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一種用于無源超高頻 RFID 標簽芯片的解調電路
本發明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標簽芯片解調電路， 包括整流電路、取包絡電路、低通濾波電路、均值產生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構成， 采用閾值補償實現，取包絡電路在使能控制電路控制下提取包絡，低 通濾波電路直接采用 RC 結構，均值產生電路由運算放大器、二極管 和電容構成，利用峰值檢測的原理實現，比較器采用開環的運算放大 器實現，整形電路由兩個級聯的反相器構成，
華中科技大學
2021-04-14
一種液晶基單眼復眼一體化成像探測芯片
本發明公開了一種液晶基單眼復眼一體化成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復眼一體化成像探測架構，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復眼一體化成像探測架構設置于陶瓷外殼內，并包括同軸順序設置的驅控與圖像預處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測器，驅控與圖像預處理模塊通過通訊與控制信號
華中科技大學
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構、方法及產品
本發明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構、方法及產品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內填充有金屬體，通孔內的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹
華中科技大學
2021-04-14
北京藍晶微生物基于微生物的分子和材料創新平臺
藍晶微生物致力于打造基于微生物的分子和材料創新平臺。團隊由清華、北大青年科學家組成，顧問團隊包括中科院院士，中科院微生物所工業微生物研究室主任等。致力于利用合成生物學技術，提供生物活性分子。業務包括合同付費業務（iGEM科學教育，Holog平臺），大客戶定制開發（PHA業務線等）及自產經營（CBD開發）。點擊上方按鈕聯系科轉云平臺進行溝通對接！
清華大學
2021-04-10
青海省建成國內首條太陽能晶硅光伏組件回收中試線
7月5日，青海省重點研發計劃項目“晶硅光伏組件回收利用技術研究”通過專家驗收。項目通過對晶硅太陽能電池組件材料的回收循環再利用研究，探索清潔能源固廢規范回收以及可循環、高值化再生利用的新興產業途徑，建成我國首條具有自主知識產權的高回收率太陽能晶硅光伏組件回收中試線，為晶硅電池綜合回收利用提供了科技示范樣板。
青海省科學技術廳
2023-07-07
一種銳鈦礦二氧化鈦納米晶溶膠的制備方法
（專利號：ZL 201410057393.X） 簡介：本發明公開了一種銳鈦礦型二氧化鈦納米晶溶膠的制備方法，屬于納米材料制備技術領域。本發明制備過程包括酯化、前軀體的水解以及產物的洗滌，具體是：控制乙醇與乙酸酯化速度，以控制釋放出水的量，從而控制前軀體水解的速度，在85-120℃酸性條件下，生成的二氧化鈦納米晶轉化為銳鈦礦晶型。本發明制備二氧化鈦的方法簡單、成本低廉，得到的二氧化鈦納米晶分散性良好，適合于制備太陽能電池的光陽極。
安徽工業大學
2021-01-12
基于發動機動力傳動件強化用 Al-P 晶種合金
Al-Si 合金具有低膨脹系數，良好的耐磨性及鑄造性能，在內燃機活塞、缸 體壓等發動機動力傳動件制造領域廣泛應用。過共晶 Al-Si 合金的微觀組織中 通常存在五瓣星狀、板片狀、八面體和其他復雜相貌的初晶 Si，這些分布在該 合金基體中的較粗大初晶 Si，嚴重割裂了合金基體，在外力作用下，合金中的 Si 相尖端和棱角部位易引起局部應力集中，從而明顯降低了合金的力學性能， 尤其是影響其塑性、強度、耐熱性和熱疲勞性能的提高。與此同時，在過共晶 Al-Si 合金中，初晶 Si 易出現集聚現象，嚴重降低了合金的各項性能。要改善 過共晶 Al-Si 合金的性能,必須同時對共晶 Si、初晶 Si 進行良好的細化處理，細 化、球化初晶 Si，才能使其得以廣泛應用。目前國內外實際生產中通常采取加 磷（P）的方法，亦稱磷變質（細化）處理。含磷變質劑主要包括磷鹽或赤磷復 合變質劑及含磷中間合金。其主要存在問題如下： (1)磷鹽或赤磷復合變質劑：處理過程中產生大量有害氣體，環境污染嚴重， 效果不穩定，廢品率高。 (2) Cu-P 中間合金：熔點高，加入后難熔化；密度大，易沉淀偏析。 基于上述行業背景，本課題組研制開發了一種應用于發動機活塞、壓鑄合 金熔體變質處理的新型 Al-P 晶種合金
山東大學
2021-04-13
一種非晶鐵磷合金/V8C7 復合鍍層及其電鍍工藝
本發明之非晶鐵磷合金/V8C7復合鍍層，所述復合鍍層的基體材質為非晶態Fe-P合金，Fe 含量為復合鍍層的60-89wt%（優選70-85wt%），P 含量為復合鍍層的10-30wt%（優選12-22wt%），所述復合鍍層中含有固體微粒V8C7，含量為復合鍍層的1-10wt%（優選3-7wt%）。復合鍍層可以含有各種不同的金屬或合金以及各種不同類型的微粒，其技術適用性和實用性寬廣，具有較強的可變性和可操作性，應用將日益廣泛。
長沙理工大學
2021-01-12
太陽能薄膜電池一種關鍵技術：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。
大連理工大學
2021-04-14
一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法
一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法，其步驟是：A、將外觀為白色粉狀的四針狀氧化鋅晶須加入到酒石酸鉀鈉的水溶液中形成糊狀或懸濁液，攪拌10～30分鐘，所述的酒石酸鉀鈉和四針狀氧化鋅晶須的摩爾比為0.1～1∶100，；再在攪拌狀態下緩慢加入與酒石酸鉀鈉等摩爾量氯化銅的水溶液；之后，繼續攪拌30～60分鐘；最后，經過濾、洗滌、烘干，得表面原位沉積有納米酒石酸銅的四針狀氧化鋅晶須復合物粉末；B、將復合物粉末在氫氣氣氛中升溫至270～300℃保溫15～60分鐘，冷卻至室溫，即得。該方法得到的粉末抗菌力強，4小時殺菌率為98.5％～99.9％；且成本低廉，使用中不變色、易于推廣。
西南交通大學
2016-10-20