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XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動模型 ? XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動模型演示錐體外系傳導、紋狀體-黑質、皮質-紋狀體、紋狀體環路、背側丘腦-皮質環路等。 ? 尺寸：34×34×69cm 材質：PVC材料+木框 ? 標準配置： ■ XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動模型：1臺 ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

本發明公開了一種雙控制器同步輪廓控制方法，包括:將給定 的圖形輪廓加載到第一控制器和第二控制器里;第一控制器按照給定 圖形輪廓進行運動軌跡控制，將軌跡位置點進行基于行程的編碼，并 將包含上述基于行程編碼信息的同步控制信號發送給第二控制器;第 二控制器接受同步控制信號并解析得到軌跡位置點，從而與第一控制 器達到同步，根據軌跡位置點處的圖形輪廓控制光斑形狀。該方法可 以應用于裂紋控制法的玻璃激光切割加工中，使得數控系統控制器(第 一控制器)與可變光斑控制器(第二控制器)基于圖形輪廓同步。該雙控 制器同步

本發明公開了一種電機驅動控制系統，該系統包括直流-直流變 換器控制部以及逆變器控制部，逆變器控制部包括順序相連的速度控 制器、電流控制器以及逆變器 PWM，逆變器控制部還包括開關頻率計 算模塊，開關頻率計算模塊計算出開關頻率信息傳輸于逆變器 PWM， 逆變器 PWM 輸出 PWM 信號用于控制逆變器，直流-直流變換器部包 括順序相連的直流電壓計算模塊及直流電壓控制器。按照本發明實現 的電機驅動控制系統，低速下開關損耗為傳統系統的 1/4，而系統的其 他功率損耗基本維持不變，相加之后，系統總損耗能減小

化工、制藥、印染、造紙等行業廢水排放量大、污染物濃度高，并且這些重污染行業排放的廢水一般都含有難降解生物、甚至有毒害作用的污染物質，常規的物化、生化處理工藝很難把這些行業的廢水處理到國家一級排放標準。為此，很多企業不得不通過稀釋手段來實現COD達標排放的目標。但是，隨著節能減排計劃的實施，各地都加大了對COD總量的控制力度。同時，地方政府也給企業下達了COD減排任務。此外，一些地方政府還頒布了高于國家廢水排放標準的地方標準。為了完成COD減排任務或達到更加嚴格的廢水排放標準，大部分企業都必須對現有污水處理設施進行技術改造。華東理工大學環境工程研究所針對化工、制藥、印染、造紙等行業廢水的特點，研究開發了多項難降解有機廢水處理技術，包括各種預處理技術、生物處理技術、深度處理技術，及多項處理技術的組合與集成。目前，這些技術已成功應用于多個化工、精細化工、制藥企業的廢水改造工程或新建工程，為這些企業解決了高COD、高鹽分、高氨氮廢水處理的難題，使企業在較低的成本下實現了達標排放的目的，并超額完成了COD減排任務。（1）處理有機廢水的BCB組合工藝，授權發明專利，專利號：ZL200510024414.6（2）一種氧化反應催化劑可循環使用的廢水處理方法，授權發明專利，專利號：ZL200610030562.6

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

近年來，隨著市場對油品質量要求的提高和原油質量的下降，國內煉化企業對加氫工藝逐步重視。對油品的深加工已從原有的脫碳型逐步轉向加氫型，加氫工藝逐漸已經成為主流的深加工工藝。企業內氫氣資源的供需矛盾日益突出。隨著氫氣資源的緊張和價格的攀升，采用先進的優化技術對煉化企業的氫氣系統進行優化，最大限度地合理利用氫氣資源已經成為提高企業效益，節能降耗的重要途徑之一。 本項目目的在于為煉化企業氫氣系統提供系統分析和優化集成的方案。根據用氫裝置實際需求的氫氣壓力和氫氣純度確定和設置氫氣梯級分配網絡的中間等級，提高氫氣分配網絡的可拓展性和操作柔性，使氫氣分配網絡中局部用氫裝置的增減和操作變動不改變氫氣分配網絡的整體結構和操作特性。

本項目針對工程機械行業開展逆向物流的瓶頸約束問題，對工程機械產品 回收體系及其逆向物流關鍵技術進行重點研究，為回收體系的高效運作提供基 礎數據；為回收產品的物流流向提供決策依據；為逆向物流網絡的優化設計和 運行提供決策支持；在此基礎上，建立與企業現有信息平臺有效集成和融合的 逆向物流信息平臺；同時，結合具體企業開展實踐，為工程機械回收產品逆向 物流技術的應用和示范提供關鍵技術支撐。

面向海綿城市，研發一種新型種植屋面，自上而下分為六層： 1.建筑屋頂；2.防水涂層；3.阻根防水卷材；4.排水板；5.過濾層； 6.種植土層。可提前生產好種植屋面的模塊，在施工現場直接拼接。 施工方便，減少施工現場的作業時間，降低對住戶的影響。可通 過拆卸模塊，實現破損模塊隨取隨換，維護簡單。通過將種植土 層中對于水分分離排除，有效緩解防水涂層的壓力。通過種植土 層及過濾層的過濾，對雨水進行初步處理，改善雨水質量，增加 雨水可利用性。

1.本成果突破了1項關鍵技術（近閾值集成電路設計技術體系）、2項關鍵指標領先（工作電壓最低、處理能效最高）、實現了3類應用（近閾值單元庫、低功耗芯片、定制流程），解決了我國物聯網芯片，低功耗近閾值設計關鍵技術不再受制于人。 2.近閾值技術已經應用于國內多家集成電路企業，新增產值6.3億元，新增利潤1.7億元。標準單元庫電源電壓從1.1V降低到0.6V，讀寫能耗降低了80%。大幅度提成了國產工藝在物聯網芯片方面的競爭力。 3.該成果在保證良率的前提下，降低電源電壓至閾值電壓附近。在國內首次系統性研究低電壓（近閾值）集成電路設計方法，突破了低電壓片上靜態存儲器、同步電路的彈性設計方法、模擬/射頻低功耗主從結構等三項關鍵技術，研制的40nm 0.6V低電壓標準單元和存儲器獲得中芯國際的任何，研制的0.6V 6mW低電壓導航芯片獲得國內領先移動互聯芯片設計企業-珠海全志的認可。 4.本成果應用效果顯著：1）江蘇東大集成電路系統工程技術有限公司整體應用本項目技術，以低功耗核心技術提升物聯網終端產品競爭力，研制并規模量產65nm低功耗系統芯片，開發工業級物聯網終端產品競爭力，研制并且規模量產65nm低功耗系統芯片，開發工業級物聯網移動終端7系列共474580臺，近兩年新增銷售額45976萬元，新增利潤13793元，在國內物流快遞領域應用于順豐等行業領軍企業，取代國外競爭對手優勢地位。2)深圳市國微電子采用本項目技術，研發國內最大容量低功耗軍用存儲芯片，近兩年新增銷售額5000萬元。