|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
實(shí)驗(yàn)室溫度計(jì) 硅二極管溫度傳感器 DT640
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！
特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！
參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
???????
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-27
.jpg){kind=logo}
濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復(fù)合薄膜的腐蝕液及其制備方法
一種濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復(fù)合薄膜的腐蝕液，由雙氧水、硝酸、氫氟酸和純凈水配制而成，純凈水、雙氧水、硝酸、氫氟酸的體積比為：純凈水∶雙氧水∶硝酸∶氫氟酸＝1∶2～3∶0.5～1.0∶0.06～0.12。所述腐蝕液的制備方法，按上述配方在常溫、常壓下將計(jì)量好的純凈水與雙氧水混合均勻，然后加入計(jì)量好的硝酸并混合均勻，繼后加入計(jì)量好的氫氟酸并混合均勻。所述腐蝕液可干凈、徹底地一次性去除SiO2 和/或Pt表面的LNO薄膜或LNO復(fù)合薄膜，得到邊緣清晰、側(cè)蝕比小的刻蝕圖形。
四川大學(xué)
2021-04-11
業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
一種以亞麻膠復(fù)配作乳化劑的亞麻籽油乳狀液及其制備方法
本發(fā)明公開了一種以亞麻膠復(fù)配作乳化劑的亞麻籽油乳狀液及其制備方法。所述亞麻籽油乳狀液的制備方法包括如下步驟：1)配制乳化劑的水溶液作為水相；乳化劑為阿拉伯膠與亞麻膠的混合物；2)以亞麻籽油作為油相，將油相加入至水相中，得到初乳液；3)初乳液經(jīng)均質(zhì)，即得亞麻籽油乳狀液。本發(fā)明亞麻籽油乳狀液粒徑小、分散性好且物理穩(wěn)定性高，同時(shí)在不同的溫度和pH條件下有較高的氧化穩(wěn)定性，且相較蛋白質(zhì)?多糖層層制備的乳狀液有更強(qiáng)的抵抗環(huán)境變化的能力，可在較寬pH范圍、較大離子強(qiáng)度以及滅菌、凍融等工藝處理中保持較好的穩(wěn)定性。本發(fā)明所制備的亞麻籽油乳狀液貯藏穩(wěn)定性好，且相較于亞麻籽油純油體系對(duì)亞麻酸可以起到較好的保護(hù)作用。
中國農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種失效鋰電池中的鈷酸鋰材料高壓脈沖液相放電修復(fù)的方法
本發(fā)明公開了一種失效鋰電池中的鈷酸鋰材料高壓脈沖液相放電修復(fù)的方法，首先采用機(jī)械分離的方法對(duì)使用失效的鋰離子電池進(jìn)行機(jī)械分離獲得鈷酸鋰廢料，把鈷酸鋰廢料置于氫氧化鋰溶液中，然后采用高壓脈沖液相放電的方法使得鈷酸鋰材料實(shí)現(xiàn)電化學(xué)性能修復(fù)，工藝過程簡易，能耗低，環(huán)境影響小，經(jīng)過放電處理修復(fù)后的鈷酸鋰材料電化學(xué)性能良好，并能作為鋰離子電池的正極活性材料重新回用。
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
.jpg){kind=logo}
一種快速高分離度液相色譜檢測(cè)金銀花和山銀花藥材的方法
本發(fā)明提供了一種利用快速高分離度液相色譜(RRLC)檢測(cè)金銀花和山銀花藥材的方法。金銀花具有顯著的抗菌、抗炎、抗病毒等生物活性，被廣泛添加到復(fù)方藥物、食品、飲料等相關(guān)產(chǎn)品中。由于金銀花和山銀花的價(jià)格差距較大，市場(chǎng)上存在將山銀花作為金銀花的主要代替品用于金銀花產(chǎn)品的摻假。本發(fā)明方法能夠在 8 分鐘內(nèi)同時(shí)分析出金銀花和山銀花所含的綠原酸、木犀草苷、灰氈毛忍冬皂苷乙和川續(xù)斷皂苷乙等 4 種化合物，可用于鑒定金銀花和山銀花藥材，以監(jiān)控金銀花原料及產(chǎn)品的質(zhì)量，具有良好的精密度、可重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方法
本發(fā)明公開了一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方 法，包括以下步驟：（1）將丙烯酸酯單體與液晶均勻混合，制得液晶 -丙烯酸酯溶液；加入去離子水，調(diào)節(jié) pH 值在 1 至 2 之間；然后加入 表面活性劑，均勻混合后形成乳濁液；（2）向其中添加二氧化鈦前驅(qū) 體，通過水解縮合反應(yīng)，生成納米二氧化鈦顆粒，均勻分散于混合液 中；（3）向其中加入硅烷偶聯(lián)劑，進(jìn)行硅烷偶聯(lián)改性，制得含表面改 性納米二氧化鈦的液晶-丙烯酸酯
華中科技大學(xué)
2021-04-14
喜迎二十大 | 管培俊：高質(zhì)量的高等教育是億萬人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國高等教育的發(fā)展實(shí)現(xiàn)新的歷史性跨越。
人民政協(xié)報(bào)
2022-10-12
.jpg){kind=logo}
可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11
.jpg){kind=logo}
一種石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法
本發(fā)明公開了一種石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠及其制備方法。它包括以下步驟：（1）將1重量份的氧化石墨烯分散于10~4000重量份的水中形成氧化石墨烯分散液；（2）將1重量份碳納米管分散于5~4000重量份的氧化石墨烯分散液中，得到氧化石墨烯-碳納米管分散液；（3）將氧化石墨烯-碳納米管分散液進(jìn)行冷凍干燥或超臨界干燥，得到氧化石墨烯-碳納米管復(fù)合氣凝膠；（4）將氧化石墨烯-碳納米管復(fù)合氣凝膠采用化學(xué)還原法還原或高溫?zé)徇€原法還原，得到石墨烯-碳納米管復(fù)合全碳超輕彈性氣凝膠。本發(fā)明的工藝簡單，過程綠色環(huán)保，所得到的全碳超輕氣凝膠具有低密度、高導(dǎo)電率、高比表面積、彈性溫度范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-11
一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲(chǔ)器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲(chǔ)層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲(chǔ)器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對(duì)頂柵型存儲(chǔ)器進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“編程/擦除”操作，通過對(duì)底柵型TFT進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11