點，提高了電機的整體轉矩密度，同時兩側外定子
華中科技大學
2021-04-14
一種具有抑制腫瘤細胞多藥耐藥的高活性抗癌新藥甲酰阿地咪
天然產物阿地咪的人工合成衍生甲酰阿地咪（(-)-5-N-formalardeemin）及其藥學上可接受的鹽可作為抗腫瘤藥物應用于治療人類惡性腫瘤。其作為抗腫瘤藥物不僅可直接抑制惡性腫瘤細胞的增長，更為重要的是可作為化療增敏劑，與其它抗腫瘤藥物如阿霉素、長春新堿等聯用，通過逆轉腫瘤細胞的多藥耐藥性而達到有效殺滅腫瘤細胞的作用。更有意義的是，其作為化療藥物增敏劑較其直接作為腫瘤細胞生長抑制劑在治療惡性腫瘤方面更為有效，具有重要的臨床應用前景。
四川大學
2016-04-26
一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管
本發明公開了一種具有共振隧穿結構電子阻擋層的發光二極管，包括：由下而上依次設置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯合
東南大學
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管
本發明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結構的紫外發光二極管，包括：由下至上依次設置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導電層，在n型AlGaN層和透明導電層上分別設置的n型歐姆電極和p型
東南大學
2021-04-14
一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗裝置及方法
本發明公開了一種考慮局部軸向壓力的瀝青混合料水平抗剪性能試驗裝置及方法，裝置包括：瀝青混合料圓柱體試件、圓形鋼墊塊、鋼套筒、半圓環形壓頭、凹形底座、螺栓和剪式千斤頂；方法具體為采用萬能材料試驗機，通過半圓環形壓頭對作用有軸向局部荷載的瀝青混合料圓柱體試件進行勻速加載，由試件變形測定裝置LVDT及數據采集系統自動繪制和記錄試件的荷載?變形曲線，根據讀取
東南大學
2021-04-14
一種針對粗粒組或大尺度單元體試樣的毛細水上升試驗儀
本發明公開了一種針對粗粒組或大尺度單元體試樣的毛細水上升試驗儀，包括基槽，補水罐，過濾箱，抽真空裝置，試樣筒和試樣筒固定組件；試樣筒通過試樣筒固定組件固定在基槽內，基槽的一端通過進水管連接補水罐，基槽的另一端通過出水管連接過濾箱，抽真空裝置設置在試樣筒的頂部；本發明基于單元體試樣截面尺寸與粗顆粒公稱上限粒徑相容機制，研制了一種毛細水上升試驗儀，適用于
東南大學
2021-04-14