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一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜
本發明公開了一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜。它包括柔性表面層、粘性液體、貼膜基體。柔性表面層與貼膜基體上均具有凹坑、凸包或溝槽的非光滑結構或者柔性表面層與貼膜基體均呈波浪狀，柔性表面層的邊壁與貼膜基體的邊緣粘結為一體，二者之間形成密閉腔體，粘性液體填充在柔性表面層與貼膜基體之間。該貼膜通過設置仿生非光滑柔性表面，將該貼膜粘貼在汽車、高速列車以及城市地鐵車身表面可以有效降低其氣動阻力。
浙江大學
2021-04-11
一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯構·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了 SR 觸發器的鎖存以及置位和復位功
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的帶寬可調的濾波電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的低通濾波電路及其 操作方法，該電路由包含憶阻器的一階有源低通濾波電路以及憶阻器 的編程電路構成。本發明利用憶阻器的閾值電壓特性，將憶阻器的工 作模式劃分為模擬工作模式和編程工作模式，通過改變憶阻器的阻值 改變濾波電路的帶寬。編程電路由憶阻器、四個 NMOS 管以及四個 PMOS 管構成，一階有源濾波電路則由憶阻器、電容以及運算放大器 構成。本發明還公開了一種基于憶阻器的帶寬可調的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據事件本身及其相關 特征對事件進行編碼并存儲于電路中，通過擦除信號對已存信息進行 擦除，并將產生的記憶痕跡信號作為下級電路的輸入信號；檢索電路 能夠將記憶痕跡信號和檢索信號相互匹配進而產生相應的情景記憶行 為；本發明可以根據施加的相關脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念
華中科技大學
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網絡相連接。本發明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態來保 存，省去了傳統計算機系統中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現 計算與存儲的融合。通過通信網絡
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器實現計算與存儲融合的處理器及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器實質蘊涵操作的計算與存儲融合 的處理器及其操作方法；該處理器由多個計算與存儲融合單元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通過通信網絡相連接。本發明 中使用一種能記憶電阻的器件，即憶阻器。在設計電路時，憶阻器的 阻變特性已參與完成相應的計算，并將計算結果用憶阻器的阻態來保 存，省去了傳統計算機系統中將計算結果輸出到存儲器的步驟，實現 計算與存儲的融合。通過通信網絡
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法， 可編程模擬電路包括：阻變元件、第一電阻、第二電阻、N 型 MOS 管 和 P 型 MOS 管；第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口，阻 變元件的一端與第一電阻的另一端連接，阻變元件的另一端作為可編 程模擬電路的第二端口；N 型 MOS 管的漏極和 P 型 MOS 管的漏極均 連接至阻變元件的另一端，N 型 MOS 管的源極和 P 型 MOS 管的源極 均
華中科技大學
2021-04-14
非石棉基硼、亞麻油雙改性酚醛樹脂基摩阻復合材料
將亞麻油改性酚醛樹脂和硼改性酚醛樹脂預聚物按一定質量比進行混合后作為摩阻材料用雙改性樹脂酚醛樹脂基體，取一定質量分率的玻璃纖維作為摩阻材料增強體，其余組分丁腈橡膠、二氧化硅、碳化硅、二硫化鉬。各組分混合后加入模具中，一定壓力和溫度下，在液壓成型機中保壓一段時間。然后將模具自然冷卻至室溫后脫模，最后進行熱處理消除殘余應力，得到硼、亞麻油雙改性酚醛樹脂基摩阻復合材料。產品性能、指標根據摩擦系數測試結果，本項目制備的硼、亞麻油雙改性酚醛樹脂基摩阻復合材料的摩擦系數對轉速、載荷和
江蘇大學
2021-04-14
基于酞菁納米線具有紅外響應的有機憶阻器及陽離子調節特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現，有望實現非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統的隨機存儲器優越。此外，憶阻是硬件實現人工神經網絡突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質，可以產生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應用。目前，有機憶阻器普遍具有穩定性差、工作機理模糊不清、紅外響應差的不足。所以，研究人員希望能夠開發出具有高穩定性且紅外響應好的有機憶阻器。
南方科技大學
2021-04-13