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哈爾濱工業(yè)大學(xué)生命學(xué)院黃志偉教授課題組揭示膽固醇抑制T細(xì)胞受體活性的分子機(jī)制
哈爾濱工業(yè)大學(xué)生命學(xué)院黃志偉教授課題組以“膽固醇通過直接限制TCR-CD3核心通道的構(gòu)象變化抑制T細(xì)胞受體激活”為題，在《分子細(xì)胞》（MolecularCell）上發(fā)表研究論文，該研究揭示了膽固醇抑制T細(xì)胞受體活性的分子機(jī)制。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2022-03-10
喜迎二十大 | 管培俊：高質(zhì)量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發(fā)展實(shí)現(xiàn)新的歷史性跨越。
人民政協(xié)報(bào)
2022-10-12
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可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法。它包括以下步驟：（1）將1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）將1重量份碳納米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳納米管分散液；（3）將氧化石墨烯-碳納米管分散液進(jìn)行冷凍干燥或超臨界干燥，得到氧化石墨烯-碳納米管復(fù)合氣凝膠；（4）將氧化石墨烯-碳納米管復(fù)合氣凝膠采用化學(xué)還原法還原或高溫?zé)徇€原法還原，得到石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠。本發(fā)明的工藝簡單，過程綠色環(huán)保，所得到的全碳超輕氣凝膠具有低密度、高導(dǎo)電率、高比表面積、彈性溫度范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲(chǔ)層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲(chǔ)器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對(duì)頂柵型存儲(chǔ)器進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“編程/擦除”操作，通過對(duì)底柵型TFT進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種去除甲醛用天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料的制備方法
本發(fā)明屬于材料制備領(lǐng)域，具體為一種去除甲醛用天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料的制備方法。首先，用鹽酸對(duì)天然沸石進(jìn)行處理，并水浴加熱，攪拌、過濾、洗滌、干燥，熱處理后制備出性能穩(wěn)定的天然沸石，然后，結(jié)合浸漬工藝將天然沸石浸漬在氯化銅溶液中，以四甲基乙二胺為絡(luò)合劑，CTAB為軟模板，葡萄糖為還原劑，采用水熱法制備天然沸石負(fù)載Cu納米線，最后，采用熱處理法制備天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合光催化材料。該工藝過程簡單，成本低，便于實(shí)現(xiàn)，制備的天然沸石負(fù)載CuO納米管復(fù)合材料比表面積大，易于回收，吸附降解性能好。
天津城建大學(xué)
2021-04-11
一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢(shì)壘層，非摻雜氮化物勢(shì)阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過率的非摻雜勢(shì)壘層聯(lián)合
東南大學(xué)
2021-04-14
一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管
本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種基于分形維數(shù)的碳納米管分散狀態(tài)的數(shù)值化表征方法
本發(fā)明屬于納米復(fù)合材料制備及應(yīng)用領(lǐng)域，具體公開了一種基 于分形維數(shù)的碳納米管分散狀態(tài)的數(shù)值化表征方法。該方法首先通過 獲取分散體系中碳納米管分散狀態(tài)的掃描電鏡圖片，然后采用圖像處 理軟件(ImageJ)將所得掃描電鏡圖片進(jìn)行二值化處理，再提取出圖片中 單根碳納米管或者碳納米管團(tuán)聚體的邊界輪廓，最后利用盒子算法計(jì) 算處理后圖片的分形維數(shù)，所得的分形維數(shù)值即是對(duì)碳納米管分散狀 態(tài)中豐富信息的定量化描述，從而實(shí)現(xiàn)分散體系中
華中科技大學(xué)
2021-04-14
清華大學(xué)材料學(xué)院和機(jī)械系研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合報(bào)道“超快激光誘導(dǎo)構(gòu)筑金屬-載體強(qiáng)相互作用”新進(jìn)展
近日，材料學(xué)院汪長安教授團(tuán)隊(duì)和機(jī)械系閆劍鋒副教授合作首次以超快激光誘導(dǎo)構(gòu)筑金屬-載體強(qiáng)相互作用(SMSI)。利用超快激光激發(fā)界面局部電場強(qiáng)度，調(diào)節(jié)原子擴(kuò)散速率和路徑，誘導(dǎo)表面缺陷形成以及亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)遷移，在一系列負(fù)載型貴金屬催化劑中構(gòu)筑金屬-載體界面強(qiáng)相互作用。
清華大學(xué)
2021-12-01