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鎮(zhèn)江凱奇智能科技有限公司
2022-05-27
42001金屬礦物、金屬及合金標(biāo)本
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
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一種熒光硅納米點(diǎn)及其制備方法與應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種熒光硅納米點(diǎn)（ＳｉＮＤｓ），它是由硅烷和孟加拉玫瑰紅以水熱法一步制備得到的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所制備的ＳｉＮＤｓ具有超高的熒光量子產(chǎn)率（１００％），且能實(shí)現(xiàn)對(duì)哺乳動(dòng)物細(xì)胞溶酶體的長(zhǎng)時(shí)間特異成像。此外，該ＳｉＮＤｓ的溶酶體成像效果不受細(xì)胞清洗、固定和透化等影響，具有耐清洗、耐固定和耐透化的優(yōu)點(diǎn)。同時(shí)，該ＳｉＮＤｓ還具有制備成本低、合成方法簡(jiǎn)單、水分散性好、熒光發(fā)射峰寬窄、光穩(wěn)定性好、細(xì)胞相容性好、細(xì)胞光毒性低等優(yōu)點(diǎn)，有望成為新型的溶酶體熒光探針。
東南大學(xué)
2021-04-11
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低成本為中品位硅鈣質(zhì)膠磷礦選礦工藝
20世紀(jì)八十年代，采用正反浮選技術(shù)富集中低品位硅鈣質(zhì)磷塊巖技術(shù)，在降低磷礦中MgO含量方面取得突破性進(jìn)展。而這一當(dāng)時(shí)鑒定為“國(guó)際先進(jìn)”得技術(shù)因直接經(jīng)濟(jì)效益不顯著未能生產(chǎn)。故全面大幅度降低選礦成本是使正浮選技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)力的關(guān)鍵。本項(xiàng)目針對(duì)這一問(wèn)題，提出了一套完整的選礦工藝。
武漢工程大學(xué)
2021-04-11
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硅質(zhì)機(jī)制砂高吸附性石粉改性劑
隨著建筑行業(yè)的蓬勃發(fā)展，混凝土的使用量越來(lái)越大，砂石骨料作為混凝土的基本組分，正在被快速消耗。由于我國(guó)地域廣闊，各地的巖石成分都不盡相同，生產(chǎn)出的機(jī)制砂成分差異較大，現(xiàn)在用得比較多的是石灰?guī)r質(zhì)機(jī)制砂（鈣質(zhì)機(jī)制砂）。該類石粉不僅具有一定的減水作用，提高混凝土的和易性，還可以為水泥水化過(guò)程提供晶核，提高混凝土的早期強(qiáng)度，其優(yōu)良的微集料效應(yīng)還可以增強(qiáng)混凝土的耐久性。華中、華東、西北大部分地區(qū)，存在大量的硅質(zhì)機(jī)制砂，這種硅質(zhì)石粉對(duì)減水劑的吸附量遠(yuǎn)大于鈣質(zhì)石粉，導(dǎo)致混凝土在拌合過(guò)程中大量減水劑被吸附，混凝土初始坍落度低，坍落度損失大。為了解決這一問(wèn)題，目前應(yīng)用最廣泛的方法是提高外加劑的摻量，這大大增加了混凝土成本。因此研發(fā)專門的硅質(zhì)機(jī)制砂石粉改性劑尤為必要。在油浴的環(huán)境中，把一定比例的原料放入三口燒瓶中，經(jīng)過(guò)減壓蒸餾過(guò)程制備成一種黃色的小分子聚合物，然后水洗，用堿液中和pH到7．0左右，配制成硅質(zhì)機(jī)制砂改性劑。改性劑的濃度為5%，推薦摻量為膠凝材料總和加石粉質(zhì)量的1%～1.5%。在不增加聚羧酸減水劑摻量的情況下，硅質(zhì)機(jī)制砂改性劑可以有效地增大硅質(zhì)機(jī)制砂混凝土的初始坍落度，降低混凝土的30min、60min坍落度損失，另外其對(duì)強(qiáng)度的影響較小。硅質(zhì)機(jī)制砂改性劑由于分子結(jié)構(gòu)存在帶正電結(jié)構(gòu)，依靠靜電作用可以有效吸附在顆粒表面，依靠分散作用和吸附絡(luò)合作用使得混凝土具有良好的和易性。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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硅諧振微傳感器頻率特性測(cè)試儀
該儀器主要用于測(cè)量諧振微傳感器（也適用于所有諧振式傳感器）的動(dòng)力學(xué)特性：諧振頻率，微振幅，品質(zhì)因數(shù)、幅頻特性、相頻特性等；它也是實(shí)現(xiàn)閉環(huán)自激系統(tǒng)以及研制和開(kāi)發(fā)各種諧振式微傳感器，如微加速度計(jì)和微陀螺等不可缺少的測(cè)試設(shè)備；本儀器的若干新技術(shù)也可直接應(yīng)用于其他需要進(jìn)行微弱信號(hào)檢測(cè)和處理的場(chǎng)合。適用于從事自動(dòng)化、測(cè)控技術(shù)、傳感器、儀器儀表等科研院所、企業(yè)和高等院校的科研和教學(xué)方面的應(yīng)用。測(cè)試儀的創(chuàng)新點(diǎn)為：綜合應(yīng)用了多項(xiàng)新技術(shù)，研制過(guò)程中發(fā)展了弱信號(hào)相關(guān)檢測(cè)技術(shù)，超低頻、低噪聲恒流源技術(shù)。
北京航空航天大學(xué)
2021-04-13
超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料
技術(shù)特點(diǎn)超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動(dòng)態(tài)法生產(chǎn)。是我國(guó)首次自主開(kāi)發(fā)的適合我國(guó)國(guó)情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實(shí)現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過(guò)日本JISA9510-1984 標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無(wú)機(jī)硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時(shí)具有較高的強(qiáng)度。其耐熱溫度為 1000℃，在常見(jiàn)的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場(chǎng)合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品
北京科技大學(xué)
2021-04-13
超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料
1．技術(shù)特點(diǎn) 超輕硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料（容重≤170kg/m3）以普通建筑石灰及天然粉石英為基本原料，采用高壓水熱動(dòng)態(tài)法生產(chǎn)。是我國(guó)首次自主開(kāi)發(fā)的適合我國(guó)國(guó)情的超輕型產(chǎn)品，采用全天然原料，以最低的成本實(shí)現(xiàn)了批量工業(yè)生產(chǎn)。其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過(guò)日本JISA9510-1984標(biāo)準(zhǔn)。是目前所有無(wú)機(jī)硬質(zhì)保溫材料中容重最小，導(dǎo)熱系數(shù)最低的一種，同時(shí)具有較高的強(qiáng)度。其耐熱溫度為1000℃，在常見(jiàn)的保溫材料中也是較高的一種，因此可以在許多場(chǎng)合取代輕質(zhì)耐火磚、輕質(zhì)澆注料、珍珠巖制品、蛭石制品、礦棉、玻璃棉制品及耐火纖維制品。 本材料本項(xiàng)目所開(kāi)發(fā)的170硬硅鈣石型硅酸鈣保溫材料本產(chǎn)品樣品檢測(cè)結(jié)果如下： 容重： 170kg/m3 導(dǎo)熱系數(shù)： 0.045W/m×K(70℃) 抗折強(qiáng)度： 0.29MPa 最高使用溫度： 1000℃ (1000℃×3小時(shí)燒后線收縮1.04％) 2．技術(shù)成熟程度 已實(shí)現(xiàn)批量工業(yè)生產(chǎn)，并成功地進(jìn)行了應(yīng)用試驗(yàn)。 3．應(yīng)用范圍 適用于建材、冶金、石油、化工、電力、輕工等行業(yè)熱工設(shè)備的絕熱保溫，屬環(huán)境友好型材料。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅基液晶的波長(zhǎng)分辨監(jiān)測(cè)方法。基于硅 基液晶在同樣的偏置電壓下，對(duì)不同波長(zhǎng)入射光有不同的相位調(diào)制的 特性，對(duì)在硅基液晶波長(zhǎng)工作范圍內(nèi)的光信號(hào)實(shí)現(xiàn)分析與監(jiān)測(cè)，并能 在入射光波長(zhǎng)未知的條件下，對(duì)該波長(zhǎng)進(jìn)行測(cè)量，并能隨著相位調(diào)制 精度的提高，提高波長(zhǎng)的分辨精度。本發(fā)明元件少，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊 湊，對(duì)光路的準(zhǔn)直要求不高，無(wú)需苛刻光路的耦合與復(fù)雜操作就能進(jìn) 行波長(zhǎng)的分辨，并且有著與入射光偏振態(tài)無(wú)關(guān)的特性，在分辨出波長(zhǎng) 的同時(shí)，還能對(duì)入射光束的偏振態(tài)進(jìn)行測(cè)量，適用范圍更廣。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術(shù)可以有效的解決集成電路進(jìn)一步發(fā)展的尺寸限制同時(shí)可以極大的提高芯片間信息傳輸?shù)乃俣群皖l率。Si基光子集成是實(shí)現(xiàn)集成電路光互聯(lián)的核心技術(shù)和重要研究方向。然而，Si因?yàn)槠溟g接帶系的特性很難作為發(fā)光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統(tǒng)Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優(yōu)良的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)在光電子器件領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實(shí)現(xiàn)Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學(xué)
2021-04-14