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一種低溫煅燒插層高嶺土制備堿激發(fā)膠凝材料的方法
煅燒高嶺土基堿激發(fā)膠凝材料是指利用活性低鈣Si-Al質(zhì)材料與高堿性溶液反應(yīng)制備出的一種結(jié)構(gòu)上具有空間三維網(wǎng)絡(luò)狀結(jié)構(gòu)的新型無(wú)機(jī)Si-Al質(zhì)膠凝材料，該材料制備工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)能耗低且制備過(guò)程中二氧化碳排放量少，是一種綠色環(huán)保型膠凝材料，具有耐腐蝕、耐高溫、耐久性好、干燥收縮低、早期強(qiáng)度高和優(yōu)異的力學(xué)性能等特點(diǎn)，在汽車及航空工業(yè)、土木工程、交通及快速搶修、封堵核廢料及重金屬固化等方面，具有廣闊的應(yīng)用前景，已成為堿激發(fā)膠凝材料研究的焦點(diǎn)。
重慶大學(xué)
2021-04-14
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一種七甲川吲哚菁類有機(jī)染料作為線粒體熒光探針的應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種七甲川吲哚菁類有機(jī)染料作為線粒體熒光探針的應(yīng)用，所述七甲川吲哚菁類有機(jī)染料的結(jié)構(gòu)式如下：該熒光探針具有優(yōu)異的線粒體靶向能力，并在結(jié)合線粒體后發(fā)出反射波長(zhǎng)為610nm左右的紅色熒光。同時(shí)，該探針還具有熒光量子產(chǎn)率高、成像時(shí)間長(zhǎng)、信噪比高和細(xì)胞毒性低等優(yōu)點(diǎn)，可作為一種新型的線粒體成像試劑。
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種三角波激勵(lì)磁場(chǎng)下的磁納米溫度測(cè)量方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種三角波激勵(lì)磁場(chǎng)下的磁納米溫度測(cè)量方法，屬于納米測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。該方法具體為：（1）將磁納米樣品放置于待測(cè)對(duì)象處；（2）在磁納米樣品所在區(qū)域施加三角波激勵(lì)磁場(chǎng)；（3）檢測(cè)三角波激勵(lì)磁場(chǎng)-時(shí)間曲線和磁納米粒子樣品的磁化強(qiáng)度-時(shí)間曲線；（4）依據(jù)三角波激勵(lì)磁場(chǎng)曲線和磁化強(qiáng)度曲線得到磁納米粒子磁化曲線即激勵(lì)磁場(chǎng)-磁化強(qiáng)度曲線，對(duì)該曲線采樣獲得激勵(lì)磁場(chǎng) Hi 下磁納米粒子樣品的磁化強(qiáng)度 Mi；（5）以激勵(lì)磁場(chǎng) H
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于光纖聲光模互作用的溫度和應(yīng)變同時(shí)測(cè)量方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于光纖聲光模互作用的溫度和應(yīng)變同時(shí)測(cè) 量方法，利用光纖中激發(fā)的某一個(gè)光模與對(duì)應(yīng)激發(fā)的多聲模之間的互 作用產(chǎn)生多峰布里淵增益譜，從多峰布里淵增益譜中任意選取兩個(gè)增 益峰的某一特征量進(jìn)行比對(duì)測(cè)量，或任意選取一個(gè)增益峰的某兩個(gè)特 征量進(jìn)行比對(duì)測(cè)量，獲取布里淵頻移和/或布里淵增益系數(shù)隨溫度和應(yīng) 變的感知靈敏系數(shù)，構(gòu)成系數(shù)矩陣，通過(guò)求解矩陣方程獲取溫度和應(yīng) 變，實(shí)現(xiàn)溫度和應(yīng)變的同時(shí)測(cè)量；本發(fā)明提供的溫度和應(yīng)變
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內(nèi)包層外表面上涂覆折射率大于或等于內(nèi)包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過(guò)多段光柵的衍射 將內(nèi)包層內(nèi)殘余光剝離出來(lái)；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿吸熱材料，將剝離出的內(nèi)包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產(chǎn)生的熱量帶走。本發(fā)明通過(guò)采用不同
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于石墨烯-碳納米管復(fù)合結(jié)構(gòu)的熱噴印頭及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于石墨烯-碳納米管復(fù)合結(jié)構(gòu)的熱噴印頭及 其制備方法，采用 ICP 工藝以及 PDMS 填充深溝的表面平坦化工藝， 在硅片襯底上制備主通道、噴墨腔室、進(jìn)墨通道、噴嘴、噴墨通道； 采用陽(yáng)極鍵合工藝，以石墨烯碎片作為中間層，將玻璃基底和硅片襯 底鍵合。主通道和噴墨腔室通過(guò)進(jìn)墨通道連通，進(jìn)墨通道深度小于噴 墨腔室深度；噴嘴設(shè)置在噴墨腔室底部；碳納米管-石墨烯復(fù)合結(jié)構(gòu)微 氣泡發(fā)生器陣列和碳納米管溫度傳感器陣列
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種異構(gòu)存儲(chǔ)介質(zhì)下嵌入式數(shù)據(jù)庫(kù)的管理方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種異構(gòu)存儲(chǔ)介質(zhì)下嵌入式數(shù)據(jù)庫(kù)的管理方法，具體為：將數(shù)據(jù)文件分為小數(shù)據(jù)塊和大數(shù)據(jù)塊，將大數(shù)據(jù)塊和優(yōu)先級(jí)低的小數(shù)據(jù)塊存入外存，將優(yōu)先級(jí)高的小數(shù)據(jù)塊存入內(nèi)存；嵌入式處理器查詢到待訪問(wèn)數(shù)據(jù)的索引塊，若該數(shù)據(jù)塊存在于內(nèi)存，則直接訪問(wèn)數(shù)據(jù)，若該數(shù)據(jù)塊存在于外存，則訪問(wèn)外存中的數(shù)據(jù)；在系統(tǒng)空閑期，數(shù)據(jù)庫(kù)根據(jù)訪問(wèn)情況將部分?jǐn)?shù)據(jù)塊降級(jí)釋放到外存，加載部分急需的數(shù)據(jù)塊到內(nèi)存，以實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)度。本發(fā)明綜合兩種存儲(chǔ)介質(zhì)的優(yōu)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
防誤碼擴(kuò)散的 JPEG-LS 圖像無(wú)損/近無(wú)損壓縮算法硬件實(shí)現(xiàn)方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種防誤碼擴(kuò)散的圖像無(wú)損/近無(wú)損壓縮方法：采用并行預(yù)測(cè)方式，將分塊的圖像通過(guò)兩路并行得到預(yù)測(cè)結(jié)果，在每個(gè)預(yù)測(cè)環(huán)節(jié)，像素之間間隔一個(gè)像素時(shí)鐘周期，使得由參數(shù)索引、預(yù)測(cè)修正、殘差計(jì)算、參數(shù)更新反饋環(huán)路可使用流水線設(shè)計(jì)；在近無(wú)損壓縮模式下，每個(gè)像素有足夠的時(shí)間進(jìn)行像素重建，在當(dāng)前像素進(jìn)行上下文建模前能剛好得到上一個(gè)像素對(duì)應(yīng)的像素重建值；通過(guò)引入分塊壓縮與檢糾錯(cuò)編碼相結(jié)合的方法，防止了誤碼的大面積擴(kuò)散，提高了
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的情景記憶電路及其操作方法， 電路包括編碼電路和檢索電路；編碼電路可以根據(jù)事件本身及其相關(guān) 特征對(duì)事件進(jìn)行編碼并存儲(chǔ)于電路中，通過(guò)擦除信號(hào)對(duì)已存信息進(jìn)行 擦除，并將產(chǎn)生的記憶痕跡信號(hào)作為下級(jí)電路的輸入信號(hào)；檢索電路 能夠?qū)⒂洃浐圹E信號(hào)和檢索信號(hào)相互匹配進(jìn)而產(chǎn)生相應(yīng)的情景記憶行 為；本發(fā)明可以根據(jù)施加的相關(guān)脈沖操作，模擬生物的情景記憶行為。 完成人：繆向水、許磊、李祎、段念
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子交流磁化率虛部的成像方法
本發(fā)明公開(kāi)一種磁納米粒子濃度成像方法，其主要?jiǎng)?chuàng)新在于采用交流磁化率的虛部來(lái)進(jìn)行濃度成像，有效提高磁納米粒子成像的空間分辨率。對(duì)磁納米粒子施加交流磁場(chǎng)和直流梯度磁場(chǎng)，檢測(cè)出一次諧波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化強(qiáng)度變化量計(jì)算出磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部。通過(guò)控制直流梯度磁場(chǎng)的零磁場(chǎng)點(diǎn)位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部，進(jìn)而利用交流磁化率的虛部實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像。從仿真數(shù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14