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一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法
本發明公開了一種無空穴傳輸材料鈣鈦礦薄膜異質結電池的制備方法。該方法在傳統的 PbI2 前驅體 溶液中加入少量 PbCl2，以提高 PbI2 在溶劑中的溶解性，以免在旋涂時形成不均勻的晶核，影響鈣鈦礦 生長的均勻性。在空氣中 100℃燒結 5 分鐘后，往鈣鈦礦層上刮涂上一種含有 CH3NH3I 的碳漿，在空氣 中 100℃烘干，再次刮涂上一層不含 CH3NH3I 的碳漿以降低器件電阻。最后 50mg/mL?PMMA 的甲苯溶 液均勻滴在碳電極上
武漢大學
2021-04-14
低粗糙度低方阻的柔性透明導電復合薄膜及其制備方法
本發明屬于光電子技術領域，更具體地，涉及一種低粗糙度低 方阻的柔性透明導電復合薄膜，該薄膜為三層復合結構，最底層為透 明聚合物薄膜，中間層為金屬納米線構成的導電網絡，最頂層為均勻 覆蓋在所述透明聚合物薄膜與導電網絡上的透明導電層，該柔性透明 導電復合薄膜的平均粗糙度小于 20 納米，方阻低于 30 歐姆/平方米， 可見光范圍內保持高于 80％的透光率，該透明導電薄膜能夠承受曲率 半徑 2 毫米的彎折。本發明還公開了該
華中科技大學
2021-04-14
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法
一種 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制備方法，屬于半導體材料 與器件制備領域，解決現有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁帶寬度和能帶位置 固定的問題，以實現禁帶寬度和能帶位置的連續可調，得到禁帶寬度 和能帶位置更加合適的無機半導體材料。本發明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作為蒸發源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作為蒸發源，通過近空間升華法在襯底
華中科技大學
2021-04-14
基于柔性鐵電薄膜的流體驅動式壓電傳感器及其制備方法
本發明公開了一種基于柔性鐵電薄膜的流體驅動式壓電傳感器及其制備方法，包括玻璃基片和微流 控芯片基片；玻璃基片上集成有兩相平行的 P(VDF-TrFE)電紡絲薄膜條；微流控芯片基片制作有微溝道 和分布于微溝道兩側的電極凹槽；微流控芯片基片還設有進樣口、出樣口和銀漿注入口，進樣口、出樣 口與微溝道兩端連通，銀漿注入口與電極凹槽連通；玻璃基片和微流控芯片基片鍵合，?P(VDF-TrFE) 電紡絲薄膜條位于微溝道和電極凹槽底部。本發明制作簡單，成本低廉
武漢大學
2021-04-14
一種制備高臨界電流密度釔鋇銅氧超導薄膜的方法
本新技術成果（ZL200910058055.7）于2012年3月21日授權。
西南交通大學
2016-06-27
密封真空光纖饋通法蘭真空室導光半導體和薄膜處理應用
北京錦正茂科技有限公司
2022-01-25
PT100鉑電阻溫度傳感器低溫測量薄膜型鉑熱電阻
北京錦正茂科技有限公司
2022-02-10
PT100鉑熱電阻低溫溫度計薄膜型溫度傳感器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-05
一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的系統及方法
本發明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的系統及其方法，所述系統沿著薄膜輸送方向依次包括開卷裝置、第一檢測裝置、上料裝置、壓合裝置、第二檢測裝置、裁切裝置、第三檢測裝置、下料裝置以及收卷裝置。其中開卷和收卷裝置分別用于將薄膜展開和纏繞收卷，上料和壓合裝置分別用于真空吸附片材和將片材在薄膜上疊合，裁切裝置用于對復合疊層執行斷點切斷，第一、第二和第三檢測裝置用于檢測柔性薄膜的輸送、疊合對位和裁切效果予以檢測和反饋，下料裝置用于對復合疊層執行下料及分類處理。通過本發明，能夠保證薄膜的穩定輸送及其與片材之間的精確定位，防止片材出現彎曲和脆裂現象，而且便于對復合疊層進行裁切和分類處理。
華中科技大學
2021-04-11
一種顯示中高牌號無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法
簡介：本發明公開了一種顯示中高牌號無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法，屬于金相檢驗分析技術領域。該侵蝕劑的成分及配比為：苦味酸1.5～2.0g，蒸餾水35～50ml，鹽酸0.4～0.6ml，無水氯化銅0.3～0.5g，十二烷基苯磺酸鈉0.5～1g。該侵蝕劑的侵蝕方法：先將已配好的侵蝕劑加熱至沸騰狀態，然后把已加工好的試樣拋光面朝下，懸置于侵蝕劑中，侵蝕時間8～15s；侵蝕結束后先對侵蝕表面進行清水沖刷和棉球擦拭處理；然后將試樣在拋光機1/2半徑處拋光5～10s。本發明侵蝕時間短，操作程序簡單；可快速觀察到中高牌號無取向硅鋼清晰的一次、二次凝固枝晶組織，從而能為優化其連鑄工藝，增加鑄坯等軸晶比例提供技術依據。
安徽工業大學
2021-04-11