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一種基于憶阻的非易失性 D 觸發(fā)器電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實(shí)現(xiàn)了觸發(fā)器的鎖存以及觸發(fā)功能。本發(fā)明所構(gòu)建 D 觸發(fā)器不僅具有傳統(tǒng)觸發(fā)器的功能，而且具備響應(yīng)速度快以及非易失性的特點(diǎn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻的非易失性存儲器、讀寫擦除操作方法及測試電路
本發(fā)明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲器及其讀、寫、擦除操作方法以及測試電路；基于憶阻的非易失性存儲器電路包括憶阻存儲單元、選址開關(guān)、控制開關(guān)以及分壓電路。本電路的設(shè)計(jì)通過行列地址信號對憶阻存儲單元進(jìn)行選址，通過外加脈沖信號對讀、寫、擦除操作進(jìn)行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲器的功能測試電路驗(yàn)證此電路結(jié)構(gòu)的有效性。同時(shí)，在此電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對此基于憶阻的非易失性存儲器電路的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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東北師范大學(xué)在憶阻材料與器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
憶阻器具有運(yùn)行功耗低、讀寫速度快、集成密度高等優(yōu)勢，在信息存儲、邏輯運(yùn)算、類腦計(jì)算等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，被視為推進(jìn)信息技術(shù)發(fā)展的一種變革性技術(shù)。
東北師范大學(xué)
2022-06-08
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一種低阻高通量耐污型水處理膜及其制備方法
項(xiàng)目簡介 本成果處提供一種低阻高通量耐污型水處理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超濾膜為 模板，以 FeCl2為還原劑，在基膜孔道內(nèi)原位化學(xué)沉積生成 Fe3O4納米粒子，以獲得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超濾膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、壽命長等優(yōu) 點(diǎn)。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) （1）阻力小，使用 TiO2 與膜材料共混增強(qiáng)膜的親水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜
本發(fā)明公開了一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜。它包括柔性表面層、粘性液體、貼膜基體。柔性表面層與貼膜基體上均具有凹坑、凸包或溝槽的非光滑結(jié)構(gòu)或者柔性表面層與貼膜基體均呈波浪狀，柔性表面層的邊壁與貼膜基體的邊緣粘結(jié)為一體，二者之間形成密閉腔體，粘性液體填充在柔性表面層與貼膜基體之間。該貼膜通過設(shè)置仿生非光滑柔性表面，將該貼膜粘貼在汽車、高速列車以及城市地鐵車身表面可以有效降低其氣動阻力。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發(fā)器電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實(shí)現(xiàn)了 SR 觸發(fā)器的鎖存以及置位和復(fù)位功
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的濾波電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的低通濾波電路及其 操作方法，該電路由包含憶阻器的一階有源低通濾波電路以及憶阻器 的編程電路構(gòu)成。本發(fā)明利用憶阻器的閾值電壓特性，將憶阻器的工 作模式劃分為模擬工作模式和編程工作模式，通過改變憶阻器的阻值 改變?yōu)V波電路的帶寬。編程電路由憶阻器、四個(gè) NMOS 管以及四個(gè) PMOS 管構(gòu)成，一階有源濾波電路則由憶阻器、電容以及運(yùn)算放大器 構(gòu)成。本發(fā)明還公開了一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據(jù)事件本身及其相關(guān) 特征對事件進(jìn)行編碼并存儲于電路中，通過擦除信號對已存信息進(jìn)行 擦除，并將產(chǎn)生的記憶痕跡信號作為下級電路的輸入信號；檢索電路 能夠?qū)⒂洃浐圹E信號和檢索信號相互匹配進(jìn)而產(chǎn)生相應(yīng)的情景記憶行 為；本發(fā)明可以根據(jù)施加的相關(guān)脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念
華中科技大學(xué)
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜，該薄膜為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上的透明導(dǎo)電層，該柔性透明 導(dǎo)電復(fù)合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導(dǎo)電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開了該
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻器實(shí)現(xiàn)計(jì)算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵操作的計(jì)算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個(gè)計(jì)算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應(yīng)的計(jì)算，并將計(jì)算結(jié)果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中將計(jì)算結(jié)果輸出到存儲器的步驟，實(shí)現(xiàn) 計(jì)算與存儲的融合。通過通信網(wǎng)絡(luò)
華中科技大學(xué)
2021-04-14