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一種電調(diào)光反射率薄膜
本發(fā)明公開了一種電調(diào)光反射率薄膜。包括第一光學(xué)介質(zhì)層，依次設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層上表面的第一陽(yáng)極、第二光學(xué)介質(zhì)層和第二陽(yáng)極，以及設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層下表面的陰極，陰極為勻質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，第一陽(yáng)極和所述第二陽(yáng)極均由其上布有 M×N 元陣列分布的納孔的導(dǎo)電膜構(gòu)成；通過(guò)調(diào)變加載在第一陽(yáng)極和陰極間的第一時(shí)序電壓信號(hào)以及加載在第二陽(yáng)極和陰極間的第二時(shí)序電壓信號(hào)，調(diào)變陰極上的陣列化電子的密度和分布形態(tài)，進(jìn)而調(diào)變電調(diào)光反射率薄膜的光
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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高折射率有機(jī)-無(wú)機(jī)納米復(fù)合光學(xué)薄膜
隨著光學(xué)器件在日常生活領(lǐng)域越發(fā)廣泛地應(yīng)用，對(duì)其新功能的需求也加大，其中高折射率材料的研究也越來(lái)越多,特別是高折射率聚合物（HRIP）。近來(lái)，由于其在高級(jí)光電制造中的潛在應(yīng)用，HRIPs已經(jīng)吸引了相當(dāng)多的關(guān)注，例如先進(jìn)顯示設(shè)備的高性能基底，用于有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，光學(xué)黏合劑或密封膠材料，高級(jí)光學(xué)應(yīng)用中的減反射涂層，193-nm浸潤(rùn)蝕刻光阻劑，和微透鏡組件中的電荷耦合式裝置以及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器。然而，一般普通聚合物的折光指數(shù)的范圍在1.30～1.70之間，但是在實(shí)際應(yīng)用中要求更高的折光指數(shù)（大于1.70，甚至 1.80）。由高折射率無(wú)機(jī)納米粒子和有機(jī)高分子基體組成的納米復(fù)合材料可以輕易地獲得高的折光指數(shù)。本項(xiàng)目將高折射率的無(wú)機(jī)納米粒子炭黑、二氧化硅、二氧化鈦等添加到各種聚合物基體中，獲得高折射率光學(xué)薄膜，且通過(guò)對(duì)無(wú)機(jī)粒子和聚合物基體間的界面設(shè)計(jì)，使得無(wú)機(jī)粒子少量填充即可獲得高折射率光學(xué)薄膜。具有核心技術(shù)（自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)），發(fā)明專利1項(xiàng)，獲得上海市自然科學(xué)基金資助。
華東理工大學(xué)
2021-04-11
一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜
本發(fā)明公開了一種可尋址電調(diào)光反射率薄膜。包括陰極，陽(yáng)極陣列，以及設(shè)置在陰極和陽(yáng)極陣列間的介電層；陽(yáng)極陣列由 M×N 元陣列分布的陽(yáng)極單元構(gòu)成，陽(yáng)極單元由規(guī)則排列且相互連通的多個(gè)子電極構(gòu)成，可尋址電調(diào)光反射率薄膜被劃分為 M×N 元陣列分布的電調(diào)光反射率單元，陽(yáng)極單元與電調(diào)光反射率單元一一對(duì)應(yīng)，構(gòu)成電調(diào)光反射率單元的陽(yáng)極，所有電調(diào)光反射率單元共用陰極；通過(guò)陽(yáng)極單元和陰極對(duì)電調(diào)光反射率單元執(zhí)行獨(dú)立加電操作，進(jìn)而通過(guò)調(diào)變加
華中科技大學(xué)
2021-04-14
州大學(xué).jpg){kind=logo}
有機(jī)光電器件中的薄膜電導(dǎo)率提高機(jī)理技術(shù)研究
本成果通過(guò)有機(jī)光電器件中有機(jī)薄膜的缺陷態(tài)來(lái)揭示： 1. 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級(jí)排布或者出現(xiàn)的界面能級(jí)釘扎的機(jī)理； 3. 缺陷態(tài)的存在對(duì)器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機(jī)、無(wú)機(jī)材料摻雜來(lái)極大的提高有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡(jiǎn)單的使用方法來(lái)提高有機(jī)光電器件的性能。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽(yáng)極和一層平面金屬納膜陰極/陽(yáng)極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個(gè)外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽(yáng)極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽(yáng)極間形成局域彎曲的銳化電場(chǎng)陣，陰極/陽(yáng)極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的陣列化納電場(chǎng)驅(qū)控，向各納電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽(yáng)極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學(xué)
2021-04-14
FEP薄膜
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
南京瑞尼克科技開發(fā)有限公司
2021-08-23
低輻射薄膜
已有樣品/n該項(xiàng)目提供了一種新型低輻射薄膜，分別采用金屬薄銀層來(lái)抑制長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外波和短波長(zhǎng)紫外波的透射，采用周期性結(jié)構(gòu)來(lái)增強(qiáng)可見光波段的透射；對(duì)可見光的透射率達(dá)到70~96%，對(duì)紫外波段的透射率降低到15%、對(duì)780nm~1200nm 紅外波段的透射率降低到10%以下、對(duì)1200nm~3000nm 紅外波段的透射率降低到25%以下，層數(shù)顯著降低，很大程度上縮減了成本，簡(jiǎn)化了工藝流程。該項(xiàng)目提供的薄膜具有防紫外線、透明和
華中科技大學(xué)
2021-01-12
薄膜萃取系統(tǒng)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
· 整機(jī)功能集成化，外觀簡(jiǎn)潔、大方
· 電氣化控制簡(jiǎn)潔、實(shí)用
· 內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用多分區(qū)、模塊化設(shè)計(jì)，滿足不同工藝下使用要求
· 設(shè)備可以整體移動(dòng)、固定，對(duì)于需要在不同環(huán)境使用具有較高適用性。
· 操作、維護(hù)方便，性能安全可靠
· 可以通過(guò)不同的萃取時(shí)間、方案，完全模擬出萃取線的過(guò)程及其結(jié)果
產(chǎn)品應(yīng)用：
· 開發(fā)新的薄膜配方和材料
· 測(cè)試新的薄膜表面/添加劑
· 驗(yàn)證薄膜生產(chǎn)工藝條件
· 測(cè)試不同萃取方案對(duì)于材料的影響
· 萃取后薄膜樣品性能測(cè)試
· 小批量薄膜生產(chǎn)
技術(shù)參數(shù)：
· 萃取樣品尺寸規(guī)格——850mm×850mm
· 樣品薄膜厚度——20 - 5000 μm
· 內(nèi)部分區(qū)——3區(qū)
· 萃取介質(zhì)進(jìn)出——雙泵單獨(dú)控制
· 輔助萃取（可選）——強(qiáng)力超聲波發(fā)生器
· 設(shè)備尺寸—— 1m×1m×1.3m （長(zhǎng)×寬×高）
青島中科華聯(lián)新材料股份有限公司
2021-09-03
薄膜拉伸機(jī)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
· 符合人體工程學(xué)設(shè)計(jì)
· 簡(jiǎn)單、直觀的電氣化控制
· 通過(guò)循環(huán)空氣或紅外加熱，薄膜達(dá)到精確、可靠的溫度
· 通過(guò)精準(zhǔn)的溫度平衡實(shí)現(xiàn)完美的工藝控制
· 調(diào)試維修方便簡(jiǎn)單，使用性能可靠
· 可進(jìn)行縱向、橫向或在任何位置的雙向同步或異步拉伸
· 可通過(guò)不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模擬薄膜拉伸流水線工藝
產(chǎn)品應(yīng)用：
· 開發(fā)新的薄膜配方和材料
· 測(cè)試新的薄膜表面/添加劑
· 驗(yàn)證薄膜生產(chǎn)工藝條件
· 測(cè)試不同萃取方案對(duì)于材料的影響
· 萃取后薄膜樣品性能測(cè)試
· 小批量薄膜生產(chǎn)
技術(shù)參數(shù)：
· 設(shè)備配置——5鋏子配置
· 推薦的初始樣品膜尺寸——80mm×80mm
· 拉伸比率——10：10
· 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含鋏頭區(qū)域）
· 拉伸樣品膜厚度——20 - 5000 μm
· 拉伸速度——500mm/S
· 最大夾緊力——1000N
· 每一軸拉伸力——2000N
· 設(shè)備尺寸——4m×2m×2m（長(zhǎng)×寬×高）
· 拉伸樣品膜加熱系統(tǒng)可到300°C
青島中科華聯(lián)新材料股份有限公司
2021-09-03