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本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發(fā)明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結(jié)構(gòu)LED芯 片以及一層透光保護(hù)膜。本器件LED芯片為倒裝結(jié)構(gòu)，芯片電極通過(guò)共晶焊接方式固定于薄片型基板，實(shí)現(xiàn)免金線鍵合的電氣互聯(lián)，一層透光保護(hù)膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發(fā)明公開(kāi)的LED器件電極位于器件底部，易于實(shí)現(xiàn)表面貼裝技術(shù)。本發(fā)明公開(kāi)器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發(fā)光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)效率高，成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。截至目前，已累計(jì)創(chuàng)造產(chǎn)值超過(guò)33.66億元，新增利潤(rùn)2.60億元。2017年，以本專利技術(shù)為核心的科技成果“半導(dǎo)體發(fā)光器件跨尺度光功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得廣東省人民政府頒發(fā)的廣東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，并且本專利獲得中國(guó)專利優(yōu)秀獎(jiǎng)。

基于過(guò)去發(fā)展的基于第一性原理電子結(jié)構(gòu)計(jì)算的有限溫度下鐵電-順電相變模擬手段，指出Fisher等人提出的有限尺寸標(biāo)度理論存在缺陷，并針對(duì)鐵電-順電相比提出修正方法。此理論缺陷存在的本質(zhì)原因是理論推導(dǎo)過(guò)程中對(duì)體材到薄膜演變過(guò)程中哈密頓量變化的忽視，是由當(dāng)時(shí)實(shí)驗(yàn)技術(shù)與針對(duì)具體材料物性理論模擬手段的局限造成的。新發(fā)展出來(lái)的修正方法可廣泛適用于類似鐵電材料的物性模擬。 研究中，以SnTe作為一個(gè)例子，來(lái)研究標(biāo)度律不成立的體系；以BaTiO3為一個(gè)例子，來(lái)描述標(biāo)度律成立的體系。通過(guò)對(duì)比兩類材料在從體材到薄膜變化過(guò)程中電子結(jié)構(gòu)與相變溫度變化的規(guī)律，作者發(fā)現(xiàn)相變序參量的變化可以作為一個(gè)描述子，來(lái)區(qū)分此兩類系統(tǒng)。在標(biāo)度律成立的體系，體材與薄膜的相變序參量并不發(fā)生變化，這個(gè)也是70年代Fisher等人提出標(biāo)度律的一個(gè)基本假設(shè)。而對(duì)SnTe這類材料，在從體材到薄膜的演化過(guò)程中，相變序參量已經(jīng)發(fā)生了變化。這一機(jī)制也為尋找、預(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)低維高Tc鐵電材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加應(yīng)變等外部調(diào)制手段，新機(jī)制預(yù)測(cè)的低維鐵電材料具備本征高Tc，更易于脫離實(shí)驗(yàn)室條件走向工業(yè)生產(chǎn)。課題組期待這一工作能激發(fā)更多高Tc鐵電材料的發(fā)現(xiàn)。圖1. 材料的相變序列(a) 滿足標(biāo)度律的傳統(tǒng)鐵電材料；(b) 不滿足標(biāo)度律的二維鐵電材料；(c) 不滿足標(biāo)度律的一維鐵電材料。當(dāng)且僅當(dāng)材料的低維相變序列發(fā)生改變時(shí)，標(biāo)度律不成立，該材料有可能發(fā)現(xiàn)高Tc，即(b)(c)，有待于進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于柔性薄膜間歇進(jìn)給的夾持裝置，包括：支撐底座、驅(qū)動(dòng)組件、固定安裝在驅(qū)動(dòng)組件上的固定夾持件和可移動(dòng)地安裝在驅(qū)動(dòng)組件上的移動(dòng)夾持件，其中兩個(gè)夾持件的結(jié)構(gòu)相類似，并包括基座、沿著豎直方向設(shè)置的單個(gè)驅(qū)動(dòng)氣缸、與驅(qū)動(dòng)氣缸的活塞固定相連的水平支撐板、通過(guò)一對(duì)豎直導(dǎo)向軸與支撐板相連并共同構(gòu)成框架結(jié)構(gòu)的上夾板、位于上夾板與支撐板之間的下夾板，以及分別用于容納安裝豎直導(dǎo)向軸并固定在下夾板兩端的一對(duì)直線軸承。通過(guò)本發(fā)明，可以避免雙氣缸驅(qū)動(dòng)所引發(fā)的卡死或壓力不均現(xiàn)象，并通過(guò)直線軸承軸及相應(yīng)結(jié)構(gòu)來(lái)避免氣缸等元件的損壞，提高進(jìn)給精度和夾持穩(wěn)定性，由此能保證對(duì)薄膜更為精確的夾持及輸送操作。

薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)儀表顯示、車站、機(jī)場(chǎng)、銀行、證券交易市場(chǎng)、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會(huì)場(chǎng)、廣場(chǎng)高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點(diǎn)為全固體化、亮度高、壽命長(zhǎng)、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡(jiǎn)單較之國(guó)內(nèi)外同類產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)

一種薄膜密封的活塞發(fā)聲器，具有腔體，活塞和托持腔體的支座，活塞與腔體同軸，腔體一端開(kāi)口、另一端有端板，端板上設(shè)置安裝孔，活塞位于腔體的開(kāi)口端；密封薄膜封閉腔體的開(kāi)口形成發(fā)聲腔，密封薄膜有彈性，活塞的發(fā)聲端面與密封薄膜貼合；腔體上開(kāi)設(shè)有均壓孔，均壓孔連通外界與發(fā)聲腔，均壓孔開(kāi)設(shè)于端板上。安裝孔用于安裝被校準(zhǔn)傳感器。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：用密封薄膜封閉腔體形成發(fā)聲腔，腔體上僅通過(guò)設(shè)置的均壓孔和外界大氣連通，以實(shí)現(xiàn)靜壓均衡機(jī)制，由于均壓孔的孔徑極細(xì)，所以發(fā)聲腔體具有較大的時(shí)間常數(shù)，從而大幅降低活塞發(fā)聲器的下限工作頻率。

本發(fā)明公開(kāi)了一種電調(diào)光反射率薄膜。包括第一光學(xué)介質(zhì)層，依次設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層上表面的第一陽(yáng)極、第二光學(xué)介質(zhì)層和第二陽(yáng)極，以及設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層下表面的陰極，陰極為勻質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，第一陽(yáng)極和所述第二陽(yáng)極均由其上布有 M×N 元陣列分布的納孔的導(dǎo)電膜構(gòu)成；通過(guò)調(diào)變加載在第一陽(yáng)極和陰極間的第一時(shí)序電壓信號(hào)以及加載在第二陽(yáng)極和陰極間的第二時(shí)序電壓信號(hào)，調(diào)變陰極上的陣列化電子的密度和分布形態(tài)，進(jìn)而調(diào)變電調(diào)光反射率薄膜的光

本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實(shí)現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對(duì)8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進(jìn)行開(kāi)發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國(guó)“卡脖子”技術(shù)，目前國(guó)際市場(chǎng)空白。在鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)方面，開(kāi)發(fā)了大尺寸智能單晶生長(zhǎng)設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)模擬仿真設(shè)計(jì)、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)工藝開(kāi)發(fā)、生長(zhǎng)-檢測(cè)-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無(wú)法制備單晶鈮酸鋰薄膜

本發(fā)明公開(kāi)了一種鎂基金屬玻璃薄膜及其制備方法，它的化學(xué) 通式為 MgaCubYc，其中，a，b，c 為原子百分比，46.30≤a≤58.01， 24.61≤b≤28.96，13.18≤c≤24.74，且 a+b+c=100。本發(fā)明還公開(kāi)了 一種鎂基金屬玻璃薄膜的制備方法，其采用磁控濺射制備得到，包括： 將 Mg、Cu 和 Y 按一定配比制備成合金靶；使用單晶硅片及普通玻璃 片作為薄膜的基底；將合金靶及薄膜基底放入濺射腔中，進(jìn)行磁控

本技術(shù)是利用智能水凝膠的刺激響應(yīng)性，結(jié)合Fabry-Perot薄膜干涉現(xiàn)象提出的新型光學(xué)傳感方法。本技術(shù)使用的水凝膠薄膜厚度僅數(shù)微米，因此具有響應(yīng)速度快速的特點(diǎn)。可檢測(cè)的項(xiàng)目包括溫度、pH值、葡萄糖等。可與光纖傳感技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程傳感。

本項(xiàng)目采用隧道結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層太陽(yáng)能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 太陽(yáng)能是大自然賜予人類最清潔，最豐富的能源資源，目前商用的太陽(yáng)能電池以晶體硅電池為主，由于晶體硅消耗硅料較多，近年來(lái)人們一直致力于開(kāi)發(fā)硅薄膜電池。非晶硅薄膜電池已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)并有了一定的市場(chǎng)份額，但它仍存在不足之處，包括光致衰減效應(yīng)和轉(zhuǎn)換效率不高(約6％)等。本項(xiàng)目在國(guó)家863計(jì)劃課題(2006AA03Z219)支持下，開(kāi)展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和納米晶薄膜的制備和相關(guān)材料的單結(jié)與疊層硅基太陽(yáng)能電池關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)申請(qǐng)發(fā)明專利5項(xiàng)，發(fā)表科研論文20余篇。 三、創(chuàng)新點(diǎn)以及主要技術(shù)指標(biāo) 1.利用LPCVD方法和自擴(kuò)散技術(shù)生長(zhǎng)多晶硅p-n結(jié)，結(jié)合層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池； 2．采用金屬誘導(dǎo)晶化和快速熱處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜的制備并在低溫下制備太陽(yáng)能電池； 3.在PECVD和HWCVD生長(zhǎng)硅薄膜時(shí)，通過(guò)生長(zhǎng)溫度，氣體流量，氫氣稀釋比，腔室氣壓等參數(shù)實(shí)現(xiàn)微晶硅或者納米晶薄膜的生長(zhǎng)； 4.采用雙層膜技術(shù)減小表面處入射光的反射并實(shí)現(xiàn)表面鈍化，提高入射光的收集率和少數(shù)載流子壽命； 5.采用高低結(jié)結(jié)構(gòu)增加光生載流子的收集效率； 6.采用隧道結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層太陽(yáng)能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 四、知識(shí)產(chǎn)權(quán)及獲獎(jiǎng) 國(guó)家863項(xiàng)目(2006AA03Z219)