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一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法
本發(fā)明公開了一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質(zhì)結(jié)電池的制備方法。該方法在傳統(tǒng)的 PbI2 前驅(qū)體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時(shí)形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長(zhǎng)的均勻性。在空氣中 100℃燒結(jié) 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學(xué)
2021-04-14
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低粗糙度低方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜及其制備方法
本發(fā)明屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導(dǎo)電復(fù)合薄膜，該薄膜為三層復(fù)合結(jié)構(gòu)，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構(gòu)成的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)上的透明導(dǎo)電層，該柔性透明 導(dǎo)電復(fù)合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內(nèi)保持高于 80％的透光率，該透明導(dǎo)電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發(fā)明還公開了該
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導(dǎo)體材料 與器件制備領(lǐng)域，解決現(xiàn)有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實(shí)現(xiàn)禁帶寬度和能帶位置的連續(xù)可調(diào)，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機(jī)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發(fā)源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發(fā)源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅(qū)動(dòng)式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側(cè)的電極凹槽；微流控芯片基片還設(shè)有進(jìn)樣口、出樣口和銀漿注入口，進(jìn)樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發(fā)明制作簡(jiǎn)單，成本低廉
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種制備高臨界電流密度釔鋇銅氧超導(dǎo)薄膜的方法
本新技術(shù)成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授權(quán)。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
密封真空光纖饋通法蘭真空室導(dǎo)光半導(dǎo)體和薄膜處理應(yīng)用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25
PT100鉑電阻溫度傳感器低溫測(cè)量薄膜型鉑熱電阻
北京錦正茂科技有限公司
2022-02-10
PT100鉑熱電阻低溫溫度計(jì)薄膜型溫度傳感器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-05
一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的系統(tǒng)及其方法，所述系統(tǒng)沿著薄膜輸送方向依次包括開卷裝置、第一檢測(cè)裝置、上料裝置、壓合裝置、第二檢測(cè)裝置、裁切裝置、第三檢測(cè)裝置、下料裝置以及收卷裝置。其中開卷和收卷裝置分別用于將薄膜展開和纏繞收卷，上料和壓合裝置分別用于真空吸附片材和將片材在薄膜上疊合，裁切裝置用于對(duì)復(fù)合疊層執(zhí)行斷點(diǎn)切斷，第一、第二和第三檢測(cè)裝置用于檢測(cè)柔性薄膜的輸送、疊合對(duì)位和裁切效果予以檢測(cè)和反饋，下料裝置用于對(duì)復(fù)合疊層執(zhí)行下料及分類處理。通過本發(fā)明，能夠保證薄膜的穩(wěn)定輸送及其與片材之間的精確定位，防止片材出現(xiàn)彎曲和脆裂現(xiàn)象，而且便于對(duì)復(fù)合疊層進(jìn)行裁切和分類處理。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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一種顯示中高牌號(hào)無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法
簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種顯示中高牌號(hào)無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法，屬于金相檢驗(yàn)分析技術(shù)領(lǐng)域。該侵蝕劑的成分及配比為：苦味酸1.5～2.0g，蒸餾水35～50ml，鹽酸0.4～0.6ml，無水氯化銅0.3～0.5g，十二烷基苯磺酸鈉0.5～1g。該侵蝕劑的侵蝕方法：先將已配好的侵蝕劑加熱至沸騰狀態(tài)，然后把已加工好的試樣拋光面朝下，懸置于侵蝕劑中，侵蝕時(shí)間8～15s；侵蝕結(jié)束后先對(duì)侵蝕表面進(jìn)行清水沖刷和棉球擦拭處理；然后將試樣在拋光機(jī)1/2半徑處拋光5～10s。本發(fā)明侵蝕時(shí)間短，操作程序簡(jiǎn)單；可快速觀察到中高牌號(hào)無取向硅鋼清晰的一次、二次凝固枝晶組織，從而能為優(yōu)化其連鑄工藝，增加鑄坯等軸晶比例提供技術(shù)依據(jù)。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11