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負低老化率負溫度系數熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發明公開了一種負低老化率負溫度系數熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽離子的氧化物為起始原料，球磨，經過多次煅燒，加入有機粘結劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環境下將樣品無電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學
2021-01-12
一種提高微型光譜儀紫外響應和分辨率的濾光片
本實用新型提供一種提高微型光譜儀紫外響應和分辨率的濾光片，包括基板、鍍膜層和鍍膜保護層， 所述鍍膜層分為三個區域，在不同區域分別鍍有紫外轉換膜，紫外截止濾光膜，可見光截止濾光膜。本 實用新型同時解決了紫外效率低、可見光、紅外光波段存在高次衍射光的問題，并且可以根據光譜儀的 光譜范圍選擇鍍膜的層數、類型、區間長度，具有安裝拆卸方便，結構簡單，使用靈活的特點，且鍍膜 之間不會相互產生干涉。
武漢大學
2021-04-13
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11
甲基硅氧烷大氣轉化導致低揮發性物種及高產率甲醛的形成
該研究發現一種新的過氧自由基自氧化機制，闡明甲基硅氧烷大氣轉化會生成甲醛，增加其釋放的環境風險。該研究不僅拓展了對大氣過氧自由基化學的理解，還為甲基硅氧烷環境行為模擬和風險評估提供了重要的基礎數據。
大連理工大學
2021-01-12
區域大氣污染源高分辨率排放清單關鍵技術與應用
北京工業大學
2021-04-14
一種時間分辨率自適應調整的流場狀態測量方法
本發明公開了一種時間分辨率自適應調整的流場狀態測量方法，該方法包括如下步驟：首先，根據第 k+1 時刻圖像與第 k 時刻圖像之間的時間間隔Δt<sub>k</sub>，采集第 k+1 時刻圖像，并對第 k 時刻和第k+1 時刻的圖像進行降噪處理；然后，據 k 時刻圖像和第 k+1 時刻的圖像，采用粒子圖像測速方法，計算第 k+1 時刻的流場狀態 X(k+1)，包括：位移場 x(k+1)、速度場 x′(k+1)、加速度場 a(k+1)，并輸出顯示；最后，更新第 k+2 時刻與第
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高單模成品率的漸變脊波導分布反饋激光器
一種高單模成品率的分布反饋激光器，包括激光諧振腔、布拉 格光柵；布拉格光柵為啁啾光柵或者等效的啁啾光柵，并位于諧振腔 內，其等效折射率沿諧振腔腔長方向是變化的；該激光器的模式增益 沿諧振腔腔長方向變化；該激光器輸出單縱模。本發明由于采用啁啾 光柵或者等效的啁啾光柵，同時使激光器的模式增益沿腔長方向變化， 并通過在激光器兩端面分別鍍高反膜和增透膜配合，能夠提高激光器 在布拉格阻帶指定的一邊，即藍邊或者紅邊光激射的概率，
華中科技大學
2021-04-14
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法
本發明公開了一種通過施加低電平脈沖實現微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續變化的控制方法，包括控制非晶化率連續單調增大 和連續單調減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應變化精確控制焦耳熱產生，繼而實 現 GST 相變材料晶化率的連續變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續脈沖；在連續脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學
2021-04-14
一種基于多源遙感數據的城市不透水層率息提取方法
一種基于多源遙感數據的城市不透水層信息提取方法，包括根據夜間燈光亮度影像，計算歸一化燈 光亮度并基于閾值分割方法對城市地表進行區域類型分割;利用燈光亮度、陸地表面溫度與歸一化土壤 調節植被指數，構建增強型歸一化不透水層指數;通過建立每一種類型分割區域的增強型歸一化不透水 層指數 MNDISI 與不透水層率之間的線性定量關系，進行不透水層的提取工作。本發明較好地結合了多 源遙感數據的優勢，有效抑制了光譜混淆對于不透水層率估算結果的不利影響，為城市土地利用和環境 變化監測提供了一種新的途徑。
武漢大學
2021-04-13
可變溫霍爾效應測試儀高低溫磁場型0.1GS分辨率
霍爾效應測試儀—高低溫磁場型本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。
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產品概述：
本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。為本儀器系統專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。
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可測試材料: Ø
半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-05-10