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單壁碳納米管和石墨烯的制備及其在能源、光電器件和復合材料等方面的應用
1991年發現的碳納米管（CNT）以及2004年發現的石墨烯（graphene），分別是一維和二維納米材料的典型代表，被認為是21世紀的戰略性材料。 本項目發明了一類新的催化劑和大量制備SWNTs的方法，實現了高質量單壁碳納米管的宏量制備（圖1），純度達70%以上，并達到了產業化規模（達200公斤/年以上）。 采用機械共混及"原位"聚合等方法，使SWNTs有效地分散于高分子基質中，獲得了以環氧樹脂、ABS及聚氨酯等為基質材料，電導率達0.2 S/cm、導
南開大學
2021-04-14
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
天津大學化工學院單四級桿液相色譜質譜聯用儀采購項目競爭性磋商公告
天津大學化工學院單四級桿液相色譜質譜聯用儀采購項目競爭性磋商
天津大學
2022-06-10
生命科學學院韓管助課題組在逆轉錄病毒基因選配研究取得重要進展
逆轉錄病毒需要整合到宿主基因組中來完成自身的復制。當逆轉錄病毒感染宿主生殖細胞時，整合的逆轉錄病毒便會從親代傳到子代，從而形成內源性逆轉錄病毒。內源性逆轉錄病毒廣泛存在于脊椎動物基因中。絕大多數的內源性逆轉錄病毒會積累各種突變，從而在宿主基因組中失活或片段化。宿主有時會利用內源性逆轉錄病毒基因來行使自身生物學功能（圖1），這個過程在進化生物學中被稱為選配（co-option）。例如，抑制多種逆轉錄病毒復制的限制性因子Fv1以及參與到胚胎發育的Syncytins都是選配的逆轉錄病毒基因。但目前對脊椎動物中逆轉錄病毒基因選配事件尚無系統的研究。 韓管助課教授題組在756種脊椎動物基因組中系統地挖掘了逆轉錄病毒基因選配事件，共發現177個逆轉錄病毒選配事件。其中，93個選配事件涉及到逆轉錄病毒gag基因，gag基因選配事件主要發生在哺乳動物和鳥類中。84個選配事件涉及到逆轉錄病毒env基因，env基因選配事件主要發生在哺乳動物、鳥類和魚類中。通過對選配事件發生的時間進行分析，發現選配事件的數目隨著時間的推移而增多，僅有少數的選配的逆轉錄病毒基因在長時間尺度上被維持，這些結果表明逆轉錄病毒基因選配可以在脊椎動物中頻繁的發生和丟失。 一般認為，參與到病毒與宿主間進化軍備競賽的宿主基因會受到正選擇。該研究通過選擇壓力分析在很多選配的逆轉錄病毒基因中發現了正選擇的證據，表明這些基因可能參與到病毒與宿主間進化軍備競賽中。還有部分選配的逆轉錄病毒基因的進化主要受到負選擇，表明這些基因可能主要參與到非抗病毒的宿主功能之中。選配的逆轉錄病毒基因受到不同的選擇壓力表明這些選配的基因可能行使了多種宿主細胞生物學功能。總之，該研究為在脊椎動物進化過程中發生的逆轉錄病毒選配事件提供了一幅全景圖，對全面理解逆轉錄病毒和脊椎動物間互作的進化具有十分重要的意義。
南京師范大學
2021-02-01
熊祖洪教授課題組在有機發光二極管的器件物理研究領域取得新進展
利用有機發光二極管(OLEDs)中激發態的指紋式磁效應曲線作為一種靈敏高效的探測工具，物理科學與技術學院熊祖洪課題組在有機半導體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發現了一個有利于增強器件發光效率的激子演化通道，即激子的高能態反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S1®S0+hn）過程，并通過調控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結構對該HL-RISC通道的產生條件、正常與反常的物理行為表現以及如何實現高效率發光和低效率滾降等方面進行了詳細探究。 OLEDs在平板顯示和固態照明領域具有廣闊的應用前景，盡管基于有機發光的手機顯示屏和電視已開始市場化，但進一步提升其發光效率和延長其使用壽命仍然是該領域的兩大研究方向。因理論上能夠實現100%的內量子效率，具有常規RISC (T1®S1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機材料和具有HL-RISC (T2®S1)過程的有機半導體是目前OLEDs領域的熱點研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數3/4的不發光三重態T激子轉變成發光的單重態S激子，從而實現發光效率的成倍增強。顯然，研究這些激子及其前驅體(precursor, 如極化子對(polaron-pair))和TADF材料以及激基復合物材料中電荷轉移態(charge-transfer states)激子的形成機制及其演化規律對進一步認識OLEDs的器件物理和設計制造高效率OLEDs具有重要的科學意義和應用價值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機半導體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統深入地研究了多種有機光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。
西南大學
2021-02-01
利用超高效液相色譜-質譜聯用技術和化學模糊識別研究中藥復雜成分配伍相互作用的方法
【發 明 人】唐于平；段金廒；沈娟；陶偉偉 【摘要】 本發明公開了一種超高效液相色譜-質譜聯用(UPLC-PDA-MS)技術和“化學模糊識別”對中藥復雜成分配伍相互作用進行研究的方法。本發明通過大量實驗對色譜條件與質譜條件、TQ-MS和PDA檢測條件等進行了系統優化，確定了最佳的檢測方法，方法學檢測結果表明該方法具有靈敏度高，精密度和準確度高，重復性好，穩定可靠的優點法，該方法可以克服中藥復雜成分鑒
南京中醫藥大學
2021-04-14
一種聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物/氫氧化鎂-碳納米管復合阻燃材料的制備方法
本發明公開了一種聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物／氫氧化鎂-碳納米管復合阻燃材料的制備方法和應用，由下述組分經過熔融共混熱壓成型制成，將100重量份聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和1-10重量份基于碳納米管基體的單分散氫氧化鎂納米粒子置于密煉機中，熔融混煉、熱壓成型、冷卻固化。采用碳納米管為載體，降低氫氧化鎂粒徑，使其實現納米級分散。提高氫氧化鎂與聚乙烯-醋酸乙烯酯共聚物接觸面積，提高聚合物阻燃性能。
天津城建大學
2021-04-11
一種基于單相全橋二極管鉗位多電平背靠背變換器的同相供電系統
本實用新型公開了一種基于單相全橋二極管鉗位多電平背靠背變換器的同相供電系統，其平衡變壓器(1)的輸入端L
西南交通大學
2016-10-24
蘇州大學機電工程學院孫立寧教授團隊研制磁液滴機器人相關成果發表在《Science Advances》期刊
近日，我校機電工程學院孫立寧教授、楊湛教授課題組，哈爾濱工業大學謝暉教授課題組以及德國馬克斯普朗克智能系統研究所的Metin Sitti教授課題組，聯合研制出能自由穿梭在極端變化環境中的尺度可調控磁液滴機器人SMFR。
蘇州大學
2022-10-12
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
您也可以直接登錄淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯系更加方便！
參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05