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鋁酸鈰納米棒電子封裝材料
簡介：本發(fā)明公開了一種鋁酸鈰納米棒電子封裝材料，屬于結構材料技術領域。本發(fā)明鋁酸鈰納米棒電子封裝材料的質量百分比組成如下：鋁酸鈰納米棒65?80％、聚乙二醇3?6％、聚丙乙烯3?6％、木質素磺酸鈉0.05?0.5％、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷3?8％、乙烯?四氟乙烯共聚物10?15％，鋁酸鈰納米棒的直徑為30?100nm、長度為1?2μm。本發(fā)明提供的鋁酸鈰納米棒電子封裝材料具有耐老化及耐腐蝕性能優(yōu)良、易加工、絕緣性好、熱膨脹系數(shù)小、導熱系數(shù)高等特點，在電子封裝領域具有良好的應用前景。
安徽工業(yè)大學
2021-04-13
止血芳酸殘渣的資源化利用
我國生產(chǎn)止血芳酸的企業(yè)主要有：常州寅盛藥業(yè)有限公司、湖南洞庭藥業(yè)有限公司、常州市遠華化工有限公司、常州市陽光藥業(yè)有限公司等企業(yè)。多是采用以對甲基苯甲酸為原料，在溶劑中氯化，得到對氯甲基苯甲酸，然后和氨水反應，得到對氨甲基苯甲酸，通過精制得到最終產(chǎn)品止血芳酸。 在氯化過程中，為了控制雜質的生成，對甲基苯甲酸的氯化轉化率一般控制在60-65%，這樣就會產(chǎn)生大量的固體廢料。以常州寅盛藥業(yè)有限公司為例，企業(yè)2014年生產(chǎn)止血芳酸400噸，產(chǎn)生這種固體廢料約300噸（折干計）。目前多是以固廢的
常州大學
2021-04-14
鈦酸鍶環(huán)形壓敏電阻器
鈦酸鍶環(huán)形壓敏電阻器（STR）是以SrTiO3 為主要成分，添加微量稀土元素及金屬氧化物，經(jīng)球磨、噴霧造粒、成型、高溫還原氣氛下燒結，再經(jīng)熱處理，印制銀電極，電性能測量分選而制得的，是國際上八十年代末九十年代初發(fā)展起來的一種新型多功能復合電子元件。該產(chǎn)品結構簡單，制造工藝流程短，適應于自動化大生產(chǎn)，原材料（除銀漿外）全部國產(chǎn)化，因此成本較低，從配方到工藝有
西安交通大學
2021-01-12
鎳酸鉍納米線多功能涂料
（專利號：ZL 201510055852.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種鎳酸鉍納米線多功能涂料，屬于涂料技術領域。該涂料的質量百分比組成如下：鎳酸鉍納米線21?38％、納米硅酸鈣6?14％、水性氟碳乳液11?21％、苯乙烯丙烯酸酯共聚合物乳液4?9％、丙二醇甲醚醋酸酯3?8％、羥基硅油乳液4?8％、水17?33％、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸鈉1?3％、聚酰胺蠟0.5?2％、有機膨潤土0.3?1％、二甲基亞砜0.3?1％、聚丙烯酰胺0.05?0.2
安徽工業(yè)大學
2021-01-12
大尺寸多頻段應用BiLuIG單晶薄膜材料
本項目屬于電子信息功能材料技術領域。 特色及先進性：為了實現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應用于磁光器件，又可應用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據(jù)晶格匹配原則設計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。研究內容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設計研究：基于四能級躍遷模型，并結合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設計制備平面波導型磁光開關對材料磁光性能的驗證。 技術指標：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達到3英寸，單面薄膜厚度達到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設計、制備和測試工作。 促進科技進步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關器件研究上的瓶頸技術，獲得了高法拉第效應和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團41所、美國Delaware大學、天津大學、中國工程物理研究院、深圳市通能達電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。
電子科技大學
2021-04-10
大尺寸多頻段應用BiLuIG單晶薄膜材料
本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點科學問題。
電子科技大學
2021-04-10
一種基于紅外成像的薄膜測厚儀
本發(fā)明公開了一種基于紅外成像的薄膜測厚儀，包括光源、準直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測量路散射玻璃、測量路紅外濾光片、測量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測量時參考物經(jīng)反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測物經(jīng)反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計算機，經(jīng)圖像處理后根據(jù)圖像的灰度值 求得被測物的厚度；如此形成雙光路測量系統(tǒng)，避免了光源光強變化 的影響；使用散射光透射成像的測量體系，避免了傳統(tǒng)紅外測厚裝置 中存在的干涉影響；設置具有多個局部標準厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個局部標準厚度，從而能夠更加精確地測量薄膜厚度。
華中科技大學
2021-04-11
薄膜蒸發(fā)與精餾耦合分離技術及設備
柔性智能互動終端的關鍵材料與傳感器件是實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)技術革命的重要技術，柔性透明導電薄膜為其 中不可取代的關鍵元件。本團隊在前期工作中針對納米銀線透明導電薄膜進行了系統(tǒng)的研究，包含材料合 成、導電墨水配方調制、大面積卷對卷制程工藝和柔性觸控樣機制備，已經(jīng)初步建立起一條從材料、工藝 到器件應用的產(chǎn)學模式；并做了一系列十余項的專利布局（發(fā)明專利12篇，授權專利6篇）。其采用的技 術方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調制、基于表面能差異化驅動的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統(tǒng)的激光、黃光刻蝕，溶液態(tài)的圖形化方式成本更低，同時可保證滿足柔 性觸控傳感器的線寬/線距要求； （2）高穩(wěn)定性的納米銀導電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線穩(wěn)定性提升方案，相較于業(yè)界 傳統(tǒng)的單級分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問題，而常規(guī)精餾方法又會使某 些活性組分發(fā)生熱變質或分解能等不足。薄膜蒸發(fā) 與精餾是一種特殊的液－液分離技術，本技術成果 將薄膜蒸發(fā)的高效蒸發(fā)性與精密精餾的高分離度融 合于一臺完整的設備中，既可避免熱敏性物質長期 暴露于加熱器內，又可使各組分通過
中山大學
2021-04-10
透明防偽包裝薄膜—透明激光全息防偽膜
該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級替換品。這種薄膜結構簡單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復制到鎳質金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。
同濟大學
2021-04-11
太陽電池用ZAO透明導電薄膜
透明導電氧化物薄膜具有良好的導電性能和透光性能，廣泛應用于平面液晶顯示（LCD）、電致發(fā)光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當一段時間內, In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導電氧化物薄膜得到了極廣泛的應用，但ITO 薄膜中的銦有毒，在制造和應用中對人體有害；ITO 中的In2O3 的價格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應用。新型透明導電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價格便宜,來源豐富,無毒,并且在氫等離子中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO，在很多領域特別是太陽電池領域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢。本產(chǎn)品是多層ZAO透明導電膜，具有透過率高和電阻率低的優(yōu)點，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結構應用于薄膜太陽能電池中。 透明導電膜的主要性能指標有兩個：透過率和方阻。產(chǎn)業(yè)化對透明導電膜透過率的要求一般要達到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見光區(qū)域的平均透過率大于９５％，是國際最高水平。國外科研人員制備的ZAO透明導電膜室溫電阻率最低可達3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達3Ω/□。國內制備的ZAO透明導電膜一般平均透過率約為80%，電阻率在10-3數(shù)量級。 本產(chǎn)品具體性能指標是：透過率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽電池是正在蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。國務院剛剛頒布的《可再生能源中長期發(fā)展規(guī)劃》中明確提出：到2010年，太陽能發(fā)電總容量達到30萬千瓦，其中全國將建成1000個屋頂光伏發(fā)電項目，總容量5萬千瓦，大型并網(wǎng)光伏電站總容量2萬千瓦；到2020年，太陽能發(fā)電總容量達到180萬千瓦，其中全國建成2萬個屋頂光伏發(fā)電項目，總容量100萬千瓦，太陽能光伏電站總容量將達到20萬千瓦；另外，光伏發(fā)電在通訊、氣象、長距離管線、鐵路、公路等領域的應用，計劃到2010年也將累計達到3萬千瓦，到2020年將達到10萬千瓦。而全球太陽能光伏市場將從2000年的10億美元到2015年擴大到1500億美元。透明導電薄膜是太陽電池中關鍵的薄膜，需求巨大。
上海理工大學
2021-04-11