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產(chǎn)品詳細(xì)介紹平凸柱面鏡特性詳細(xì)描述：長(zhǎng)春市金龍光電科技有限責(zé)任公司能夠加工多種規(guī)格、半徑、基底材料不同的平凸柱面鏡、平凹柱面鏡、雙凸柱面鏡、雙凹柱面鏡、彎月柱面鏡等普通柱面鏡。也可以加工特殊柱面鏡如：消色差柱面鏡、拋物柱面鏡、柱面橢球鏡和雙曲面柱面鏡等非球面柱面鏡及柱面鏡組。材料：各種光學(xué)玻璃、紫外熔石英(JGS1)、紅外熔石英(JGS3)以及氟化鈣(CaF2)、鍺(Ge)、硒化鋅(ZnSe)、硅(Si)等光學(xué)晶體材料 焦距： 5mm — 1000mm±1%( 德國(guó) TIROPTICS OPTOMATIC2000 測(cè)試 ) 長(zhǎng)度： 2mm — 500mm±0.1mm 寬度： 2mm — 150mm±0.1mm 中心厚度公差： ±0.2mm 中心偏差： 3 — 5 分 表面精度： λ/4 表面質(zhì)量： 60/40 有效口徑： 90% 鍍 膜： 按客戶需求可進(jìn)行鍍膜 另外，我們有K9平凸柱面透鏡和K9平凹柱面透鏡上百種現(xiàn)貨庫(kù)存，價(jià)格優(yōu)惠，質(zhì)量?jī)?yōu)良，可以滿足您少量訂購(gòu)的需求。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹平凸透鏡特性詳細(xì)描述：長(zhǎng)春市金龍光電科技有限責(zé)任公司能夠加工多種規(guī)格、半徑、基底材料不同的平凸透鏡、平凹透鏡、雙凸透鏡、雙凹透鏡、彎月透鏡等普通球透鏡。也可以加工特殊球面鏡如：消色差球面鏡、非球面及球面鏡組。材料：光學(xué)玻璃、紫外熔石英(JGS1)、紅外熔石英(JGS3)以及氟化鈣(CaF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鋇(BaF2)、硒化鋅(ZnSe)、鍺(Ge)、硅(Si)等晶體材料焦距： ±5mm — ±1000mm±1% ( 德國(guó) TIROPTICS OPTOMATIC2000 測(cè)試 ) 外圓： 4mm — 500mm±0.1mm                  中心厚度公差： ±0.1mm 中心偏差： 3 — 5 分 表面精度： λ/4表面質(zhì)量： 40/20 有效口徑： 90% 鍍 膜： 按客戶需求可進(jìn)行鍍膜 另外，我們有K9平凸透鏡、K9平凹透鏡、K9平凹透鏡、K9雙凹透鏡、K9彎月透鏡、石英平凸透鏡、石英平凹透鏡、氟化鈣平凸透鏡、氟化鈣平凹透鏡等上千種現(xiàn)貨庫(kù)存，價(jià)格優(yōu)惠，質(zhì)量?jī)?yōu)良，可以滿足您少量訂購(gòu)的需求。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹平凹柱面鏡特性詳細(xì)描述：長(zhǎng)春市金龍光電科技有限責(zé)任公司能夠加工多種規(guī)格、半徑、基底材料不同的平凸柱面鏡、平凹柱面鏡、雙凸柱面鏡、雙凹柱面鏡、彎月柱面鏡等普通柱面鏡。也可以加工特殊柱面鏡如：消色差柱面鏡、拋物柱面鏡、柱面橢球鏡和雙曲面柱面鏡等非球面柱面鏡及柱面鏡組。材料：各種光學(xué)玻璃、紫外熔石英(JGS1)、紅外熔石英(JGS3)以及氟化鈣(CaF2)、鍺(Ge)、硒化鋅(ZnSe)、硅(Si)等光學(xué)晶體材料 焦距： -5mm — -1000mm±1%( 德國(guó) TIROPTICS OPTOMATIC2000 測(cè)試 ) 長(zhǎng)度： 2mm — 500mm±0.1mm 寬度： 2mm — 150mm±0.1mm 中心厚度公差： ±0.2mm 中心偏差： 3 — 5 分 表面精度： λ/4 表面質(zhì)量： 60/40 有效口徑： 90% 鍍 膜： 按客戶需求可進(jìn)行鍍膜 另外，我們有K9平凸柱面透鏡和K9平凹柱面透鏡上百種現(xiàn)貨庫(kù)存，價(jià)格優(yōu)惠，質(zhì)量?jī)?yōu)良，可以滿足您少量訂購(gòu)的需求。

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平拋儀(雙軌型平拋運(yùn)動(dòng)實(shí)驗(yàn)器),采用電磁吸球,光電門(mén)控制,不僅可以用于平拋運(yùn)動(dòng)學(xué)生分組實(shí)驗(yàn),還直觀的演示了平拋運(yùn)動(dòng)的水平方向和豎直方向兩個(gè)分運(yùn)動(dòng)的特性.

產(chǎn)品詳細(xì)介紹         產(chǎn)品圖片                  產(chǎn)品特點(diǎn)        1.     構(gòu)成：A.底座-側(cè)面凹槽內(nèi)貼有標(biāo)尺，末端有復(fù)寫(xiě)紙，配有根據(jù)小球的落地點(diǎn)測(cè)量水平距離的游標(biāo)；B.支架；C.轉(zhuǎn)接器；D.軌道；E.小球；F.光電門(mén)傳感器；G.觸碰傳感器；H.磁性回收器。 2.    應(yīng)用：通過(guò)多次釋放小球，可以驗(yàn)證小球飛行時(shí)間與起拋高度的關(guān)系；同時(shí)，還可驗(yàn)證物理平拋運(yùn)動(dòng)的水平位移與豎直高度及水平初速度有關(guān)。 3.   注意：實(shí)驗(yàn)時(shí)，此套實(shí)驗(yàn)器需與光電門(mén)傳感器、采集器配合一起使用。        產(chǎn)品范圍        朗威?DISLab產(chǎn)品支持的學(xué)科以物理、環(huán)境科學(xué)和小學(xué)科學(xué)為主，兼顧化學(xué)、生物；并且涵蓋基礎(chǔ)教育的全學(xué)段，即從小學(xué)科學(xué)到初、高中理科實(shí)驗(yàn)教學(xué)。         產(chǎn)品用戶          憑借強(qiáng)有力的教學(xué)科研支撐、穩(wěn)定的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)良的售后服務(wù)，朗威?DISLab產(chǎn)品先后中標(biāo)滬、京、浙、蘇、皖、魯、閩、粵、桂、陜等省大型政府項(xiàng)目，多年間裝備了全國(guó)2000多所中學(xué)及200多所高等師范院校。           產(chǎn)品服務(wù)            朗威?DISLab產(chǎn)品每年在北京、上海、廣州、新疆等全國(guó)30個(gè)省、市自治區(qū)開(kāi)展數(shù)字化實(shí)驗(yàn)室教學(xué)培訓(xùn)，為各校提供了系統(tǒng)的產(chǎn)品應(yīng)用培訓(xùn)、有力的促進(jìn)了數(shù)字化實(shí)驗(yàn)在教學(xué)中的應(yīng)用及推廣。     山東遠(yuǎn)大深切了解一線用戶的需求，本著強(qiáng)烈的社會(huì)責(zé)任和奉獻(xiàn)精神，十年來(lái)的服務(wù)足跡遍及大江南北、天山腳下、白山黑水和西南邊陲，從而獲得了廣大用戶的好評(píng)。         產(chǎn)品意義        在中學(xué)物理教學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用逐步從課件和虛擬走向了數(shù)據(jù)采集和實(shí)時(shí)實(shí)驗(yàn)，這是由物理教學(xué)的本質(zhì)特征所決定的。具有代表性的首先是上海市編寫(xiě)的《上海市二期課改高中物理教材》，其次是人民教育出版社、上海科技教育出版社以及廣東教育出版社新課程教材。在這些教材中，均明確提出了以朗威?DISLab傳感器、數(shù)據(jù)采集器為基礎(chǔ)的數(shù)字化物理實(shí)驗(yàn)的概念，并明確給出了教學(xué)實(shí)施方案。學(xué)校選用朗威?DISLab，既體現(xiàn)了信息技術(shù)與物理教學(xué)整合的課改理念，又能夠使實(shí)驗(yàn)教學(xué)裝備與新課標(biāo)教材要求保持高度一致。

平拋板、傳感器固定座、小球等。研究平拋運(yùn)動(dòng)中v與H、v與S的關(guān)系。

本發(fā)明公開(kāi)一種瀝青路面模量反算方法，包括：對(duì)瀝青路面的路面結(jié)構(gòu)層進(jìn)行簡(jiǎn)化，將相鄰且材料類(lèi)型相同的路面結(jié)構(gòu)層視為簡(jiǎn)化層，并且每一簡(jiǎn)化層所包含的結(jié)構(gòu)層之間的模量差值不大于N MPa，將土基單獨(dú)視為土基層；在土基層及各簡(jiǎn)化層中布置垂直應(yīng)變傳感器，且保證布置完成的所有垂直應(yīng)變傳感器位于同一垂直方向；在瀝青路面表層施加荷載，且該荷載位于各垂直應(yīng)變傳感的正上方，并通過(guò)垂直應(yīng)變傳感器采集土基層及簡(jiǎn)化層的垂直應(yīng)變數(shù)據(jù)；將采集到的垂直應(yīng)變數(shù)據(jù)作為反算參數(shù)進(jìn)行模量反算；N的取值為250～350。通過(guò)該方法將原結(jié)構(gòu)組合簡(jiǎn)化從而優(yōu)化了模量反算計(jì)算過(guò)程，解決了反算模量與實(shí)際狀態(tài)不符的技術(shù)難題。

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來(lái)提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過(guò)引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)下數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理是分離的，存儲(chǔ)器與處理器之間通過(guò)數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，在面向大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用場(chǎng)景中，這種計(jì)算架構(gòu)已成為高性能低功耗計(jì)算系統(tǒng)的主要瓶頸之一：數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴(yán)重制約了處理器的性能與效率，且存儲(chǔ)器與處理器之間存在嚴(yán)重性能不匹配問(wèn)題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，其直接利用阻變器件進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，通過(guò)將器件組織成為交叉陣列形式，實(shí)現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計(jì)算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)和計(jì)算中反復(fù)搬移帶來(lái)的時(shí)間和能量開(kāi)銷(xiāo)，消除了傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)中的“存儲(chǔ)墻”與“功耗墻”問(wèn)題，可以高效、并行的完成基礎(chǔ)的矩陣向量乘計(jì)算，未來(lái)極有潛力成為支撐人工智能等新興應(yīng)用的核心技術(shù)。 清華大學(xué)吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了材料與器件、電路設(shè)計(jì)、架構(gòu)和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新，解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關(guān)注的難題： 材料與器件創(chuàng)新。科研團(tuán)隊(duì)選擇了電學(xué)特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過(guò)插入少量氧化鋁層來(lái)固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強(qiáng)層的新原理器件結(jié)構(gòu)，成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新。開(kāi)發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設(shè)計(jì)方法，提出“差分電阻”設(shè)計(jì)思想，采取源線電流鏡限流設(shè)計(jì)，抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計(jì)算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓(xùn)練算法，僅用小數(shù)據(jù)量訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并只更新最后一層網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重，即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計(jì)算精度達(dá)到與軟件理論值相同的水平。 “技術(shù)鏈”創(chuàng)新。從“單點(diǎn)技術(shù)突破”拓展到“技術(shù)鏈突破”，開(kāi)發(fā)了針對(duì)憶阻器存算一體芯片的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具，打通了從電路模塊設(shè)計(jì)到系統(tǒng)綜合再到芯片驗(yàn)證的設(shè)計(jì)全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術(shù)》《自然·通訊》等國(guó)際頂級(jí)期刊，以及被譽(yù)為“集成電路奧林匹克”的“國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)”等頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議。研究成果被“國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”和30多部綜述文章長(zhǎng)篇幅引用。團(tuán)隊(duì)已在該研究方向申請(qǐng)國(guó)內(nèi)外專(zhuān)利72項(xiàng)，其中30項(xiàng)已獲得授權(quán)，知識(shí)產(chǎn)權(quán)完全自主可控。 團(tuán)隊(duì)已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng)，集成了8個(gè)憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計(jì)算設(shè)備的算力。全系統(tǒng)的計(jì)算能效比當(dāng)前主流的人工智能計(jì)算平臺(tái)——圖形處理器（GPU）高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。團(tuán)隊(duì)還設(shè)計(jì)了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數(shù)據(jù)集上計(jì)算速度已超過(guò)市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍，能效有近千倍的優(yōu)勢(shì)。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來(lái)提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過(guò)引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。