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中國科大實現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控
郭國平教授、李海歐教授等人與中科院物理所張建軍研究員、紐約州立大學(xué)布法羅分校胡學(xué)東教授以及本源量子計算有限公司合作，在硅基鍺空穴量子點(diǎn)中實現(xiàn)了自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控，為該體系實現(xiàn)自旋軌道開關(guān)以及提升自旋量子比特的品質(zhì)提供了重要的指導(dǎo)意義。
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
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關(guān)于“外爾半金屬TaAs的不飽和量子磁性”方面的研究成果
這一強(qiáng)磁場下的不飽和磁性與非相對論型的拓?fù)淦接闺娮映尸F(xiàn)的飽和磁性截然相反，是相對論型的電子所獨(dú)具的指針性屬性。 由于各種拓?fù)潆娮硬牧系哪軒τ诎ㄗ孕壍礼詈弦约盎瘜W(xué)勢在內(nèi)的各種參數(shù)高度敏感，決定電子拓?fù)湫再|(zhì)的能量尺度可能小至毫電子伏特量級，因此通常的譜學(xué)測量如角分辨光電子譜等往往無法分辨能帶的細(xì)節(jié)。而普通的電輸運(yùn)測量只能表征費(fèi)米面的貝里曲率，無法區(qū)分相對論型的電子能帶是否存在能隙。這項對于拓?fù)潆娮硬牧系拇判匝芯浚Y(jié)合了理論計算與強(qiáng)磁場下的實驗表征，提出了探測相對論型的電子的一種決定性指針。該工作已在《自然?通訊》上發(fā)表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions.
北京大學(xué)
2021-04-11
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一種 III-V 族量子點(diǎn)誘導(dǎo)生長鈣鈦礦晶體的方法
本發(fā)明公開了一種 III-V 族量子點(diǎn)誘導(dǎo)生長鈣鈦礦晶體的方法， 包括以下步驟：(1)將 III-V 族量子點(diǎn)分散于非極性溶劑中得到量子點(diǎn)溶 液，將無機(jī)配體溶解于極性溶劑中得到無機(jī)配體分散液，再將量子點(diǎn) 溶液與無機(jī)配體分散液混合攪拌，極性溶劑所在層即對應(yīng)第一前驅(qū)體溶液；(2)將 PbX2 與 MAX 均勻分散于極性溶劑中得到第二前驅(qū)體溶 液；(3)將第一前驅(qū)體溶液與第二前驅(qū)體溶液混合后利用反溶劑法生長 晶體，從而在
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 SiCx 織構(gòu)的硅量子點(diǎn)浮柵非易失性半導(dǎo) 體存儲器及其制備方法，包括硅襯底，在硅襯底上摻雜形成的源導(dǎo)電 區(qū)和漏導(dǎo)電區(qū)，以及在源漏之間的載流子溝道上依次生長的隧穿氧化 層、電荷存儲層、控制柵氧化層及金屬柵層；所述電荷存儲層包括 SiCx 織構(gòu)和橫縱向均勻分布于 SiCx 織構(gòu)中的硅量子點(diǎn)。本發(fā)明有效利用硅 量子點(diǎn)-SiCx 織構(gòu)間的隧穿勢壘，構(gòu)成了控制柵氧化層-SiCx 織構(gòu)-Si 量子點(diǎn)-SiC
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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西湖大學(xué)何睿華實驗室發(fā)現(xiàn)首個光陰極“量子”材料
近期，西湖大學(xué)理學(xué)院何睿華課題組連同研究合作者一起，發(fā)現(xiàn)了世界首例具有本征相干性的光陰極量子材料，其性能遠(yuǎn)超傳統(tǒng)的光陰極材料，且無法為現(xiàn)有理論所解釋，為光陰極研發(fā)、應(yīng)用與基礎(chǔ)理論發(fā)展打開了新的天地。
西湖大學(xué)
2023-03-10
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表征太赫茲量子級聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法
本發(fā)明涉及一種表征太赫茲量子級聯(lián)激光器多模效應(yīng)的電路建模仿真方法，首先建立表征 THzQCL 有源層內(nèi)部載流子輸運(yùn)特性的多模速率方程組；接著建立表征ThzQCL內(nèi)部多模態(tài)效應(yīng)的物理方程模型； 然后通過變量代換和化簡得到相應(yīng)的等效電路模型；建立表征 THzQCL 輸入端電氣特性的等效電路模型； 建立表征 THzQCL 輸出端光功率特性的等效電路模型；最后建立電路宏模型，包括一個電氣端口和一個 光功率輸出端口，基于電路宏模型進(jìn)行光電性能仿真和輸出光譜性能測試。本發(fā)明可測試溫度對 THzQCL 各種光電性能的影響；可支持實現(xiàn)對 THzQCL 光電性能和輸出多模效應(yīng)的模擬和仿真。
武漢大學(xué)
2021-04-13
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一種基于分布式多光源的可見光多載波通信系統(tǒng)發(fā)射機(jī)設(shè)計方法
本發(fā)明公開了一種基于分布式多光源的可見光多載波通信系統(tǒng)發(fā)射機(jī)設(shè)計方法，包括如下步驟：(1)調(diào)制裝置；(2)波束成形；(3)IFFT處理；(4)削波處理；(5)直流偏置；(6)數(shù)模轉(zhuǎn)換；(7)LED陣列。本發(fā)明的有益效果為：(1)多光源可以同時為通信和照明系統(tǒng)提供無所不在的覆蓋，在阻礙和遮蔽影響下更加魯棒，可以提高數(shù)據(jù)速率和服務(wù)質(zhì)量，增加調(diào)光靈敏度；(
東南大學(xué)
2021-04-14
一種強(qiáng)穩(wěn)定性樹枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn)制備方法
本發(fā)明公開了一種強(qiáng)穩(wěn)定性樹枝盒狀溴化物鈣鈦礦量子點(diǎn)制備方法，該量子點(diǎn)材料為聚酰胺胺樹狀分子(PAMAM)包裹的CH3NH3PbBr3，結(jié)構(gòu)式為PAMAM?CH3NH3PbBr3。其制備方法包括如下步驟：(1)以官能團(tuán)為羧基的PAMAM和正辛胺作為配體輔助制備PAMAM?CH3NH3PbBr3前驅(qū)體溶液；(2)將前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)換到甲苯中，搖勻形成PAMAM?CH3NH3PbBr3量子點(diǎn)。本發(fā)明使用一鍋法制備鈣鈦礦量子點(diǎn)，簡單易操作，原料供給方便，在一般實驗室均能完成，易于推廣。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實用新型公開了一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍(lán)寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點(diǎn)層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設(shè)有側(cè)面電極，在石墨烯層上設(shè)有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實用新型的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點(diǎn)表面等離子體增強(qiáng)發(fā)光，同時結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導(dǎo)電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡單，成本低。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法
本發(fā)明為一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法，公開了一種可在室溫、常壓條件下，大規(guī)模制備疏水性碳量子點(diǎn)的方法。此方法以烷基吡啶鹽為碳源和保護(hù)劑，在其溶液中加入強(qiáng)堿，常溫常壓條件下靜置，即可生成具有綠色熒光的疏水性碳量子點(diǎn)。整個制備過程在室溫及常壓條件下完成，操作簡單，成本低，且具有較高的產(chǎn)率，可用于大規(guī)模合成疏水性碳量子點(diǎn)。制備的碳量子點(diǎn)具有低毒、較強(qiáng)的熒光和較高的光穩(wěn)定性，因此在制備熒光油漆、熒光涂料及熒光纖維生產(chǎn)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
四川大學(xué)
2016-09-12