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本實用新型公開了一種便于固定的兩用LED手電筒，包括燈頭和燈體，所述的燈體內部設置電源，其一端固定連接燈頭尾部，所述燈體通過螺栓與固定柱鉸接，所述固定柱尾部固定連接螺紋栓，所述的燈體與固定柱外側套接一端帶有螺紋孔的燈筒，所述燈筒另一端設有固定座，且所述燈筒內部中空，所述燈筒帶有螺紋孔端側面設有固定頂柱，所述燈頭尾部開設有供固定頂柱嵌入的槽孔。本實用新型的有益效果是：通過螺栓可以調節燈頭與固定柱的角度，且燈筒可在燈體外側滑動，通過設置在燈筒尾部的固定座可穩定的將本實用新型固定在底面上或桌子上，使用本實用新型能夠達到多用途的效果。

目前，國內進行壓模封裝透鏡成型中的壓模封裝，普遍采用人工進行操作。上下料、注膠、透鏡封裝、壓模成型等工序不僅需要可觀的人工成本，而且生產效率低，產品質量難于保障。華南理工大學胡躍明團隊為改變這一現狀，圍繞國家產業迫切需求，在廣東省新興戰略產業LED重大專項支持下，自主發明和研制了系列全自動透鏡塑封壓模成型（Molding）機，填補了國內在該高端制造領域的空白，實現了全自動上下料、全自動高精度注膠、全自動透鏡成型、全自動壓模封裝等功能，單臺機器單模組可達到50個人工半自動化工藝產能。

本實用新型提供一種基于 USB 供電的帶 LED 燈的風扇裝置，包括 USB 供電接口、LED 燈、風扇、 兩個隔離二極管 LED1、LED2 和選擇開關，USB 端經選擇開關后同時與 LED 燈以及風扇連接構成回路， 所述選擇開關具有第一位置、第二位置、第三位置、第四位置，所述

本發明公開了一種用于汽車前照燈的 LED 模塊封裝方法，包括：(a)將中層基板設置有多個芯片焊盤的區域對準于上層基板的通槽結構，由此執行中層和上層基板的貼合；(b)在芯片焊盤上滴涂焊料，并利用焊料的液體表面張力使得芯片與芯片焊盤自動執行對準調整；(c)執行下層基板和中層基板之間的焊接，并完成各個 LED 芯片的電路連接；(d)將陶瓷粉末和硅膠的混合物填充在各個芯片彼此間隔的側面區域，然后執行加熱固化；(e)向上層基板

產品詳細介紹抽屜式回流焊,LED回流焊機QS-5188   http://www.qinsidianzi.com/

? 項目 星奧全護眼LED書寫板專用燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 黑板照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） ＜16 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤1% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥98 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 5000k 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 ——

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 微晶類主推款-微晶防眩 直下式發光設計 項目 星奧全護眼LED教室燈 國家標準GB7793-2010 功率36w 參數 中小學學校教室采光和照明衛生標準 教室照度（E） 417LX 優于國標 ≥300LX 教室照度均勻度（Uo） 0.8 專業照明設計 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 優于國標 ≥500LX 黑板照度均勻度（Uo） 0.81 專業照明設計 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 無眩光危害 ＜19 光頻閃（波動深度） ≤3.2% 無光頻閃危害 —— 顯色指數 ≥90 色彩還原能力強 ≥80 色溫（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光線柔和 3300K-5500K 使用壽命 質保三年 壽命長 —— 總功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗電量（Q） 720度 耗電量低 ——

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產品規格：≥1200mm*4000mm 產品特點： 1.獨家設計 2.設有智能感應器控制盒，操作便捷。將黑板與電子光源的控制統一化，黑板“閉”→光源“亮”，黑板“開”→光源“滅”。 3.解決了錄播行業的板書光源難題，擁有板面補光系統，避免了光源落差造成的攝像光源問題。 4.保護學生視力，緩解視覺疲勞，根據學生視覺感受可調節光源強度，從而起到預防近視的作用。 5.設計有LED照明系統，以及LED黑板照明控制器，照明度可達到800Lux，燈光亮度可調節。分：外置式 和內嵌式 面板材質：綠板/米黃板/白板/鎢金板/搪瓷板

由東南大學信息科學與工程學院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯合成都天銳星通科技有限公司、網絡通信與安全紫金山實驗室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規模集成陣列天線技術”項目成果通過了中國電子學會組織的現場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項成果進行了現場鑒定并給予了高度評價，一致認為：該項目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規模推廣應用的核心技術瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規模集成陣列天線低成本解決方案，多項關鍵技術屬首創；在硅基CMOS毫米波技術路線取得重大突破，在大規模相控陣天線集成度方面國際領先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛星通信等領域具有廣闊的應用前景，在該領域“卡脖子”技術上取得關鍵突破，已在相關應用部門得以成功推廣應用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術的突破，將帶來無線通信行業的一次變革，解決相控陣系統“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應較大。項目組經過長達6年的技術探索與創新，克服了毫米波CMOS芯片技術的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數為3dB，發射通道效率達到15%，無需校準便可實現精確幅相調控；基于大規模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。