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本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硅晶圓微盲孔金屬填充裝置，包括孔板和真空回流裝置；所述孔板置于硅晶圓的表面的孔板，孔板上加工有多個(gè)用于填充金屬小球的小孔，小孔與硅晶圓的微盲孔位置一一對(duì)應(yīng)；所述真空回流裝置用于在真空環(huán)境下熔化金屬小球。本實(shí)用新型通過(guò)孔板小孔大小和厚度，金屬小球的大小來(lái)控制每個(gè)小孔內(nèi)外金屬體積和位置，并通過(guò)抽真空來(lái)避免盲孔填充金屬時(shí)由于孔內(nèi)氣室和金屬表面張力的作用而導(dǎo)致空洞缺陷。

規(guī)格參數(shù) 額定功率 36W 功率因數(shù) >0.9 色溫 5000K 頻閃 無(wú)危害 顯色指數(shù) >90 產(chǎn)品尺寸 600×600×12mm 產(chǎn)品重量 3.7?kg 推薦場(chǎng)景 普通教室、階梯教室、錄播教室、教師辦公室 了解更多產(chǎn)品詳情，請(qǐng)與我們聯(lián)系400-703-2833 官網(wǎng)：http://www.leedarson.cn

規(guī)格參數(shù) 額定功率 13W/36W 功率因數(shù) >0.9 色溫 5000K 顯色指數(shù) >90 頻閃 無(wú)危害 產(chǎn)品尺寸 300×300（600）×15mm 產(chǎn)品重量 1.1kg/?3.4?kg 推薦場(chǎng)景 普通教室、階梯教室、錄播教室、教師辦公室 產(chǎn)品特點(diǎn)： 1、微晶防眩、高顯色指數(shù)、超薄設(shè)計(jì)、節(jié)能省電 2、專(zhuān)業(yè)護(hù)眼、權(quán)威認(rèn)證、綠色環(huán)保、超長(zhǎng)壽命 了解更多產(chǎn)品詳情，請(qǐng)與我們聯(lián)系400-703-2833 官網(wǎng)：http://www.leedarson.cn

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江蘇偉創(chuàng)晶智能科技有限公司于2016年03月06日成立。法定代表人丁基勇，公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：智能控制系統(tǒng)研發(fā)；計(jì)算機(jī)軟件開(kāi)發(fā)、銷(xiāo)售；微電網(wǎng)控制系統(tǒng)、工業(yè)電力自動(dòng)化控制系統(tǒng)研發(fā)、制造；新能源汽車(chē)、機(jī)器人設(shè)備、教學(xué)科研設(shè)備、節(jié)能環(huán)保設(shè)備研發(fā)、組裝、銷(xiāo)售；光伏發(fā)電系統(tǒng)、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)設(shè)計(jì)、施工；儀器儀表銷(xiāo)售等。

主要特點(diǎn)1、微電腦自動(dòng)控制，中文界面，液晶顯示，觸摸屏操作，簡(jiǎn)捷、直觀、方便。全程電腦自動(dòng)控制，無(wú)需人工干預(yù)。2、每張標(biāo)本獨(dú)立沉降制片、獨(dú)立固定、獨(dú)立染色。獨(dú)立分化、獨(dú)立返藍(lán)、獨(dú)立傾倒廢液,標(biāo)本與耗材(一次性移液針筒、沉降倉(cāng)等)一一對(duì)應(yīng)，不交叉使用，不反復(fù)使用，保證單獨(dú)制片染色，無(wú)標(biāo)本間交叉污染。3、一次性移液針筒抽取染色液、鹽酸酒精，無(wú)堵塞管道、腐蝕管道風(fēng)險(xiǎn)，染色液無(wú)浪費(fèi)。4、隨著季節(jié)溫度變化，儀器自動(dòng)檢測(cè)溫度并自動(dòng)調(diào)整染色時(shí)間，保證最佳染色效果。(此功能可選擇)5、有效細(xì)胞單層、均勻地平鋪到載玻片圓形區(qū)域上，制成細(xì)胞成分豐富、背景清晰、顏色鮮艷、形態(tài)完整、分布均勻的細(xì)胞涂片。6、上皮細(xì)胞、化生細(xì)胞、頸管細(xì)胞及微生物等清晰，既可直接查癌及癌前病變，也可查炎癥，HPV感染、滴蟲(chóng)、霉菌等微生物。7、配有凈化排氣裝置，環(huán)保密封罩活性炭過(guò)濾，吸附有害氣體，保證儀器內(nèi)外空氣潔凈，保護(hù)操作者健康。8、單次制片染色1-64任意數(shù)值只標(biāo)本；9、巴氏、HE兩種染色方式，一鍵切換。10、婦科、非婦科1、非婦科2三種工作模式，一鍵切換。

本項(xiàng)目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進(jìn)性：為了實(shí)現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項(xiàng)目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計(jì)體系，為了使其同時(shí)具有良好的磁光和微波特性，本項(xiàng)目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計(jì)了材料配方，并選用無(wú)鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無(wú)大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無(wú)鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。研究?jī)?nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計(jì)研究：基于四能級(jí)躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無(wú)鉛配方、生長(zhǎng)速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗(yàn)證研究，設(shè)計(jì)制備平面波導(dǎo)型磁光開(kāi)關(guān)對(duì)材料磁光性能的驗(yàn)證。 技術(shù)指標(biāo)：（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達(dá)到3英寸，單面薄膜厚度達(dá)到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進(jìn)行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計(jì)、制備和測(cè)試工作。 促進(jìn)科技進(jìn)步作用意義：本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿(mǎn)足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴(lài)進(jìn)口、受制于人的不利局面。該項(xiàng)目研制的材料已提供給中電集團(tuán)41所、美國(guó)Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、深圳市通能達(dá)電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團(tuán)9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評(píng)。

本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無(wú)大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無(wú)鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于紅外成像的薄膜測(cè)厚儀，包括光源、準(zhǔn)直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測(cè)量路散射玻璃、測(cè)量路紅外濾光片、測(cè)量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測(cè)量時(shí)參考物經(jīng)反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測(cè)物經(jīng)反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計(jì)算機(jī)，經(jīng)圖像處理后根據(jù)圖像的灰度值 求得被測(cè)物的厚度；如此形成雙光路測(cè)量系統(tǒng)，避免了光源光強(qiáng)變化 的影響；使用散射光透射成像的測(cè)量體系，避免了傳統(tǒng)紅外測(cè)厚裝置 中存在的干涉影響；設(shè)置具有多個(gè)局部標(biāo)準(zhǔn)厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個(gè)局部標(biāo)準(zhǔn)厚度，從而能夠更加精確地測(cè)量薄膜厚度。 

柔性智能互動(dòng)終端的關(guān)鍵材料與傳感器件是實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)革命的重要技術(shù)，柔性透明導(dǎo)電薄膜為其 中不可取代的關(guān)鍵元件。本團(tuán)隊(duì)在前期工作中針對(duì)納米銀線透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，包含材料合 成、導(dǎo)電墨水配方調(diào)制、大面積卷對(duì)卷制程工藝和柔性觸控樣機(jī)制備，已經(jīng)初步建立起一條從材料、工藝 到器件應(yīng)用的產(chǎn)學(xué)模式；并做了一系列十余項(xiàng)的專(zhuān)利布局（發(fā)明專(zhuān)利12篇，授權(quán)專(zhuān)利6篇）。其采用的技 術(shù)方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調(diào)制、基于表面能差異化驅(qū)動(dòng)的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統(tǒng)的激光、黃光刻蝕，溶液態(tài)的圖形化方式成本更低，同時(shí)可保證滿(mǎn)足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩(wěn)定性的納米銀導(dǎo)電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩(wěn)定性提升方案，相較于業(yè)界 傳統(tǒng)的單級(jí)分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問(wèn)題，而常規(guī)精餾方法又會(huì)使某 些活性組分發(fā)生熱變質(zhì)或分解能等不足。薄膜蒸發(fā) 與精餾是一種特殊的液－液分離技術(shù)，本技術(shù)成果 將薄膜蒸發(fā)的高效蒸發(fā)性與精密精餾的高分離度融 合于一臺(tái)完整的設(shè)備中，既可避免熱敏性物質(zhì)長(zhǎng)期 暴露于加熱器內(nèi)，又可使各組分通過(guò)