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硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，實現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構(gòu)成兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測，首先對待測信號的頻率進(jìn)行檢測。頻率檢測通過測量兩路在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱式未知頻率毫米波相位檢測器，其實現(xiàn)結(jié)構(gòu)主要包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測，首先對待測信號的頻率進(jìn)行檢測。頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在所測信號頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路相位差為９
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)直接加熱在線式毫米波相位檢測器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和直接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測信號，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測。最后根據(jù)兩個直接加熱式微波
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱在線式毫米波相位檢測器，主要由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)和間接加熱式微波功率傳感器構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測信號，通過錨區(qū)與Ｔ型結(jié)相連，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號通過Ｔ型結(jié)分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過Ｔ型結(jié)合成，Ｔ型結(jié)的輸出端連接到間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功率檢測。最后根據(jù)兩個間接加熱式微波
東南大學(xué)
2021-04-14
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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在礦物基結(jié)構(gòu)材料的仿生礦化制備領(lǐng)域取得系列進(jìn)展
探究源自生物礦物材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計原理無疑將為人工礦物基新材料的研發(fā)提供重要啟發(fā)和依據(jù)，然而如何在人工材料中設(shè)計和制造這些復(fù)雜結(jié)構(gòu)，一直是困擾科學(xué)界的難題。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-10-17
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5-醛基胞嘧啶的標(biāo)記方法及其在單堿基分辨率測序中的應(yīng)用
本項目采用化學(xué)生物學(xué)手段，篩選出特異性成環(huán)標(biāo)記5-醛基胞嘧啶（5fC）的化合物——疊氮茚二酮和丙二腈，并且標(biāo)記產(chǎn)物在隨后的PCR擴(kuò)增過程實現(xiàn)胞嘧啶（C）到胸腺嘧啶（T）的轉(zhuǎn)變，可實現(xiàn)全基因組5-醛基胞嘧啶的單堿基分辨率檢測。用疊氮茚二酮標(biāo)記作為標(biāo)記化合物，可實現(xiàn)對含有5-醛基胞嘧啶DNA片段的先富集再測序，將測序成本大大降低。用生物相容性很好的丙二腈作為標(biāo)記化合物，可實現(xiàn)單細(xì)胞水平的5-醛基胞嘧啶單堿基分辨率檢測。血液中細(xì)胞外游離DNA上的核酸修飾可以作為人類癌癥的生物標(biāo)記物，本項目涉及的核酸修飾檢測技術(shù)，不會造成DNA降解，適應(yīng)于臨床小量珍貴樣品，在癌癥的液態(tài)活檢上具有重大潛力。
北京大學(xué)
2021-01-12
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一種復(fù)合結(jié)構(gòu)體相到表面含聚陰離子的富鋰錳基正極材料
本申請涉及全固態(tài)電池領(lǐng)域，具體涉及一種復(fù)合結(jié)構(gòu)體相到表面含聚陰離子的富鋰錳基正極材料。本申請將含聚陰離子的鋰鹽與層狀富鋰錳基正極材料通過熱處理和高能球磨反應(yīng)，形成含聚陰離子的層狀/巖鹽富鋰錳基正極材料。本申請所述正極材料一方面可以利用聚陰離子基團(tuán)以及巖鹽相的同時存在提升結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，提高陰離子反應(yīng)可逆性；另外一方面，殘余的聚陰離子鋰鹽改善電極與固態(tài)電解質(zhì)界面間的離子傳輸，實現(xiàn)了電化學(xué)性能的提高，最終提升全固態(tài)電池的比容量和循環(huán)性能。本發(fā)明公開方法易于規(guī)模化生產(chǎn)，容易與現(xiàn)有制造設(shè)備的基礎(chǔ)上進(jìn)行匹配，為未來全固態(tài)電池實現(xiàn)高能量密度創(chuàng)造了可能性。
南京工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
可實現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11
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基結(jié)構(gòu)特異性醇/酯制備用高選擇性工業(yè)酶的高效創(chuàng)制關(guān)鍵 技術(shù)
結(jié)構(gòu)特異性醇/酯因其獨特的理化性質(zhì)與生理功能在食品、醫(yī)藥和化工等領(lǐng) 域具有重要的應(yīng)用價值。本項目針對立體特異性芳基醇和位置特異性結(jié)構(gòu)脂質(zhì)為典型代表的高附加值醇/酯，解決其綠色制造過程中關(guān)鍵酶選擇性差，工業(yè)適應(yīng)性弱，表達(dá)制備成本高以及催化反應(yīng)效率低的關(guān)鍵技術(shù)難題，開展工業(yè)酶的定向篩選、功能強(qiáng)化、高效表達(dá)及應(yīng)用技術(shù)研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)和適合工業(yè)化要求的高選擇性、高活性、高穩(wěn)定性工業(yè)酶（脂肪酶和氧化還原酶）的高效創(chuàng)制及應(yīng)用技術(shù)體系，打破國際技術(shù)壁壘，推動了我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和持續(xù)健康發(fā)展。
江南大學(xué)
2021-04-11
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大規(guī)模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。
上海理工大學(xué)
2021-04-11