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硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電堆是由兩種不同的半導(dǎo)體
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過(guò)錨區(qū)與功率合成器相連，耦合信號(hào)的功率相等，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過(guò)功率分配器分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過(guò)功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種改性香菇培養(yǎng)基廢料重金屬吸附劑制備和應(yīng)用方法
采用化學(xué)藥劑和焙燒復(fù)合改性方法提高天然香菇培養(yǎng)基廢料吸附重金屬離子的能力，開發(fā)了一種改性香菇培養(yǎng)基廢料重金屬吸附劑，特別適合于微污染含重金屬陽(yáng)離子的污水處理，如礦山污水、冶煉污水、電鍍污水以及其它行業(yè)含重金屬污水的深度處理。所用原料香菇培養(yǎng)基廢料成本廉價(jià)，制備工藝簡(jiǎn)單，而且吸附飽和的材料可以通過(guò)熱處理回收重金屬，無(wú)二次污染產(chǎn)生。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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大型沉管隧道水下基槽浚邊坡穩(wěn)定性、承載力和變形分析
1.依據(jù)海河實(shí)際土質(zhì)條件，提出了基槽水下開挖下部和上部坡率建議值；2.提出了適合濱海軟土地層特性的水下開挖法及合理的超挖值；3.提出了適合海河沉管隧道的水下邊坡檢測(cè)要求和減少基底回淤的施工措施；4.通過(guò)應(yīng)力路徑試驗(yàn)方法，進(jìn)行模擬基坑開挖時(shí)主動(dòng)區(qū)側(cè)向卸荷試驗(yàn)（DEP）和固結(jié)試驗(yàn)，得到主動(dòng)區(qū)卸荷狀態(tài)下土的強(qiáng)度參數(shù)；5.編制了天津市地方標(biāo)準(zhǔn)《內(nèi)河沉管法隧道設(shè)計(jì)、施工及驗(yàn)收規(guī)范》DB/T29-219-2013。 在海河下游軟土地層環(huán)境下，針對(duì)內(nèi)河沉管沉放過(guò)程中存在的技術(shù)難題，形成了對(duì)沉
天津城建大學(xué)
2021-01-12
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基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè) 器及其制備方法，涉及半導(dǎo)體材料制備的射線成像探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。 所述的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個(gè)電極分別與兩個(gè)選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負(fù)極。本發(fā)明的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器具備高靈敏度，環(huán)境友 好，穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種基于水性樹脂的超細(xì)纖維合成革基布的含浸方法
本發(fā)明公開了一種基于水性樹脂的超細(xì)纖維合成革基布的含浸方法。首先將固含量為20~50%的水性耐堿水解型聚氨酯乳液100份，固含量30~40%的堿溶性丙烯酸及其酯共聚物乳液40-100份，水0~250份，增稠劑0.6~3份混合均勻，制得水性含浸漿料；然后將超細(xì)纖維纖無(wú)紡布浸漬于水性含浸漿料中，然后干燥5~20min；接著用5~15%的氫氧化鈉水溶液中進(jìn)行堿減量處理，減量溫度為80~95℃，減量時(shí)間為30~120min，丙烯酸及其酯共聚物水解溶出，從而在超細(xì)纖維合成革中形成泡孔結(jié)構(gòu)；堿減量后的基布進(jìn)行水洗、烘干，最后經(jīng)后整理得到超細(xì)纖維合成革。
四川大學(xué)
2017-12-28
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在催化不對(duì)稱自由基去對(duì)稱化反應(yīng)領(lǐng)域取得研究新進(jìn)展
利用前手性或內(nèi)消旋的烯基1,3-二醇為原料，三氟甲基碘試劑或氟烷基磺酰氯為氟烷基自由基前體，在Cu(I)和手性磷酸協(xié)同催化下首次實(shí)現(xiàn)了去對(duì)稱化不對(duì)稱自由基反應(yīng)。該反應(yīng)具有很好的非對(duì)映選擇性和對(duì)映選擇性，同時(shí)反應(yīng)條件溫和，底物適用范圍廣泛，為具有多個(gè)手性中心的四氫呋喃骨架化合物的合成提供了一條新的途徑
南方科技大學(xué)
2021-04-14
硅基微機(jī)械懸臂梁耦合直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基微機(jī)械懸臂梁耦合直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器和直接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)左右對(duì)稱，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過(guò)錨區(qū)與功率合成器相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過(guò)功率分配器分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過(guò)功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、兩個(gè)終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱
東南大學(xué)
2021-04-14
可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長(zhǎng)ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問(wèn)題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11