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長電進(jìn)銷存系統(tǒng)
南京工程學(xué)院
2021-04-13
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低阻測量
"專業(yè)測量低阻的發(fā)明儀器：可測最低阻值0.000001Ω；在實(shí)際應(yīng)用中，還可測0.000001V的交流電壓和0.000001A的交流電流。 "
廈門大學(xué)
2021-04-10
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體積排阻色譜聯(lián)用型有機(jī)氮檢測器
現(xiàn)有的有機(jī)氮測定方法主要基于差減法，存在多方面測定的累加誤差，結(jié)果難免不夠精確和可靠。本發(fā)明技術(shù)是一種體積排阻色譜聯(lián)用型氮檢測器及應(yīng)用，其對有機(jī)氮的檢測原理在于通過體積排阻色譜柱實(shí)現(xiàn)有機(jī)氮和無機(jī)氮的分離，然后通過石英螺旋管結(jié)合紫外氧化的方式將有機(jī)氮轉(zhuǎn)變?yōu)橄鯌B(tài)氮，通過紫外檢測器檢查硝態(tài)氮在220nm的紫外吸收，實(shí)現(xiàn)定量分析。
南京大學(xué)
2021-04-14
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一種基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的聯(lián)想記憶電路，包括憶阻器、 第一電阻、第二電阻和運(yùn)算比較器；第一電阻和憶阻器依次串聯(lián)在運(yùn) 算比較器的第一輸入端，憶阻器的非串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的 第一輸入端；第一電阻和憶阻器的串聯(lián)連接端作為聯(lián)想記憶電路的第 二輸入端；第二電阻的一端連接至運(yùn)算比較器的第一輸入端，第二電 阻的另一端接地；運(yùn)算比較器的第二輸入端用于連接參考電壓，運(yùn)算 比較器的輸出端作為聯(lián)想記憶電路的輸出端；聯(lián)想記憶電路的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的邏輯非門電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的邏輯非門電路；包括：第六憶 阻器、第七憶阻器、三態(tài)門、第三電阻；所述第六憶阻器的輸入端作 為所述非門電路的輸入端；所述第七憶阻器的輸入端連接電源電壓； 所述三態(tài)門的使能端連接至所述第六憶阻器的輸出端，所述三態(tài)門的 輸入端連接至所述第七憶阻器的輸出端，所述三態(tài)門的輸出端通過所 述第三電阻接地；所述第七憶阻器的輸出端作為所述非門電路的輸出 端。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有門電路的邏輯處理功能，提高了電子設(shè)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
凌云進(jìn)銷存零售版
凌云多店鋪進(jìn)銷存系統(tǒng)零售版主要針對零售店鋪日常業(yè)務(wù)的商品入庫、采購?fù)素洝N售出庫、銷售退換貨、盤點(diǎn)、財(cái)務(wù)管理等工作。全面反映門店的采購、銷售、損耗、財(cái)務(wù)情況，為多店鋪的決策提供了正確的支持平臺，幫助門店更有效、更全面地管理商品，是一款適合零售型的服裝、箱包、裝飾品、童裝、內(nèi)衣店等單店鋪或多店鋪使用的零售店鋪進(jìn)銷存。
青島一凌網(wǎng)集成有限公司
2021-09-09
一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發(fā)器電路
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實(shí)現(xiàn)了 SR 觸發(fā)器的鎖存以及置位和復(fù)位功
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻器實(shí)現(xiàn)計(jì)算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵操作的計(jì)算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個(gè)計(jì)算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應(yīng)的計(jì)算，并將計(jì)算結(jié)果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中將計(jì)算結(jié)果輸出到存儲器的步驟，實(shí)現(xiàn) 計(jì)算與存儲的融合。通過通信網(wǎng)絡(luò)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻器實(shí)現(xiàn)計(jì)算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發(fā)明公開了一種基于憶阻器實(shí)質(zhì)蘊(yùn)涵操作的計(jì)算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個(gè)計(jì)算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網(wǎng)絡(luò)相連接。本發(fā)明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應(yīng)的計(jì)算，并將計(jì)算結(jié)果用憶阻器的阻態(tài)來保 存，省去了傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中將計(jì)算結(jié)果輸出到存儲器的步驟，實(shí)現(xiàn) 計(jì)算與存儲的融合。通過通信網(wǎng)絡(luò)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
鐵電量子隧道結(jié)亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)在前期研究基礎(chǔ)上，基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果在線發(fā)表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質(zhì)量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結(jié)，其中鐵電勢壘層厚為6個(gè)單胞（約2.4nm）。基于隧道結(jié)能帶的設(shè)計(jì)，以及其對阻變速度、開關(guān)比、操作電壓的調(diào)控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機(jī)械硬盤的速度約為1ms, 固態(tài)硬盤的約為1-10ms）、開關(guān)比達(dá)2個(gè)數(shù)量級，且其600ps的阻變速度在85℃時(shí)依然穩(wěn)定（工業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個(gè)量級；一個(gè)存儲單元具有32個(gè)非易失阻態(tài)；寫入的信息預(yù)計(jì)可在室溫穩(wěn)定保持約100年；可重復(fù)擦寫次數(shù)達(dá)108-109次，遠(yuǎn)超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環(huán)境下仍能進(jìn)行信息的寫入，可實(shí)現(xiàn)高溫緊急情況備用。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-10