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凹凸棒石礦物的棒狀晶束納米化解離
中國是凹凸棒石粘土礦的資源大國，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學局限性。比如氣候條件、地質環境與礦床成分的不同，都會影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發育良好的礦床很少，極大部 分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于 50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開采之后，都要對其進行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時，在提純過程中減小礦物粒徑，提高分散性， 使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石
蘭州大學
2021-01-12
乾立微晶款護眼教室燈-全護眼教育照明產品
深圳鵬翔智明光電科技有限公司
2021-08-23
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國家高新技術開發區，是一家專業面向集成電路人才培養的實體企業，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設計經驗的集成電路產教融合和設計服務平臺——青軟晶尊微電子，共同打造面向國內提供集成電路領域產教融合整體解決方案的領先企業。
青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養新模式，通過集成電路產業學院共建/專業共建，產教融合平臺共建，集成電路大賽，師資培共建，實驗實訓平臺訓，工信部培訓認證，新工科優訓營，課程改革等多種合作模式，推動集成電路教育與產業的無縫銜接，為客戶創造價值。
青軟晶芒擁有自主知識產權集成電路設計專利證書，軟件著作權等十余項，愿通過校企合作和院校一起為集成電路人才培養做出貢獻。
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
2021-12-07
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國內面向集成電路設計領域提供產教融合整體解決方案的領先企業。具有五千顆芯片設計經驗的集成電路設計服務與教育培訓公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長三角經濟帶，形成東部沿海發展網絡，打造國內一流的集成電路設計服務與教育培訓基地。同時借助臺灣業務平臺，開拓國際業務，積極部署國際化發展戰略。
青軟晶尊集成電路設計服務始于1996年，為國內最早從事集成電路設計服務的企業，公司擁有20余年的集成電路設計服務經驗，向客戶提供高速DDR存儲類芯片、固態射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅動、AD/DA轉換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設計服務。為客戶累計完成5000余顆芯片的設計。公司依據高品質的設計服務能力，在美國、日本、臺灣及國內積累了長期、穩定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業，并通過國際DNV信息安全風險管理體系認證。
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
2021-12-07
云南省科技廳關于2024年科技特派團、科技特派員申報工作的通知
為組織動員全省科技資源聚焦服務鄉村振興主戰場，現將云南省2024年科技特派團、科技特派員申報有關事宜通知如下。
農村科技處
2023-07-31
一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術近年來被廣泛用于研究和發展高性能的快速凝固材料。該技術最突出的創新點在于，將液態金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進的過程。在多年研究噴射成形技術的基礎上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結果表明，沉積態La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區寬度DTx和約化玻璃轉變溫度Trg均高于單輥旋轉熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術”，獲中國有色金屬工業科學技術獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學
2021-04-11
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11
淺色導電納米晶須及白色復合導電纖維的制備技術
成功開發具有自主知識產權的新型淺色導電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導電填料加入纖維基體中，具有比導電超細顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結構，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導 電。淺色導電晶須的開發研究對白色導電纖維的制備提供了理論和實踐基礎，葛 明橋教授團隊開發的白色導電纖維經檢測達到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達到導電纖維要求，是國內導電纖維領域的一項重大突破，可提高白色導 電纖維自產率，應用前景廣闊。 2 關鍵技術 （1）將高速攪拌與化學共沉積法結合，制備出的淺色導電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復合導電纖維，315 該種纖維的電阻達到了 106?。 （3）與企業合作制備導電母粒，進而通過熔融紡絲方法制備出各種復合結 構的導電纖維，該種纖維的電阻達到了 109?。 3 知識產權及項目獲獎情況 發表學術論文 9 篇；申請專利 6 項 4 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應釜，實現產業化生產 5 投資期望及應用情況 目前已與部分企業合作，成功制備該導電材料并應用于化纖、纖維素等。
江南大學
2021-04-13
一種非晶合金零件的快速成形方法
本發明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對 電磁成形系統中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對非晶合金進行 快速升溫使其溫度升至過冷液態溫度，在溫度達到設定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時使所述電磁成形系統的電容器放電，產生電磁力并驅動 過冷液態的非晶合金變形至模具中，即可實現非晶合金零件的快速成 形。本發明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發明通 過對熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅動方式
華中科技大學
2021-04-14